High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization
Deng, Yue, Liu et al.
High bandwidth and low dark current germanium (Ge) photodetectors are crucial in silicon photonic integrated circuits. The bandwidth of Ge photodetectors is restricted by carrier transit time and parasitic parameters. And thermal generation of carriers within the Ge P-N junction results in an inherent dark current, typically in nA-μA range. Here, we propose an equalization photodetector (EqPD) utilizing the frequency response of a high-bandwidth photodetector PDA to subtract the frequency response of a low-bandwidth photodetector PDB. With the response of PDB attenuating more severely than PDA at high frequency, the differential response (the response of EqPD) can get higher values at high-frequency than at low-frequency. The dark current of EqPD can also be significantly reduced with PDB balancing the dark current of PDA. Experimental results show that the bandwidth of our proposed photodetector can be expanded to over 110 GHz with a dark current of 1 pA simultaneously, and its Non-Return-to-Zero (NRZ) transmission speed can reach 100 Gbaud without digital signal processing. To the best of our knowledge, this represents the highest bandwidth and lowest dark current in a vertical Ge photodetector. The high-performance EqPD provides a promising solution for high-speed and ultra-low noise photodetection in next-generation optical communication.
academic
Fotorivvelatore Ge ad Alta Larghezza di Banda e Corrente di Buio Ultra-bassa Abilitato dall'Equalizzazione nel Dominio della Frequenza
Istituzioni di Affiliazione: Scuola di Ingegneria dell'Informazione ed Elettronica, Università di Zhejiang; Laboratorio Nazionale di Ricerca Chiave di Fotonica Estrema e Strumentazione; Laboratorio Nazionale di Ricerca Chiave di Fotonicamicroonde, Università Aeronautica e Astronautica di Nanchino
Questo articolo propone un fotorivvelatore in germanio (Ge) basato sull'equalizzazione nel dominio della frequenza, che migliora le prestazioni sfruttando la risposta in frequenza di un fotorivvelatore ad alta larghezza di banda (PDA) sottratta dalla risposta in frequenza di un fotorivvelatore a bassa larghezza di banda (PDB). Poiché PDB presenta un'attenuazione maggiore alle alte frequenze rispetto a PDA, la risposta differenziale raggiunge valori più elevati alle alte frequenze rispetto alle basse frequenze. I risultati sperimentali dimostrano che il fotorivvelatore equalizzato (EqPD) può estendere la larghezza di banda oltre 110 GHz, ridurre la corrente di buio a 1 pA e raggiungere velocità di trasmissione NRZ (Non-Return-to-Zero) di 100 Gbaud senza richiedere elaborazione del segnale digitale.
Limitazione della Larghezza di Banda: La larghezza di banda del fotorivvelatore in germanio è principalmente limitata da due fattori: il tempo di transito dei portatori e i parametri parassiti (RC). Il trasporto dei portatori dalla regione intrinseca alla regione drogata richiede tempo, correlato alla lunghezza della regione intrinseca della giunzione P-N; i parametri parassiti includono principalmente la resistenza del silicio e la capacità della giunzione.
Problema della Corrente di Buio: La generazione termica dei portatori all'interno della giunzione P-N in germanio causa una corrente di buio intrinseca, tipicamente nell'intervallo nanoampere-microampere, composta da corrente di diffusione, corrente di generazione-ricombinazione, corrente di tunneling tra bande e corrente di tunneling assistita da trappole.
La domanda massiccia di elaborazione dati da parte dell'intelligenza artificiale e del cloud computing presenta sfide significative nella comunicazione dati. La fotonica su silicio, con i suoi vantaggi di compatibilità con i processi CMOS, alta densità di integrazione, basso consumo energetico e basso costo, offre una soluzione promettente per affrontare questo problema.
Metodo di Restringimento della Regione Intrinseca: Sebbene possa raggiungere una larghezza di banda fino a 265 GHz, la corrente di buio è circa 200 nanoampere e la fabbricazione di una regione intrinseca stretta di 100 nm è estremamente impegnativa
Ottimizzazione dei Parametri RC: Attraverso l'adeguamento delle dimensioni della regione Ge e del drogaggio del silicio, ma rimane limitata dal tempo di transito dei portatori
Metodo dell'Induttore: Utilizza induttori per ridurre l'effetto della capacità della giunzione, ma presenta complessità di fabbricazione e difficoltà di adattamento dei parametri
Proposta di un'Architettura Innovativa del Fotorivvelatore Equalizzato (EqPD): Utilizza una struttura differenziale per realizzare l'equalizzazione nel dominio della frequenza, superando i limiti di larghezza di banda tradizionali
Realizzazione dei Massimi Indicatori di Prestazione per Fotorivvelatori Ge Verticali: Larghezza di banda superiore a 110 GHz e corrente di buio di soli 1 pA
Verifica della Capacità di Trasmissione NRZ a 100 Gbaud: Raggiungimento di trasmissione dati ad alta velocità senza richiedere elaborazione del segnale digitale
Fornitura di Analisi Teorica e Verifica Sperimentale: Stabilimento di un modello di circuito equivalente completo e analisi della funzione di trasferimento
Corrente di Tunneling Assistita da Trappole: I_TAT
Applicando diverse tensioni di polarizzazione a PDA e PDB, è possibile far sì che le loro correnti di buio si annullino reciprocamente, realizzando una corrente di buio ultra-bassa.
Attraverso il controllo preciso della tensione di polarizzazione di PDA e PDB, si realizza l'annullamento preciso della corrente di buio, verificando l'accuratezza delle previsioni teoriche.
Prima Proposta del Concetto di Equalizzazione nel Dominio della Frequenza: Utilizzo di struttura differenziale per realizzare l'estensione della larghezza di banda
Superamento dei Limiti Fisici: Superamento dei limiti del tempo di transito dei portatori e dei parametri RC
Processo di Fabbricazione Semplice: Senza richiedere processi di fabbricazione nanometrica complessi
Forte Generalità: Applicabile a vari tipi di fotorivvelatori
Avanzamento Tecnologico: Realizzazione per la prima volta di larghezza di banda >110 GHz nei fotorivvelatori Ge verticali
Soppressione della Corrente di Buio: Realizzazione di corrente di buio ultra-bassa di 1 pA, 3 ordini di grandezza inferiore alle strutture tradizionali
Valore Pratico: Verifica della trasmissione NRZ a 100 Gbaud dimostra il potenziale di applicazione pratica
Contributo Teorico: Stabilimento di un quadro teorico completo di equalizzazione nel dominio della frequenza
Innovazione Eccezionale: Prima proposta del concetto di equalizzazione nel dominio della frequenza, aprendo nuove prospettive per la progettazione di fotorivvelatori
Prestazioni Eccellenti: Realizzazione di avanzamenti significativi negli indicatori chiave, raggiungendo il livello più elevato del settore
Teoria Completa: Stabilimento di un modello teorico completo e analisi del circuito equivalente
Esperimenti Esaustivi: Progettazione sperimentale completa dalle caratteristiche del dispositivo alla verifica a livello di sistema
Alto Valore Pratico: Direttamente applicabile ai sistemi di comunicazione ottica ad alta velocità di prossima generazione
L'articolo cita 28 importanti riferimenti bibliografici, coprendo i progressi più recenti nei campi della fotonica su silicio, della progettazione di fotorivvelatori e delle comunicazioni ottiche ad alta velocità, fornendo una base teorica solida e un confronto tecnico per questo lavoro.
Valutazione Complessiva: Questo è un articolo eccellente con significato di avanzamento importante nel campo dei fotorivvelatori. Il concetto di equalizzazione nel dominio della frequenza proposto dagli autori è innovativo e unico, e i risultati sperimentali sono impressionanti, con analisi teorica approfondita. Questo lavoro non solo realizza un avanzamento significativo dal punto di vista tecnico, ma più importante ancora, fornisce una prospettiva di progettazione completamente nuova per il settore, con importante valore accademico e pratico.