Progettazione e simulazione di un fotodiodo a valanga a basso guadagno 4H-SiC con isolamento a trincea

Informazioni Fondamentali

• ID Articolo: 2510.14531
• Titolo: Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation
• Autori: Sebastian Onder, Philipp Gaggl, Jürgen Burin, Andreas Gsponer, Matthias Knopf, Simon Waid, Neil Moffat, Giulio Pellegrini, Thomas Bergauer
• Classificazione: physics.ins-det
• Data di Pubblicazione: 16 ottobre 2025
• Link Articolo: https://arxiv.org/abs/2510.14531v1

Riassunto

Questo articolo presenta la progettazione e la simulazione di un fotodiodo a valanga a basso guadagno (LGAD) in 4H-SiC dello spessore di 30 μm, ottimizzato per l'operazione ad alta tensione. Uno strato di guadagno epitassiale dello spessore di 2,4 μm consente un'amplificazione interna controllata fino a 1 kV di polarizzazione inversa, mantenendo al contempo il completo esaurimento al di sotto di 500 V. Le caratteristiche I-V, C-V e di guadagno sono state simulate utilizzando il software TCAD Synopsys Sentaurus in geometria quasi-unidimensionale e verificate nell'intervallo di variazioni correlate al processo dei parametri dello strato di guadagno. Per garantire la stabilità ad alta tensione e una terminazione dei bordi appropriata, sono state progettate strutture di protezione che combinano trincee profonde incise e iniezione di terminazione di giunzione profonda p+ (JTE). Attraverso simulazioni TCAD che variano le dimensioni della struttura di protezione, è stato ottenuto un progetto ottimizzato con tensione di rottura superiore a 2,4 kV. La corrispondente fabbricazione su wafer è in corso presso l'IMB-CNM di Barcellona.

Contesto di Ricerca e Motivazione

Definizione del Problema

1. Limitazioni dei rivelatori al silicio tradizionali: I rivelatori basati su silicio mostrano un grave degrado delle prestazioni in ambienti ad alta radiazione e una corrente di buio elevata ad alta temperatura
2. Sfide nell'applicazione del materiale SiC: Sebbene il 4H-SiC possegga eccellenti proprietà di resistenza alle radiazioni e bassa corrente di buio, la sua maggiore energia di generazione di coppie elettrone-lacuna (~7,8 eV rispetto ai 3,6 eV del Si) determina un'ampiezza di segnale ridotta, limitandone l'applicazione negli esperimenti di fisica ad alta energia
3. Requisiti di operazione ad alta tensione: Le tecnologie di crescita epitassiale esistenti producono tipicamente concentrazioni di drogaggio elevate (≥10¹⁴ cm⁻³), determinando tensioni di esaurimento maggiori che limitano la realizzazione di regioni attive spesse

Importanza della Ricerca

• Necessità urgente di rivelatori di tempo veloce negli esperimenti di fisica ad alta energia
• Lo sviluppo del materiale SiC nell'elettronica di potenza e nell'industria automobilistica ha migliorato la disponibilità del materiale e le tecnologie di fabbricazione
• L'applicazione di successo della tecnologia LGAD nei rivelatori basati su silicio fornisce una base tecnologica per lo sviluppo di SiC-LGAD

Limitazioni dei Metodi Esistenti

• Il progetto SICAR utilizza l'isolamento con bordo smussato, raggiungendo solo un guadagno di 2-3
• La produzione di LBNL e NCSU, sebbene raggiunga un guadagno di 7-8, presenta ancora limitazioni nei metodi di isolamento
• Le tradizionali strutture di protezione con iniezione p superficiale non possono isolare efficacemente i dispositivi con strato di guadagno spesso

Contributi Principali

1. Progettazione innovativa della struttura del dispositivo: Propone un progetto dello strato di guadagno epitassiale dello spessore di 2,4 μm, evitando i limiti tecnologici del processo di iniezione profonda
2. Nuova struttura di protezione: Sviluppa una struttura di protezione che combina trincee profonde incise e iniezione JTE p+ profonda, realizzando una tensione di rottura superiore a 2,4 kV
3. Ottimizzazione completa della simulazione TCAD: Ottimizza sistematicamente la struttura del dispositivo attraverso scansioni parametriche, considerando le tolleranze del processo di fabbricazione
4. Realizzazione di dispositivi ad alte prestazioni: Realizza il completo esaurimento al di sotto di 500 V e fornisce un guadagno di segnale di 1-10 volte a 1 kV di polarizzazione inversa

Dettagli Metodologici

Progettazione della Struttura del Dispositivo

Struttura Epitassiale

Il dispositivo adotta la seguente struttura stratificata (dal basso verso l'alto):

• Substrato n+: Concentrazione di drogaggio ~10¹⁷ cm⁻³, fornisce supporto meccanico
• Strato buffer n++: Spessore 1 μm, concentrazione di drogaggio ~10¹⁸ cm⁻³, funge da strato di blocco del campo
• Regione attiva di tipo n: Spessore 27,6 μm, concentrazione di drogaggio 1,5×10¹⁴ cm⁻³, strato epitassiale ad alta resistività
• Strato di guadagno n+: Spessore 2,4 μm, concentrazione di drogaggio 7,5×10¹⁶ cm⁻³, realizzato mediante crescita epitassiale
• Strato di iniezione p++: Forma la giunzione pn e fornisce contatto ohmico

Ottimizzazione dei Parametri di Progettazione

Sono state condotte ampie scansioni parametriche utilizzando Synopsys Sentaurus TCAD, con obiettivi di ottimizzazione che includono:

• Tensione di completo esaurimento < 500 V
• Funzionamento stabile fino a 1 kV di polarizzazione inversa
• Guadagno di segnale 2-10 volte (relativo a un fotodiodo PIN di spessore equivalente)

Progettazione della Struttura di Protezione

Isolamento a Trincea

• Profondità: 7 μm, superiore allo spessore dello strato di guadagno
• Larghezza: 5/10/15 μm (limitata dal produttore)
• Passivazione: Passivazione a strati SiO₂/Si₃N₄
• Geometria: Circonda un fotodiodo circolare di diametro 500 μm

Iniezione JTE

• Profondità: 4 μm, penetra lo strato di guadagno
• Larghezza: 30 μm
• Concentrazione di drogaggio: 10¹⁷ cm⁻³
• Funzione: Ridistribuisce il campo elettrico ai bordi, prevenendo la rottura prematura

Punti di Innovazione Tecnica

1. Strato di guadagno non sepolto: Utilizza la crescita epitassiale anziché l'iniezione ionica, evitando i limiti tecnologici dell'iniezione ad alta energia
2. Struttura di protezione composita: La combinazione di isolamento a trincea e iniezione JTE profonda aumenta significativamente la tensione di rottura
3. Considerazione della tolleranza di processo: Il progetto considera pienamente l'intervallo di variazione del processo di fabbricazione (spessore ±0,2 μm, drogaggio ±10%)

Configurazione della Simulazione

Strumenti e Modelli di Simulazione

• Software: Synopsys Sentaurus TCAD SDevice
• Geometria: Struttura quasi-unidimensionale (progettazione dello strato di guadagno), struttura bidimensionale (struttura di protezione)
• Modelli fisici: Set di parametri di ionizzazione per impatto Okuto, modello HeavyIon per simulare l'impatto delle particelle
• Parametri materiali: Parametri 4H-SiC personalizzati, considerando l'anisotropia

Metodologia di Simulazione

Simulazione della Progettazione dello Strato di Guadagno

• Geometria: Struttura quasi-unidimensionale di larghezza 1 μm
• Mesh: Mesh fine nella direzione verticale, 4 linee di mesh nella direzione trasversale
• Tipi di simulazione:
  • Caratteristiche I-V e C-V quasi-statiche (fino a 1 kV)
  • Risposta del segnale transitorio (modello HeavyIon)
• Riferimento: Fotodiodo PIN di spessore equivalente come base di riferimento per il calcolo del guadagno

Simulazione della Struttura di Protezione

• Geometria: Struttura bidimensionale, contenente area locale con JTE e trincea
• Condizioni al contorno: Garantisce nessun campo elettrico residuo ai confini durante la rottura
• Scansione parametrica: Variazione sistematica della larghezza JTE, della larghezza della trincea e della profondità
• Determinazione della rottura: Estrazione della tensione di rottura basata sulla soglia di corrente

Parametri di Simulazione Chiave

• Generazione di portatori: Generazione artificiale di portatori per simulare la linea di base del rumore di 1 pA
• Simulazione di particelle: Fattore LET di 9,15 pC μm⁻¹, larghezza trasversale gaussiana di 0,15 μm
• Impostazioni di convergenza: Convergenza e impostazioni di errore ottimizzate per la bassa concentrazione intrinseca di portatori del 4H-SiC

Risultati della Simulazione

Caratteristiche Elettriche

Caratteristiche I-V e C-V

• Comportamento di esaurimento: Lo strato di guadagno si esaurisce al di sotto di 400 V, il dispositivo si esaurisce completamente al di sotto di 500 V
• Corrente di buio: Rimane al di sotto di 30 pA
• Tolleranza di processo: Tutte le configurazioni rimangono prive di rottura dello strato di guadagno, ad eccezione della combinazione di spessore massimo + drogaggio massimo

Caratteristiche di Guadagno

• Intervallo di guadagno: 1-10 volte (escludendo i casi di rottura)
• Curva di guadagno: Aumenta uniformemente con la polarizzazione inversa
• Dipendenza parametrica: Gli strati di guadagno più spessi/con drogaggio più elevato mostrano una pendenza di guadagno più ripida

Ottimizzazione del Comportamento di Rottura

Ottimizzazione della Larghezza JTE

• Fenomeno di saturazione: La tensione di rottura si satura quando la larghezza JTE supera 30 μm
• Valore ottimale: 30 μm è stato selezionato come parametro di progettazione finale

Ottimizzazione dei Parametri della Trincea

• Effetto della profondità:
  • Profondità di 5 μm determina la rottura più precoce
  • Profondità di 7 μm è il valore ottimale
  • Le prestazioni diminuiscono gradualmente oltre 7 μm
• Effetto della larghezza: La larghezza continua a migliorare la tensione di rottura in tutto l'intervallo di simulazione
• Configurazione ottimale: Trincea di 7 μm di profondità × 16 μm di larghezza abbinata a JTE di 30 μm × 4 μm

Prestazioni Finali

• Tensione di rottura massima: 2450 V (configurazione ottimale)
• Margine di progettazione: Significativamente superiore al requisito di tensione di lavoro di 1 kV
• Vincoli di fabbricazione: Il progetto finale utilizza trincee più strette per ridurre il rischio di incisione

Lavori Correlati

Evoluzione dei Rivelatori SiC

1. Ricerca iniziale: Ricerca fondamentale su SiC come materiale di rivelazione delle radiazioni
2. Progetto SICAR: Prima realizzazione di SiC-LGAD, guadagno 2-3
3. Collaborazione LBNL/NCSU: Miglioramento del processo di isolamento, guadagno raggiunto 7-8, risoluzione temporale <35 ps
4. FNSPE CTU/FZU CAS: Utilizzo dell'isolamento JTE, drogaggio dello strato epitassiale ridotto a 5×10¹³ cm⁻³, guadagno 10-100

Tendenze dello Sviluppo Tecnologico

• Evoluzione dal processo di bordo smussato verso l'isolamento JTE
• Riduzione continua della concentrazione di drogaggio dello strato epitassiale
• Miglioramento continuo delle prestazioni di guadagno
• Maturazione progressiva del processo di fabbricazione

Conclusioni e Discussione

Conclusioni Principali

1. Progettazione di successo: Realizza la progettazione completa di un LGAD 4H-SiC dello spessore di 30 μm che soddisfa i requisiti di stabilità ad alta tensione
2. Prestazioni eccellenti: Completo esaurimento al di sotto di 500 V, funzionamento stabile a 1 kV, guadagno 1-10 volte
3. Struttura di protezione efficace: La struttura di protezione composita trincea + JTE realizza una tensione di rottura >2,4 kV
4. Fattibilità di fabbricazione: Il progetto ha considerato le tolleranze di processo, la fabbricazione su wafer è in corso

Vantaggi Tecnici

• Lo strato di guadagno epitassiale evita i limiti tecnologici dell'iniezione profonda
• La struttura di protezione composita fornisce eccellente stabilità ad alta tensione
• L'ottimizzazione sistematica TCAD garantisce l'affidabilità della progettazione

Limitazioni

1. Vincoli di fabbricazione: La larghezza della trincea è limitata dalla capacità del processo del produttore
2. Considerazioni di costo: Il costo del materiale 4H-SiC e del processo rimane ancora elevato
3. Necessità di verifica: I risultati della simulazione richiedono verifica sperimentale

Direzioni Future

1. Verifica sperimentale: Completare la fabbricazione su wafer e condurre test elettrici e di radiazione
2. Ottimizzazione delle prestazioni: Ottimizzare ulteriormente i parametri di progettazione sulla base dei risultati sperimentali
3. Estensione dell'applicazione: Esplorare il potenziale di applicazione in diversi esperimenti di fisica ad alta energia

Valutazione Approfondita

Punti di Forza

1. Forte sistematicità: Considerazione completa dalla selezione del materiale alla progettazione del dispositivo alla struttura di protezione
2. Simulazione dettagliata: Ottimizzazione parametrica completa utilizzando strumenti TCAD professionali
3. Alta innovatività: La progettazione dello strato di guadagno epitassiale e della struttura di protezione composita è innovativa
4. Forte praticità: Il progetto considera pienamente i vincoli e le tolleranze pratiche del processo di fabbricazione
5. Tecnologia avanzata: La tensione di rottura >2,4 kV supera significativamente il livello tecnologico esistente

Insufficienze

1. Mancanza di verifica sperimentale: Attualmente solo risultati di simulazione, mancanza di dati di test di dispositivi effettivi
2. Analisi dei costi insufficiente: Non discute in dettaglio i vantaggi di costo rispetto agli LGAD basati su silicio
3. Scenari di applicazione limitati: Principalmente orientato alle applicazioni di fisica ad alta energia, l'applicabilità in altri campi non è stata sufficientemente esplorata
4. Stabilità a lungo termine: Non considera l'affidabilità a lungo termine e le caratteristiche di invecchiamento del dispositivo

Impatto

1. Valore accademico: Fornisce un importante riferimento di progettazione per lo sviluppo di SiC-LGAD
2. Spinta tecnologica: Promuove lo sviluppo della tecnologia dei rivelatori SiC verso l'applicazione pratica
3. Impatto industriale: Potrebbe promuovere l'applicazione commerciale dei rivelatori SiC
4. Riproducibilità: I parametri di progettazione dettagliati e i metodi di simulazione facilitano la riproduzione da parte di altri ricercatori

Scenari Applicabili

1. Esperimenti di fisica ad alta energia: Applicazione di rivelatori di tempo veloce
2. Applicazioni spaziali: Rivelazione di particelle in ambienti ad alta radiazione
3. Ricerca di fisica nucleare: Sistemi di rivelazione che richiedono alta risoluzione temporale
4. Imaging medico: Rivelatori di raggi X o raggi gamma ad alte prestazioni

Bibliografia

L'articolo cita 15 articoli correlati, coprendo la storia principale dello sviluppo della tecnologia dei rivelatori SiC e i nodi tecnici chiave, fornendo una base teorica solida e un benchmark tecnico comparativo per questa ricerca.