HEMT AlGaN/GaN a Porta Incassata Polarità Ga Senza Passivazione su Zaffiro con 2,8 W/mm POUT e 26,8% PAE a 94 GHz

Informazioni Fondamentali

• ID Articolo: 2510.08933
• Titolo: HEMT AlGaN/GaN a Porta Incassata Polarità Ga Senza Passivazione su Zaffiro con 2,8 W/mm POUT e 26,8% PAE a 94 GHz
• Autori: Ruixin Bai, Swarnav Mukhopadhyay, Michael Elliott, Ryan Gilbert, Jiahao Chen, Rafael A. Choudhury, Kyudong Kim, Yu-Chun Wang, Ahmad E. Islam, Andrew J. Green, Shubhra S. Pasayat, Chirag Gupta
• Istituzioni: University of Wisconsin-Madison, KBR, Air Force Research Laboratory
• Classificazione: physics.app-ph
• Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2510.08933

Riassunto

Questo studio presenta un dispositivo HEMT AlGaN/GaN a porta incassata polarità Ga senza passivazione su substrato di zaffiro, progettato specificamente per applicazioni in banda W. Il dispositivo impiega una barriera Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N di 5,5 nm sotto la porta e una barriera Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N di 31 nm nella regione di accesso della porta. Il dispositivo ha raggiunto una densità di corrente di drenaggio di 1,8 A/mm, una transconduttanza di picco di 750 mS/mm e un rapporto di commutazione elevato di 10⁷. La caratterizzazione a piccolo segnale ha mostrato una frequenza di taglio del guadagno di corrente di 127 GHz e una frequenza massima di oscillazione di 203 GHz. Nei test di trasmissione di carico in onda continua a 94 GHz, il dispositivo ha dimostrato una densità di potenza di uscita di 2,8 W/mm e un'efficienza di potenza aggiunta (PAE) del 26,8%, entrambi i valori più alti riportati per HEMT GaN polarità Ga su substrato di zaffiro, paragonabili alle prestazioni degli HEMT GaN polarità Ga avanzati su substrato SiC.

Contesto di Ricerca e Motivazione

Definizione del Problema

La banda W (75-110 GHz) riveste un'importanza cruciale nei radar ad alta risoluzione, nelle comunicazioni satellitari e nei sistemi wireless emergenti. I dispositivi GaN HEMT tradizionali affrontano sfide nel realizzare simultaneamente operazioni ad alta frequenza e controllo efficace della dispersione, con i principali problemi includenti:

1. Problemi di capacità parassita causati da strati di passivazione spessi: Lo strato di passivazione spesso degli HEMT GaN tradizionali induce elevate capacità parassite, ostacolando il raggiungimento simultaneo di frequenze di lavoro elevate e controllo efficace della dispersione
2. Problema del costo del substrato: Il costo elevato del substrato SiC limita l'applicazione su larga scala
3. Complessità dei dispositivi polarità N: Sebbene gli HEMT GaN polarità N mostrino prestazioni eccellenti, il loro processo di crescita e fabbricazione è più complesso rispetto ai dispositivi polarità Ga tradizionali

Motivazione della Ricerca

1. Riduzione dei costi: Utilizzo di substrato di zaffiro a basso costo al posto del costoso substrato SiC
2. Semplificazione del processo: L'adozione di strutture polarità Ga presenta un design dell'epitassia e un processo di fabbricazione più semplici rispetto alla polarità N
3. Avanzamento delle prestazioni: Realizzazione di prestazioni in banda W su substrato di zaffiro paragonabili a quelle su substrato SiC

Contributi Principali

1. Dimostrazione per la prima volta di eccellenti prestazioni in banda W di HEMT AlGaN/GaN a porta incassata polarità Ga senza passivazione su substrato di zaffiro
2. Progettazione innovativa della struttura epitassiale: Utilizzo di uno strato di barriera Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N di 31 nm per realizzare una struttura a porta profondamente incassata senza aumentare la resistenza dello strato sottile
3. Indici di prestazione da record: Realizzazione di una densità di potenza di uscita di 2,8 W/mm e PAE del 26,8% a 94 GHz, i valori più alti per HEMT GaN polarità Ga su substrato di zaffiro
4. Progettazione senza passivazione: Controllo ragionevole della dispersione attraverso una struttura profondamente incassata, evitando la capacità parassita di strati dielettrici aggiuntivi

Dettagli Metodologici

Progettazione della Struttura del Dispositivo

Struttura dello Strato Epitassiale

• Substrato: Strato buffer GaN semi-isolante drogato con ferro su substrato di zaffiro
• Strato di canale: GaN non intenzionalmente drogato (UID) di 1 μm
• Strato intermedio: AlN di 0,7 nm
• Strato di barriera: Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N di 31 nm

Parametri Geometrici del Dispositivo

• Distanza source-drain (Lsd): 0,5 μm
• Distanza source-gate (Lsg): 100 nm
• Lunghezza della porta (Lg): 90 nm
• Spessore della barriera dopo incasso: ~5,5 nm

Flusso del Processo di Fabbricazione

1. Ricrescita della regione omica n+: Formazione di contatti ohmici a bassa resistenza
2. Isolamento della mesa: Utilizzo di attacco ionico reattivo (RIE) BCl₃/Cl₂
3. Deposizione della maschera dura: SiO₂ di 200 nm come maschera dura
4. Definizione della porta: Litografia a fascio di elettroni (EBL) per definire la porta
5. Incasso della barriera: RIE BCl₃/Cl₂ a bassa potenza fino a uno spessore di 5,5 nm
6. Strato dielettrico della porta: HfO₂ di 4 nm mediante deposizione a strato atomico (ALD) a 250°C
7. Metallo della porta: TiN di 50 nm, deposizione ALD a 275°C
8. Testa della porta a T: Evaporazione a fascio di elettroni Cr/Au
9. Rimozione della maschera dura: Attacco dell'ossido tamponato (BOE)
10. Contatto omico: Evaporazione a fascio di elettroni Ti/Au

Punti di Innovazione Tecnica

Progettazione della Struttura Profondamente Incassata

Attraverso l'incisione dello strato di barriera originale di 31 nm fino a 5,5 nm, si è realizzato:

• Miglioramento del rapporto di aspetto tra la lunghezza della porta e la distanza porta-canale
• Miglioramento della capacità di controllo della porta
• Creazione di una differenza di tensione di soglia tra la regione della porta e la regione di accesso della porta, compensando l'effetto della porta virtuale

Vantaggi della Progettazione Senza Passivazione

• Eliminazione della capacità parassita di strati dielettrici aggiuntivi
• Realizzazione di una frequenza di taglio più elevata a una lunghezza di porta data
• Semplificazione del processo di fabbricazione

Configurazione Sperimentale

Condizioni di Test

• Test delle caratteristiche DC: Misurazione standard delle caratteristiche I-V
• Test I-V pulsato: Larghezza di impulso 50 μs, ciclo di lavoro 1%, polarizzazione statica Vgsq=-3V, Vdsq=5V
• Test dei parametri S: Da 100 MHz a 43,5 GHz, calibrazione SOLT
• Test di trasmissione di carico: Onda continua a 94 GHz, calibrazione TRL

Indici di Valutazione

• Densità di corrente di drenaggio (ID)
• Transconduttanza di picco (gm)
• Rapporto di commutazione (Ion/Ioff)
• Frequenza di taglio del guadagno di corrente (ft)
• Frequenza massima di oscillazione (fmax)
• Densità di potenza di uscita (POUT)
• Efficienza di potenza aggiunta (PAE)

Risultati Sperimentali

Prestazioni delle Caratteristiche DC

• Densità di corrente di drenaggio massima: ~1,8 A/mm
• Resistenza di conduzione: 0,41 Ω·mm
• Resistenza di contatto: ~0,1 Ω·mm (realizzata attraverso contatti ohmici ricresciuti)
• Transconduttanza di picco: 0,75 S/mm
• Rapporto di commutazione: ~10⁷

Analisi della Resistenza dello Strato Sottile

La resistenza dello strato sottile nella regione incassata è aumentata da ~250 Ω/□ a ~320 Ω/□, con un aumento moderato e entro un intervallo accettabile.

Prestazioni di Controllo della Dispersione

I test I-V pulsati hanno mostrato:

• Solo una leggera deriva del punto di ginocchio osservata
• Nessun significativo crollo di corrente
• Leggera degradazione della corrente a bassa polarizzazione di drenaggio (~15%), ma diminuisce all'aumentare di Vds

Caratteristiche ad Alta Frequenza

Nelle condizioni Vgs=-3V, Vds=6V:

• Frequenza di taglio del guadagno di corrente (ft): 127 GHz
• Frequenza massima di oscillazione (fmax): 203 GHz

Prestazioni di Potenza in Banda W

Risultati del test di trasmissione di carico in onda continua a 94 GHz:

Analisi Comparativa delle Prestazioni

Confronto con dispositivi GaN HEMT riportati nell'intervallo 83-95 GHz:

• Superamento dei dispositivi polarità N su substrato di zaffiro precedenti
• Prestazioni paragonabili ad alcuni dispositivi polarità Ga su substrato SiC
• Prestazioni più elevate per HEMT GaN polarità Ga su substrato di zaffiro

Lavori Correlati

Sviluppo degli HEMT GaN Polarità N

• Substrato SiC: 8,84 W/mm di potenza di uscita, 27% PAE
• Substrato di zaffiro: 5,8 W/mm di potenza di uscita, 38% PAE
• Ma con elevata complessità di fabbricazione e forte affinità per l'ossigeno

Stato Attuale degli HEMT GaN Polarità Ga

• Prestazioni eccellenti su substrato SiC:
  • HEMT con canale graduale pre-abbinato: 2,94 W/mm, 37% PAE
  • HEMT con barriera ScAlN: 3,57 W/mm, 24,3% PAE
• Mancanza di risultati comparabili su substrato di zaffiro

Sfide della Struttura a Porta Incassata

Nei dispositivi polarità Ga tradizionali, il cappuccio GaN aumenta la resistenza dello strato sottile, influenzando le prestazioni RF. Questo lavoro ha risolto questo problema attraverso una progettazione dello strato di barriera spesso.

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

1. Dimostrazione riuscita di HEMT AlGaN/GaN a porta incassata polarità Ga senza passivazione su substrato di zaffiro
2. Realizzazione di prestazioni da record di 2,8 W/mm di densità di potenza di uscita e 26,8% PAE a 94 GHz
3. Dimostrazione dell'efficace controllo della dispersione della struttura profondamente incassata in condizioni senza passivazione

Limitazioni

1. Ancora differenza di prestazioni rispetto ai dispositivi polarità N più recenti: I dispositivi polarità N su substrato di zaffiro più recenti mostrano ancora prestazioni superiori
2. Effetti di auto-riscaldamento: Le limitazioni della conducibilità termica del substrato di zaffiro richiedono il controllo della corrente di drenaggio statica per mitigare l'auto-riscaldamento
3. Effetti di canale corto: Il dispositivo presenta alcuni effetti di canale corto che influenzano le prestazioni

Direzioni Future

1. Ottimizzazione del processo di fabbricazione: Ulteriore ottimizzazione del processo di fabbricazione per ridurre il divario di prestazioni con i dispositivi su substrato SiC
2. Miglioramento della gestione termica: Sviluppo di migliori tecnologie di gestione termica per sfruttare pienamente il potenziale del dispositivo
3. Ottimizzazione della struttura: Continua ottimizzazione della struttura epitassiale e dei parametri geometrici del dispositivo

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

1. Forte innovazione tecnica: Prima realizzazione di prestazioni così elevate in banda W di HEMT GaN polarità Ga su substrato di zaffiro
2. Alto valore pratico: Substrato a basso costo + processo semplificato, con forti prospettive di industrializzazione
3. Progettazione sperimentale completa: Caratterizzazione completa da DC ad alta frequenza, da piccolo segnale a grande segnale
4. Analisi comparativa sufficiente: Analisi comparativa dettagliata con la tecnologia esistente

Insufficienze

1. Profondità limitata dell'analisi teorica: L'analisi teorica del meccanismo di controllo della dispersione della struttura profondamente incassata potrebbe essere più approfondita
2. Mancanza di affidabilità a lungo termine: Assenza di dati sulla affidabilità e stabilità a lungo termine del dispositivo
3. Dettagli del processo insufficienti: Descrizione non sufficientemente dettagliata di alcuni parametri critici del processo di fabbricazione

Impatto

1. Contributo accademico: Apertura di un nuovo percorso per dispositivi a onde millimetriche ad alte prestazioni e basso costo
2. Valore industriale: Fornitura di una soluzione più conveniente per applicazioni commerciali a onde millimetriche
3. Ispirazione tecnica: Dimostrazione che un design ragionevole può realizzare alte prestazioni su substrati a basso costo

Scenari Applicabili

1. Sistemi commerciali di comunicazione a onde millimetriche: Applicazioni su larga scala sensibili ai costi
2. Sistemi radar: Applicazioni che richiedono elevata densità di potenza
3. Comunicazioni satellitari: Applicazioni di amplificatori di potenza in banda W

Riferimenti Bibliografici

L'articolo cita 29 riferimenti correlati, coprendo principalmente:

• Ricerca fondamentale su HEMT GaN 1
• Sviluppo della tecnologia polarità N GaN 2-8
• Dispositivi di potenza in banda W 9-29
• Ricerca correlata alla fisica dei dispositivi e ai processi di fabbricazione

Valutazione Complessiva: Questo è un articolo di ricerca di alta qualità in fisica applicata con importanti contributi sia in innovazione tecnica che in valore pratico. Attraverso un design strutturale intelligente e l'ottimizzazione del processo, ha realizzato prestazioni paragonabili ai substrati ad alto costo su substrati a basso costo, fornendo un importante riferimento per lo sviluppo industriale dei dispositivi a onde millimetriche.