Atomic layer etching di SiO$_2$ utilizzando SF$_6$ gassoso sequenziale e plasma Ar

Informazioni Fondamentali

• ID Articolo: 2412.20653
• Titolo: Atomic layer etching of SiO$_2$ using sequential SF$_6$ gas and Ar plasma
• Autori: Jun Peng, Rakshith Venugopal, Robert Blick, Robert Zierold
• Classificazione: cond-mat.mtrl-sci (Fisica della Materia Condensata - Scienza dei Materiali)
• Istituzioni: Centro per le Nanostrutture Ibride dell'Università di Amburgo, Deutsches Elektronen-Synchrotron (DESY)
• Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2412.20653

Riassunto

Con lo sviluppo continuo della tecnologia dei semiconduttori, la necessità di processi a strato atomico ha catalizzato innovazioni che svolgono un ruolo cruciale nella miniaturizzazione continua dei dispositivi. Tra questi, l'atomic layer etching (ALE) ha attirato crescente attenzione per il suo controllo preciso della rimozione di materiale a livello atomico. Sebbene alcuni ALE termici abbiano raggiunto controllabilità sub-nanometrica, gli attuali processi ALE pratici che coinvolgono fasi di plasma soffrono di velocità di incisione eccessiva a causa della mancanza di semi-reazioni ALE altamente sinergiche. Per superare questa limitazione, questo studio ha sviluppato un processo ALE per incidere il biossido di silicio (SiO$_2$) su wafer di silicio utilizzando esposizione sequenziale a gas esafluoruro di zolfo (SF$_6$) e plasma di argon (Ar) a temperatura ambiente, realizzando una velocità di incisione stabile e coerente di circa 1,4 Å/ciclo. In questo processo, nessuna delle due semi-reazioni produce incisione individualmente; l'incisione si verifica solo quando entrambe vengono ripetute sequenzialmente, il che significa un effetto sinergico del 100%.

Contesto di Ricerca e Motivazione

Definizione del Problema

1. Problema Centrale: I processi attuali di atomic layer etching assistito da plasma soffrono di velocità di incisione eccessiva e effetto sinergico insufficiente, rendendo difficile il controllo preciso a livello atomico.
2. Importanza:
   • Con la legge di Moore che si avvicina ai suoi limiti, la produzione di semiconduttori richiede tecnologie di lavorazione più precise a livello atomico
   • L'ALE è già stato applicato in dispositivi logici con tecnologia a 10 nm
   • I dispositivi nanoelettronici emergenti, come i dispositivi quantistici, hanno crescenti esigenze di incisione precisa
3. Limitazioni dei Metodi Esistenti:
   • Sebbene l'ALE termico possa raggiungere il controllo sub-nanometrico, le caratteristiche di incisione isotropa limitano le applicazioni
   • L'ALE al plasma ha buona direzionalità, ma effetto sinergico debole (~80%) e velocità di incisione eccessiva
   • Mancanza di semi-reazioni ALE altamente sinergiche
4. Motivazione della Ricerca: Sviluppare un processo di incisione di SiO$_2$ che combini la precisione dell'ALE termico con la direzionalità dell'ALE al plasma, realizzando effetto sinergico del 100% e controllo a livello atomico.

Contributi Principali

1. Sviluppo di un Nuovo Processo ALE: Proposto un nuovo metodo di atomic layer etching di SiO$_2$ utilizzando SF$_6$ gassoso sequenziale e plasma Ar, realizzando una velocità di incisione stabile di 1,4 Å/ciclo
2. Realizzazione di Effetto Sinergico del 100%: Dimostrato che le semi-reazioni individuali non producono incisione, e l'effetto si verifica solo quando combinate sequenzialmente, raggiungendo sinergia perfetta
3. Determinazione della Finestra di Processo: Identificate la finestra di temperatura (temperatura ambiente ~40°C) e la finestra di potenza del plasma (50-100 W), fornendo guida per l'ottimizzazione del processo
4. Verifica dell'Incisione Direzionale: Attraverso caratterizzazione morfologica di micro-nanocolonne e strutture di fori, dimostrato che il processo possiede buone caratteristiche di incisione anisotropa
5. Fornitura di Soluzione Scalabile: Utilizzo di apparecchiature RIE commerciali e gas comuni, con buona scalabilità e praticità

Dettagli Metodologici

Definizione del Processo

Input: Wafer SiO$_2$/Si Output: Superficie di SiO$_2$ incisa con precisione a livello atomico Vincoli: Operazione a temperatura ambiente, controllo di incisione sub-nanometrico

Architettura del Processo

Processo a Ciclo Quadruplice

1. Fase di Modifica della Superficie: Le molecole di SF$_6$ si adsorbono sulla superficie del substrato esposto in modo auto-limitante
2. Fase di Purificazione: Rimozione delle molecole in eccesso, lasciando uno strato sottile di SF$_6$ sulla superficie di SiO$_2$
3. Fase di Rimozione: Attivazione del plasma Ar, producendo ioni Ar$^+$ ed elettroni liberi
4. Fase di Purificazione: Purificazione nuovamente della camera di reazione, lasciando una nuova superficie di SiO$_2$

Meccanismo di Reazione

• Il plasma SF$_6$ produce specie attive: SF$_5^+$, SF$_4^{2+}$, radicali F
• I radicali F reagiscono con SiO$_2$ producendo sottoprodotti volatili SiF$_4$
• L'adsorbimento auto-limitante di SF$_6$ assicura che solo uno strato di superficie sia inciso

Punti di Innovazione Tecnica

1. Combinazione di Gas Unica: Primo utilizzo della combinazione di gas SF$_6$ puro e plasma Ar, evitando la complessità dei composti fluorocarburi tradizionali
2. Design Sinergico Perfetto:
   • α (contributo singolo di SF$_6$) = 0
   • β (contributo singolo di plasma Ar) = 0
   • Effetto sinergico S = 100%
3. Operazione a Temperatura Ambiente: Rispetto ad altri processi ALE che richiedono temperature elevate, questo metodo funziona efficacemente a temperatura ambiente
4. Caratteristica Auto-Limitante: La dose di SF$_6$ raggiunge saturazione a 25 sccm·s, dimostrando caratteristica di adsorbimento auto-limitante

Configurazione Sperimentale

Preparazione dei Campioni

• Substrato: Wafer SiO$_2$ (300 nm)/Si da 4 pollici, tagliato in campioni 1×1 cm
• Pulizia: Pulizia con acetone, isopropanolo e acqua deionizzata
• Apparecchiatura: Sistema commerciale di reactive ion etching (SenTech SI 500)

Parametri di Processo Standard

• Temperatura: 23°C costante
• Pressione: Pressione di lavoro 1 Pa
• Flusso di Gas: Flusso continuo di Ar 100 sccm, impulso SF$_6$ 20 sccm per 5 secondi
• Plasma: Potenza ICP 100 W, 60 secondi
• Tempo di Purificazione: 30 secondi

Metodi di Caratterizzazione

• Misurazione dello Spessore: Ellipsometria (SenTech), utilizzando modello di Cauchy
• Caratterizzazione Morfologica: Microscopia elettronica a scansione (Zeiss Crossbeam 550)
• Misurazione della Rugosità: Microscopia a forza atomica (AFM, Dimension)
• Fabbricazione di Motivi: Sistema di litografia a fascio di elettroni (Raith)

Indicatori di Valutazione

• Quantità di Incisione per Ciclo (EPC): Å/ciclo
• Effetto Sinergico: S = (EPC-(α+β))/EPC × 100%
• Rugosità della Superficie: Valore Ra
• Uniformità: Deviazione standard all'interno del wafer

Risultati Sperimentali

Risultati Principali

Prestazioni di Incisione

• EPC: 1,4 Å/ciclo, adattamento lineare R² ≈ 0,999
• Effetto Sinergico: S = 100% (α = 0, β = 0)
• Uniformità: Deviazione standard nell'area 4×4 cm ~0,5 nm
• Qualità della Superficie: Ra ≈ 0,7 nm, mantenendo bassa rugosità

Confronto con Tecnologie Esistenti

L'EPC di questo processo (1,4 Å/ciclo) è significativamente superiore ai metodi ALE al plasma riportati nel decennio passato:

• Plasma C$_4$F$_8$/Ar: 1,9-20 Å/ciclo
• Plasma CHF$_3$/Ar: 4,0-15 Å/ciclo
• La precisione di questo processo è vicina al livello dell'ALE termico (0,027-0,52 Å/ciclo)

Caratterizzazione della Finestra di Processo

Finestra di Temperatura

• Intervallo Stabile: Temperatura ambiente ~40°C, EPC rimane stabile
• Decadimento ad Alta Temperatura: >40°C, EPC diminuisce gradualmente, probabilmente dovuto alla deadsorbimento termico delle molecole di SF$_6$

Finestra di Potenza

• Intervallo Efficace: Potenza ICP 50-100 W
• Bassa Potenza: <50 W, energia insufficiente, EPC diminuisce
• Alta Potenza: >100 W, EPC diminuisce anomalamente, probabilmente dovuto alla diluizione della concentrazione di radicali F e alla dispersione elastica

Verifica dell'Incisione Direzionale

Esperimento con Micro-Nanocolonne

• Diametro della Colonna: 600 nm, altezza ~91 nm
• Risultato di Incisione: Dopo 450 cicli, l'altezza della colonna rimane invariata (89,6±1,00 nm), il diametro non cambia
• Incisione Verticale: Spessore totale inciso 62 nm, rapporto di anisotropia >27:1

Esperimento con Strutture di Fori

• Diametro del Foro: 0,6 μm e 1,2 μm
• Risultato: Il diametro del foro rimane invariato durante il processo di incisione, confermando le caratteristiche direzionali

Esperimenti di Ablazione

Test di Singolo Passaggio

1. Solo Esposizione a SF$_6$: EPC ≈ 0, nessun effetto di incisione
2. Solo Plasma Ar: EPC ≈ 0, nessuno sputtering fisico
3. Processo Combinato: EPC = 1,4 Å/ciclo

Dipendenza dalla Dose

• Dose di SF$_6$: Raggiunge saturazione a 25 sccm·s, dimostrando caratteristica auto-limitante
• Tempo di Plasma: 60 secondi è il parametro ottimale

Lavori Correlati

Sviluppo della Tecnologia ALE

1. Storia: Primo concetto di ALE proposto nel 1988, utilizzato per l'incisione del diamante
2. ALE Termico: Nel 2015, Lee e George hanno riportato il primo ALE termico di Al$_2$O$_3$
3. ALE al Plasma: Ampiamente applicato ma con effetto sinergico non ideale

Stato Attuale della Ricerca su ALE di SiO$_2$

1. Metodi Termici: Utilizzo di trimetilalluminio come precursore, EPC <1 Å/ciclo
2. Metodi al Plasma: Utilizzo di composti fluorocarburi per modificare la superficie, EPC 2-20 Å/ciclo
3. Incisione Termica a Infrarossi: Metodo ALE che combina effetti termici

Vantaggi di questo Lavoro

1. Maggiore Precisione: Raggiungimento della precisione a livello di ALE termico nell'ALE al plasma
2. Migliore Sinergia: 100% vs tradizionale ~80%
3. Processo Più Semplice: Evita la chimica complessa dei fluorocarburi
4. Operazione a Temperatura Ambiente: Riduce la complessità del processo

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

1. Sviluppo con successo del processo ALE SF$_6$/Ar plasma per SiO$_2$, realizzando incisione stabile di 1,4 Å/ciclo
2. Realizzazione di effetto sinergico del 100%, dimostrando l'alta purezza del processo
3. Determinazione della finestra di temperatura vicino a temperatura ambiente e finestra di potenza 50-100 W
4. Verifica di buone caratteristiche di incisione direzionale e qualità della superficie

Limitazioni

1. Limitazioni Materiali: Attualmente verificato solo su SiO$_2$, ulteriori ricerche necessarie su altri materiali
2. Dipendenza dall'Apparecchiatura: Richiede sistema RIE con controllo preciso
3. Velocità di Incisione: Rispetto all'RIE tradizionale, la velocità dell'ALE è inferiore, influenzando l'efficienza produttiva
4. Considerazioni di Costo: Il controllo preciso aumenta i costi del processo

Direzioni Future

1. Estensione Materiali: Esplorare l'applicazione di questo metodo su altri materiali dielettrici
2. Ottimizzazione del Processo: Ulteriore aumento della velocità di incisione e della selettività
3. Ricerca Meccanicistica: Comprensione più profonda del meccanismo di reazione del plasma SF$_6$/Ar
4. Industrializzazione: Sviluppo di parametri di processo adatti alla produzione su larga scala

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

1. Forte Innovazione Tecnica: Primo raggiungimento di ALE sinergico del 100% con SF$_6$/Ar plasma
2. Rigoroso Disegno Sperimentale: Verifica sistematica dell'effetto sinergico e caratterizzazione della finestra di processo
3. Forte Potere Persuasivo dei Risultati: Relazione lineare R²≈0,999, buona riproducibilità
4. Alto Valore Pratico: Utilizzo di apparecchiature commerciali e gas comuni, facile da promuovere

Insufficienze

1. Spiegazione Meccanicistica Non Sufficientemente Profonda: L'interpretazione della diminuzione di EPC ad alta potenza è piuttosto speculativa
2. Mancanza di Ricerca sulla Selettività: Non affrontate l'incisione selettiva su diversi materiali
3. Stabilità a Lungo Termine: Mancanza di dati sulla stabilità della ciclizzazione a lungo termine
4. Intervallo di Temperatura Limitato: La finestra di processo è relativamente ristretta

Impatto

1. Contributo Accademico: Fornisce una nuova rotta di processo per il campo dell'ALE
2. Valore Industriale: Fornisce una soluzione di incisione precisa per la produzione di semiconduttori avanzati
3. Riproducibilità: I parametri sperimentali dettagliati facilitano la riproduzione da parte di altri gruppi di ricerca

Scenari Applicabili

1. Fabbricazione di Dispositivi Quantistici: Strutture quantistiche che richiedono incisione precisa a livello atomico
2. Dispositivi Logici Avanzati: Lavorazione di precisione per nodi tecnologici a 10 nm e inferiori
3. Dispositivi MEMS: Sistemi microelettromeccanici che richiedono trattamento di superficie ad alta precisione
4. Dispositivi Optoelettronici: Elementi ottici con requisiti estremamente elevati di qualità della superficie

Bibliografia

Questo articolo cita 37 riferimenti correlati, coprendo la storia dello sviluppo della tecnologia ALE, metodi di incisione di SiO$_2$ e chimica del plasma, fornendo una base teorica solida per la ricerca.

Valutazione Complessiva: Questo è un articolo di ricerca di alta qualità nel campo della scienza dei materiali, che fornisce contributi importanti al campo dell'atomic layer etching. Questo lavoro non solo realizza un progresso tecnologico, ma possiede anche buon valore pratico e prospettive di industrializzazione.