2025-11-14T18:19:11.520419

High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization

Deng, Yue, Liu et al.
High bandwidth and low dark current germanium (Ge) photodetectors are crucial in silicon photonic integrated circuits. The bandwidth of Ge photodetectors is restricted by carrier transit time and parasitic parameters. And thermal generation of carriers within the Ge P-N junction results in an inherent dark current, typically in nA-μA range. Here, we propose an equalization photodetector (EqPD) utilizing the frequency response of a high-bandwidth photodetector PDA to subtract the frequency response of a low-bandwidth photodetector PDB. With the response of PDB attenuating more severely than PDA at high frequency, the differential response (the response of EqPD) can get higher values at high-frequency than at low-frequency. The dark current of EqPD can also be significantly reduced with PDB balancing the dark current of PDA. Experimental results show that the bandwidth of our proposed photodetector can be expanded to over 110 GHz with a dark current of 1 pA simultaneously, and its Non-Return-to-Zero (NRZ) transmission speed can reach 100 Gbaud without digital signal processing. To the best of our knowledge, this represents the highest bandwidth and lowest dark current in a vertical Ge photodetector. The high-performance EqPD provides a promising solution for high-speed and ultra-low noise photodetection in next-generation optical communication.
academic

Fotorivvelatore Ge ad Alta Larghezza di Banda e Corrente di Buio Ultra-bassa Abilitato dall'Equalizzazione nel Dominio della Frequenza

Informazioni Fondamentali

  • ID Articolo: 2510.13478
  • Titolo: High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization
  • Autori: Wenxin Deng, Hengsong Yue, Xiaoyan Liu, Jianhong Liang, Jianbin Fu, Shilong Pan, Tao Chu
  • Classificazione: physics.optics
  • Istituzioni di Affiliazione: Scuola di Ingegneria dell'Informazione ed Elettronica, Università di Zhejiang; Laboratorio Nazionale di Ricerca Chiave di Fotonica Estrema e Strumentazione; Laboratorio Nazionale di Ricerca Chiave di Fotonicamicroonde, Università Aeronautica e Astronautica di Nanchino
  • Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2510.13478

Riassunto

Questo articolo propone un fotorivvelatore in germanio (Ge) basato sull'equalizzazione nel dominio della frequenza, che migliora le prestazioni sfruttando la risposta in frequenza di un fotorivvelatore ad alta larghezza di banda (PDA) sottratta dalla risposta in frequenza di un fotorivvelatore a bassa larghezza di banda (PDB). Poiché PDB presenta un'attenuazione maggiore alle alte frequenze rispetto a PDA, la risposta differenziale raggiunge valori più elevati alle alte frequenze rispetto alle basse frequenze. I risultati sperimentali dimostrano che il fotorivvelatore equalizzato (EqPD) può estendere la larghezza di banda oltre 110 GHz, ridurre la corrente di buio a 1 pA e raggiungere velocità di trasmissione NRZ (Non-Return-to-Zero) di 100 Gbaud senza richiedere elaborazione del segnale digitale.

Contesto di Ricerca e Motivazione

Definizione del Problema

  1. Limitazione della Larghezza di Banda: La larghezza di banda del fotorivvelatore in germanio è principalmente limitata da due fattori: il tempo di transito dei portatori e i parametri parassiti (RC). Il trasporto dei portatori dalla regione intrinseca alla regione drogata richiede tempo, correlato alla lunghezza della regione intrinseca della giunzione P-N; i parametri parassiti includono principalmente la resistenza del silicio e la capacità della giunzione.
  2. Problema della Corrente di Buio: La generazione termica dei portatori all'interno della giunzione P-N in germanio causa una corrente di buio intrinseca, tipicamente nell'intervallo nanoampere-microampere, composta da corrente di diffusione, corrente di generazione-ricombinazione, corrente di tunneling tra bande e corrente di tunneling assistita da trappole.

Importanza della Ricerca

La domanda massiccia di elaborazione dati da parte dell'intelligenza artificiale e del cloud computing presenta sfide significative nella comunicazione dati. La fotonica su silicio, con i suoi vantaggi di compatibilità con i processi CMOS, alta densità di integrazione, basso consumo energetico e basso costo, offre una soluzione promettente per affrontare questo problema.

Limitazioni dei Metodi Esistenti

  • Metodo di Restringimento della Regione Intrinseca: Sebbene possa raggiungere una larghezza di banda fino a 265 GHz, la corrente di buio è circa 200 nanoampere e la fabbricazione di una regione intrinseca stretta di 100 nm è estremamente impegnativa
  • Ottimizzazione dei Parametri RC: Attraverso l'adeguamento delle dimensioni della regione Ge e del drogaggio del silicio, ma rimane limitata dal tempo di transito dei portatori
  • Metodo dell'Induttore: Utilizza induttori per ridurre l'effetto della capacità della giunzione, ma presenta complessità di fabbricazione e difficoltà di adattamento dei parametri

Contributi Principali

  1. Proposta di un'Architettura Innovativa del Fotorivvelatore Equalizzato (EqPD): Utilizza una struttura differenziale per realizzare l'equalizzazione nel dominio della frequenza, superando i limiti di larghezza di banda tradizionali
  2. Realizzazione dei Massimi Indicatori di Prestazione per Fotorivvelatori Ge Verticali: Larghezza di banda superiore a 110 GHz e corrente di buio di soli 1 pA
  3. Verifica della Capacità di Trasmissione NRZ a 100 Gbaud: Raggiungimento di trasmissione dati ad alta velocità senza richiedere elaborazione del segnale digitale
  4. Fornitura di Analisi Teorica e Verifica Sperimentale: Stabilimento di un modello di circuito equivalente completo e analisi della funzione di trasferimento

Dettagli del Metodo

Progettazione dell'Architettura del Dispositivo

L'EqPD è composto da due fotorivvelatori differenziali:

  • PDA: Area Ge più piccola, con capacità inferiore e larghezza di banda superiore
  • PDB: Area Ge più grande, con capacità superiore e larghezza di banda inferiore
  • Elettrodo Comune: Collega N++Ge di PDA e P++Si di PDB, con polarità di drogaggio opposta, realizzando la sottrazione della corrente
  • MZI Sintonizzabile Termicamente: Controlla il rapporto di distribuzione della potenza ottica tra le due regioni Ge

Modello Teorico

Funzione di Trasferimento

La funzione di trasferimento di EqPD è:

H_Eq(f) = H_t(f)[(1-m)H_a(f) - mH_b(f)]

dove:

  • m: rapporto della potenza ottica incidente allocata a PDB
  • H_t(f): funzione di trasferimento controllata dai portatori
  • H_a(f), H_b(f): funzioni di trasferimento controllate dai parametri parassiti RC di PDA e PDB

Funzione di Trasferimento dei Portatori

H_t(f) = 1/(1 + 2πjfR_tC_t)

Funzione di Trasferimento RC

H_i(f) = X_j/[(1 + 2πjfC_p R_load)(X_i + X_j) + 2πjfC_i R_load X_j + X_i + X_j]

Meccanismo di Soppressione della Corrente di Buio

La corrente di buio è principalmente composta da quattro componenti:

  1. Corrente di Diffusione: I_Diff = (qD_n n_p^0)/L_n + (qD_p p_n^0)/L_p × e^(qV_d/KT) - 1
  2. Corrente di Generazione-Ricombinazione: I_GR = (Aqd_i n_i)/(2τ) × e^(qV_d/2KT) - 1
  3. Corrente di Tunneling tra Bande: I_BBT
  4. Corrente di Tunneling Assistita da Trappole: I_TAT

Applicando diverse tensioni di polarizzazione a PDA e PDB, è possibile far sì che le loro correnti di buio si annullino reciprocamente, realizzando una corrente di buio ultra-bassa.

Configurazione Sperimentale

Fabbricazione del Dispositivo

  • Substrato: Wafer SOI con strato superiore di silicio di 220 nm e strato di ossido sepolto di 2 μm
  • Strato Ge: Crescita epitassiale di 500 nm, con drogaggio pesante ai 50 nm superiori a concentrazione N++
  • Concentrazione di Drogaggio: P++Si circa 10^20 cm^-3, P+Si circa 10^19 cm^-3
  • Dimensioni del Dispositivo: PDA 8×6 μm, PDB 17×6 μm

Configurazione di Test

  • Caratteristiche del Piccolo Segnale: Utilizzo di analizzatore di rete vettoriale (Keysight N5245B) e analizzatore di componenti ottici a 110 GHz
  • Test dell'Occhio: Catena completa che include laser, controllore di polarizzazione, modulatore MZ, amplificatore EDFA
  • Test della Corrente di Buio: Utilizzo di fonte di tensione (Keysight B2901A)

Risultati Sperimentali

Indicatori Principali di Prestazione

Prestazioni di Larghezza di Banda

  • Senza Equalizzazione (m=0): Larghezza di banda a 3-dB di soli 17 GHz
  • Dopo Ottimizzazione dell'Equalizzazione:
    • m=0.1: 25 GHz
    • m=0.2: 33 GHz
    • m=0.3: 55 GHz
    • m=0.35: 65 GHz
    • m=0.4: 73 GHz
    • m=0.45: >110 GHz (perdita di risposta RF di soli -0.53 dB)

Soppressione della Corrente di Buio

  • Fotorivvelatore Singolo Tradizionale: 2.5 nA (a VB=-1V)
  • EqPD Ottimizzato: 1 pA (riduzione di 3 ordini di grandezza)
  • Effetto di Soppressione a Diverse Polarizzazioni:
    • VB=0V: da 156 pA a 3 pA
    • VB=-1V: da 2.5 nA a 1 pA
    • VB=-2V: da 3.5 nA a 20 pA (riduzione di 175 volte)

Capacità di Trasmissione ad Alta Velocità

  • Trasmissione NRZ a 100 Gbaud: Realizzazione di diagramma dell'occhio nitido senza DSP
  • Velocità di Trasmissione a Diversi Valori di m:
    • m=0.2: 70 Gbaud
    • m=0.35: 90 Gbaud
    • m=0.4: 100 Gbaud

Confronto delle Prestazioni

Il confronto con la tecnologia esistente dimostra che questo lavoro realizza per la prima volta nei fotorivvelatori Ge verticali:

  • Larghezza di Banda Massima: >110 GHz
  • Corrente di Buio Minima: 1 pA
  • Migliore Prestazione Complessiva: Realizzazione simultanea di larghezza di banda ultra-elevata e corrente di buio ultra-bassa

Esperimenti di Ablazione

Effetto del Rapporto di Distribuzione della Potenza Ottica m

Studio sistematico dell'effetto di diversi valori di m sulle prestazioni:

  1. Compromesso Larghezza di Banda vs Responsività: Con l'aumento di m, la larghezza di banda migliora ma la responsività diminuisce
  2. Punto di Funzionamento Ottimale: A m=0.45 si realizzano le migliori prestazioni di larghezza di banda
  3. Limitazioni Fisiche: m dovrebbe essere inferiore a 0.5, altrimenti l'effetto di equalizzazione si deteriora

Ottimizzazione della Tensione di Polarizzazione

Attraverso il controllo preciso della tensione di polarizzazione di PDA e PDB, si realizza l'annullamento preciso della corrente di buio, verificando l'accuratezza delle previsioni teoriche.

Lavori Correlati

Principali Direzioni di Ricerca

  1. Restringimento della Regione Intrinseca: Miglioramento della larghezza di banda attraverso la riduzione del tempo di transito dei portatori
  2. Ottimizzazione dei Parametri RC: Adeguamento della struttura geometrica del dispositivo e della concentrazione di drogaggio
  3. Compensazione Induttiva: Utilizzo di induttori per annullare l'effetto della capacità
  4. Nuove Strutture: Come strutture a pinna, strutture anulari, ecc.

Unicità di Questo Lavoro

  • Prima Proposta del Concetto di Equalizzazione nel Dominio della Frequenza: Utilizzo di struttura differenziale per realizzare l'estensione della larghezza di banda
  • Superamento dei Limiti Fisici: Superamento dei limiti del tempo di transito dei portatori e dei parametri RC
  • Processo di Fabbricazione Semplice: Senza richiedere processi di fabbricazione nanometrica complessi
  • Forte Generalità: Applicabile a vari tipi di fotorivvelatori

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

  1. Avanzamento Tecnologico: Realizzazione per la prima volta di larghezza di banda >110 GHz nei fotorivvelatori Ge verticali
  2. Soppressione della Corrente di Buio: Realizzazione di corrente di buio ultra-bassa di 1 pA, 3 ordini di grandezza inferiore alle strutture tradizionali
  3. Valore Pratico: Verifica della trasmissione NRZ a 100 Gbaud dimostra il potenziale di applicazione pratica
  4. Contributo Teorico: Stabilimento di un quadro teorico completo di equalizzazione nel dominio della frequenza

Limitazioni

  1. Compromesso della Responsività: L'aumento della larghezza di banda avviene a scapito della diminuzione della responsività
  2. Aumento della Complessità: Richiede distribuzione precisa della potenza ottica e controllo della polarizzazione
  3. Sensibilità alla Temperatura: La sintonizzazione termica dell'MZI potrebbe essere influenzata dalla temperatura
  4. Tolleranze di Fabbricazione: Requisiti elevati di coerenza tra i due fotorivvelatori

Direzioni Future

  1. Ulteriore Aumento della Larghezza di Banda: Attraverso la riduzione dell'area di PDA e l'ottimizzazione della concentrazione di drogaggio
  2. Ottimizzazione della Responsività: Esplorazione di nuove strategie di equalizzazione per ridurre la perdita di responsività
  3. Integrazione: Integrazione monolitica con altri dispositivi di fotonica su silicio
  4. Estensione dell'Applicazione: Applicazioni nel campo delle comunicazioni coerenti, del rilevamento e di altri settori

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

  1. Innovazione Eccezionale: Prima proposta del concetto di equalizzazione nel dominio della frequenza, aprendo nuove prospettive per la progettazione di fotorivvelatori
  2. Prestazioni Eccellenti: Realizzazione di avanzamenti significativi negli indicatori chiave, raggiungendo il livello più elevato del settore
  3. Teoria Completa: Stabilimento di un modello teorico completo e analisi del circuito equivalente
  4. Esperimenti Esaustivi: Progettazione sperimentale completa dalle caratteristiche del dispositivo alla verifica a livello di sistema
  5. Alto Valore Pratico: Direttamente applicabile ai sistemi di comunicazione ottica ad alta velocità di prossima generazione

Insufficienze

  1. Relazione di Compromesso: Il compromesso tra larghezza di banda e responsività richiede ulteriore ottimizzazione
  2. Aumento della Complessità: Rispetto a un singolo fotorivvelatore, la complessità del sistema aumenta
  3. Stabilità a Lungo Termine: Mancanza di test di affidabilità a lungo termine e stabilità termica
  4. Analisi dei Costi: Mancanza di confronto dettagliato dei costi di fabbricazione

Impatto

  1. Valore Accademico: Fornisce un nuovo quadro teorico per la progettazione di fotorivvelatori ad alta velocità
  2. Significato Industriale: Direttamente applicabile ai sistemi di comunicazione ottica 100G/400G/800G e ai data center
  3. Promozione Tecnologica: Il principio di equalizzazione può essere esteso ad altri tipi di dispositivi optoelettronici
  4. Definizione di Standard: Potrebbe influenzare gli standard di prestazione futuri per i fotorivvelatori ad alta velocità

Scenari Applicabili

  1. Comunicazioni Ottiche ad Alta Velocità: Moduli ottici 100G/400G/800G
  2. Interconnessione dei Data Center: Collegamenti ottici ad alta velocità a breve distanza
  3. Fronthaul e Backhaul 5G/6G: Infrastruttura di comunicazione wireless
  4. Calcolo Ottico: Chip di calcolo integrato optoelettronico
  5. Lidar: Applicazioni di telemetria e imaging ad alta velocità

Bibliografia

L'articolo cita 28 importanti riferimenti bibliografici, coprendo i progressi più recenti nei campi della fotonica su silicio, della progettazione di fotorivvelatori e delle comunicazioni ottiche ad alta velocità, fornendo una base teorica solida e un confronto tecnico per questo lavoro.


Valutazione Complessiva: Questo è un articolo eccellente con significato di avanzamento importante nel campo dei fotorivvelatori. Il concetto di equalizzazione nel dominio della frequenza proposto dagli autori è innovativo e unico, e i risultati sperimentali sono impressionanti, con analisi teorica approfondita. Questo lavoro non solo realizza un avanzamento significativo dal punto di vista tecnico, ma più importante ancora, fornisce una prospettiva di progettazione completamente nuova per il settore, con importante valore accademico e pratico.