2025-11-13T06:22:10.659187

Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function

Garrard, Hardy, daCunha et al.
Physically Unclonable Functions (PUFs) are a promising solution for identity verification and asymmetric encryption. In this paper, a new Resistive Random Access Memory (ReRAM) PUF-based protocol is presented to create a physical ReRAM PUF with a large challenge space. This protocol uses differential reads from unformed ReRAM as the method for response generation. Lastly, this paper also provides an experimental hardware demonstration of this protocol on a Physical ReRAM device, along with providing notable results as a PUF, with excellent performance characteristics.
academic

Utilizzo della Memoria ad Accesso Casuale Resistiva Preformata per Creare una Funzione Fisica Non Clonabile Robusta

Informazioni Fondamentali

  • ID Articolo: 2510.02643
  • Titolo: Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function
  • Autori: Jack Garrard, John F. Hardy II, Carlo daCunha, Mayank Bakshi (Northern Arizona University)
  • Classificazione: cs.CR (Crittografia e Sicurezza)
  • Data di Pubblicazione: 6 Ottobre 2025 (IEEE ACCESS)
  • Collegamento Articolo: https://arxiv.org/abs/2510.02643

Riassunto

Le funzioni fisiche non clonabili (PUF) rappresentano soluzioni promettenti per l'autenticazione e la crittografia asimmetrica. Questo articolo propone un nuovo protocollo basato su PUF a memoria ad accesso casuale resistiva (ReRAM) per creare PUF ReRAM fisiche con ampio spazio di sfida. Il protocollo utilizza la lettura differenziale di ReRAM non preformata come metodo di generazione della risposta. L'articolo fornisce inoltre una dimostrazione hardware sperimentale del protocollo su dispositivi ReRAM fisici, evidenziando caratteristiche di prestazione eccellenti come PUF.

Contesto di Ricerca e Motivazione

Definizione del Problema

La comunicazione sicura moderna richiede meccanismi affidabili di autenticazione e crittografia. I sistemi crittografici a chiave pubblica tradizionali si basano sulla distribuzione e l'archiviazione sicura delle chiavi private, ma le chiavi digitali sono facilmente replicabili e vulnerabili a fughe di dati, rendendo difficile il riemissione una volta compromesse.

Motivazione della Ricerca

  1. Fragilità delle Chiavi Digitali: Le chiavi tradizionali sono in forma digitale, replicabili e vulnerabili a minacce di fuga
  2. Limitazioni dei PUF SRAM:
    • Lo spazio di sfida scala linearmente, con dimensioni limitate
    • Espone direttamente informazioni segrete nelle risposte grezze
    • Richiede l'archiviazione dello spazio di risposta completo, impossibile ridurre la dimensione della registrazione tramite modellazione
  3. Necessità di Crittografia Post-Quantistica: Richiesta di fonti di dati casuali resistenti agli algoritmi quantistici

Limitazioni dei Metodi Esistenti

I PUF SRAM come soluzione attualmente dominante presentano i seguenti problemi:

  • Relazione lineare tra spazio di sfida e numero di celle di memoria, scarsa scalabilità
  • Risposta grezza che espone direttamente la casualità sottostante
  • Il processo di registrazione deve coprire lo spazio di risposta completo
  • Vulnerabile agli attacchi differenziali

Contributi Fondamentali

  1. Propone Nuovo Protocollo ReRAM PUF: Nuovo protocollo che utilizza celle ReRAM non preformate come elementi PUF
  2. Implementa Verifica Sperimentale Hardware: Dimostrazione hardware completa su dispositivi ReRAM fisici
  3. Amplia Significativamente lo Spazio di Sfida: Lo spazio di sfida scala quadraticamente con il numero di celle
  4. Raggiunge Eccellenti Indicatori di Prestazione: Realizza tassi di errore di bit estremamente bassi (<0,03%) e caratteristiche PUF eccellenti
  5. Non Richiede Produzione Personalizzata: Può utilizzare processi di produzione esistenti, saltando il passaggio di preformatura

Spiegazione Dettagliata del Metodo

Definizione del Compito

Progettare un sistema PUF robusto basato su ReRAM in cui l'ingresso è un flusso di byte di sfida e l'uscita è il corrispondente flusso di byte di risposta univoco, con requisiti di ampio spazio di sfida, basso tasso di errore di bit e forte sicurezza.

Fondamenti della Tecnologia ReRAM

Struttura e Principi di ReRAM

ReRAM adotta una struttura di stack di film metallo-isolante-metallo:

  • Cambia lo stato di resistenza attraverso la formazione e la rottura di filamenti conduttivi (CF)
  • Processo di preformatura: applica polarità positiva per formare percorsi di vacanze di ossigeno
  • Processi di reset/set: commuta tra stato ad alta resistenza (HRS) e stato a bassa resistenza (LRS)

Caratteristiche di ReRAM Non Preformata

Questo studio utilizza celle ReRAM non preformate:

  • Lo stato di resistenza è estremamente stabile e facile da misurare
  • Evita problemi di rilassamento dipendente dal tempo causati dalla diffusione dell'ossigeno
  • La variabilità di produzione fornisce una fonte naturale di casualità

Architettura del Protocollo Principale

1. Protocollo di Generazione della Sfida

Flusso di Generazione della Sfida:
1. Utilizza byte casuali e crittografia tramite SHA256 per generare dati iniziali
2. Analizza il pool di coppie di indirizzi (circa 1,5 volte la dimensione della chiave target)
3. Filtra celle con deviazione standard elevata
4. Verifica che la differenza delle coppie di celle sia sufficientemente grande per produrre risposte ripetibili
5. Genera maschera di stabilità per contrassegnare celle instabili

2. Meccanismo di Generazione della Risposta

Flusso di Generazione della Risposta:
1. Riceve byte casuali e maschera di stabilità
2. Rigenera coppie di indirizzi e applica filtro maschera
3. Esegue lettura differenziale su doppio chip ReRAM
4. Condiziona il segnale tramite circuito analogico e fornisce offset
5. Il comparatore analogico produce risposta a singolo bit
6. Concatena tutti i bit e restituisce hash

Punti di Innovazione Tecnica

1. Meccanismo di Lettura Differenziale

  • Utilizza due chip ReRAM per il confronto anziché misurazioni assolute
  • Genera risposte basate sul confronto di resistenza anziché sul valore di resistenza diretto
  • Isola efficacemente le informazioni di misura analogica sottostante

2. Espansione dello Spazio di Sfida Quadratica

Calcolo dello spazio di sfida: 4096 × 4096 × 8 × (1-0,33) × (1-0,12) ≈ 80.000.000 coppie di celle Numero finale di CRP: circa (8×10^7)^256

3. Strategia di Filtro Adattivo

  • Filtro a livello di cella: soglia di deviazione standard 30 conteggi ADC
  • Filtro a livello di coppia: differenza maggiore di 2 volte la somma delle deviazioni standard
  • Generazione dinamica della maschera di stabilità

Configurazione Sperimentale

Piattaforma Hardware

  • Chip ReRAM: CrossBar Al/Al2O3/W configurazione 1R1T
  • Specifiche dell'Array: Array di test 1kb×4, 32 linee di parola, 128 bit
  • Intervallo di Corrente: 105-793 nA (8 valori preselezionati)
  • Limite di Tensione: Massimo 1,5V per prevenire preformatura accidentale
  • PCB Personalizzato: Condizionamento del segnale e comparatore analogico

Indicatori di Valutazione

  1. Tasso di Errore di Bit (BER): Distanza di Hamming tra risposta registrata e risposta effettiva
  2. Affidabilità: Coerenza della risposta ripetuta per la stessa sfida
  3. Unicità: Casualità della risposta tra diversi PUF (valore ideale 50%)
  4. Diffusione: Casualità tra diverse sfide dello stesso PUF
  5. Uniformità: Distribuzione equilibrata di 0 e 1 nella risposta

Parametri Sperimentali

  • Campioni di Registrazione: 50 campionamenti per cella
  • Scala di Test: 7 chip, 8 valori di corrente, 1000 CRP
  • Parametri di Filtro: Soglia di deviazione standard della cella 30, soglia di moltiplicatore di coppia 2

Risultati Sperimentali

Indicatori di Prestazione Principale

IndicatoreRisultatoValore IdealeDeviazione Standard
Tasso di Errore di Bit (BER)3,23×10^-2%0%0,11%
Affidabilità5,78×10^-2%0%0,15%
Unicità50,02%50%2,28%
Diffusione50,02%50%2,21%
Uniformità49,93%50%3,25%

Analisi della Dipendenza dalla Corrente

Prestazioni BER a diverse correnti:

  • 105 nA: 2,563×10^-4
  • 793 nA: 4,055×10^-4
  • Tendenza: Con l'aumento della corrente, il BER aumenta leggermente ma rimane estremamente basso

Analisi del Consumo di Potenza

  • Consumo di potenza per generazione di sfida-risposta: livello microwatt
  • Singola lettura di tensione: <40 nW
  • Consumo di potenza totale: <1 mW, adatto per dispositivi client

Confronto con Altre Tecnologie PUF

Tipo di PUFSpazio di SfidaBERAffidabilitàUnicità
ReRAM di questo articolo3,23×10^-25,78×10^-250,02±2,28
ReRAM di riferimento132N10^-6250±3
STT-MRAM272²ᴺ-0,98±0,5649,96±7,40

Lavori Correlati

Sviluppo della Tecnologia PUF

  1. PUF SRAM: Attualmente dominante, ma lo spazio di sfida cresce linearmente
  2. Varianti di PUF ReRAM:
    • PUF ReRAM preformato: Problemi di affidabilità e diffusione
    • Protocollo con cella di riferimento: Spazio di sfida lineare, basso utilizzo del chip
  3. Altre PUF a Memoria: Tecnologie emergenti come STT-MRAM

Vantaggi di questo Articolo

  1. Spazio di Sfida: Crescita quadratica vs crescita lineare
  2. Compatibilità di Produzione: Non richiede processi personalizzati
  3. Sicurezza: Misura indiretta previene la fuga di informazioni
  4. Efficienza Energetica: Consumo di potenza estremamente basso adatto per applicazioni IoT

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

  1. Implementazione riuscita del protocollo PUF robusto basato su ReRAM non preformato
  2. Raggiungimento di eccellenti indicatori di prestazione: BER < 0,03%, tutte le caratteristiche PUF prossime ai valori ideali
  3. Realizzazione dell'espansione dello spazio di sfida quadratica, significativamente superiore ai PUF SRAM esistenti
  4. Non richiede processi di produzione personalizzati, con potenziale di praticità

Limitazioni

  1. Dipendenza Hardware: Richiede chip ReRAM specializzati e circuiti analogici
  2. Sensibilità alla Temperatura: Sebbene ReRAM non preformato sia relativamente stabile, richiede ulteriore verifica
  3. Verifica su Scala: Gli esperimenti attuali si basano su dimensioni di array relativamente piccole
  4. Stabilità a Lungo Termine: Richiede test di stabilità più lunghi

Direzioni Future

  1. Generatore di Numeri Casuali Veri: Utilizzo di celle ad alta deviazione standard per generazione continua di bit casuali
  2. Modellazione Migliorata: Sviluppo di modelli precisi della relazione tra celle ReRAM e corrente
  3. Design Miniaturizzato: Creazione di dispositivi tokenizzati per applicazioni pratiche
  4. Integrazione con Reti Neurali: Combinazione con reti neurali hardware basate su ReRAM

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

  1. Forte Innovazione Tecnica: Primo utilizzo sistematico di ReRAM non preformato per implementare PUF robusto
  2. Verifica Sperimentale Completa: Implementazione hardware completa e valutazione prestazioni comprensiva
  3. Alto Valore Pratico: Risolve le limitazioni critiche dei PUF SRAM
  4. Eccellente Progettazione della Sicurezza: Il meccanismo di lettura differenziale previene efficacemente la fuga di informazioni

Insufficienze

  1. Considerazioni di Costo Insufficienti: Il costo dei chip ReRAM potrebbe essere superiore a quello dell'SRAM
  2. Adattabilità Ambientale: Mancanza di test di stabilità in diverse condizioni ambientali
  3. Analisi del Modello di Attacco: Analisi insufficiente della resistenza ai metodi di attacco avanzati
  4. Grado di Standardizzazione: Mancanza di analisi di compatibilità con standard PUF esistenti

Valutazione dell'Impatto

  1. Contributo Accademico: Fornisce un nuovo percorso tecnologico per il campo dei PUF
  2. Valore Industriale: Potrebbe promuovere l'applicazione di ReRAM nei chip di sicurezza
  3. Riproducibilità: La configurazione sperimentale dettagliata facilita la riproduzione da parte di altri ricercatori
  4. Prospettive di Applicazione: Particolarmente adatto per dispositivi IoT e applicazioni di reti neurali hardware

Scenari Applicabili

  1. Autenticazione di Dispositivi IoT: Le caratteristiche a basso consumo di potenza sono adatte per dispositivi con risorse limitate
  2. Moduli di Sicurezza Hardware: Può essere integrato in chip di sicurezza
  3. Calcolo Edge: Funziona in sinergia con reti neurali ReRAM
  4. Sicurezza della Catena di Approvvigionamento: Identificazione dell'impronta digitale del dispositivo e prevenzione della contraffazione

Bibliografia

Questo articolo cita 28 articoli correlati, coprendo importanti lavori in molteplici campi inclusa la tecnologia PUF, dispositivi ReRAM e protocolli crittografici, fornendo una base teorica solida per la ricerca.


Valutazione Complessiva: Questo è un articolo di ricerca sulla sicurezza hardware di alta qualità che propone una soluzione innovativa di PUF ReRAM, verificando l'efficacia del metodo attraverso esperimenti hardware completi. L'articolo dimostra prestazioni eccellenti in innovazione tecnica, verifica sperimentale e valore pratico, fornendo un contributo importante allo sviluppo della tecnologia PUF.