2025-11-24T12:37:17.367994

Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure

Yu, Lee, Watanabe et al.
Atomic defects in solids offer a versatile basis to study and realize quantum phenomena and information science in various integrated systems. All-electrical pumping of single defects to create quantum light emission has been realized in several platforms including color centers in diamond and silicon carbide, which could lead to the circuit network of electrically triggered single-photon sources. However, a wide conduction channel which reduces the carrier injection per defect site has been a major obstacle. Here, we realize a device concept to construct electrically pumped single-photon emission using a van der Waals stacked structure with atomic plane precision. Defect-induced tunneling currents across graphene and NbSe2 electrodes sandwiching an atomically thin h-BN layer allow robust and persistent generation of non-classical light from h-BN. The collected emission photon energies range between 1.4 and 2.9 eV, revealing the electrical excitation of a variety of atomic defects. By analyzing the dipole axis of observed emitters, we further confirm that emitters are crystallographic defect structures of h-BN crystal. Our work facilitates implementing efficient and miniaturized single-photon devices in van der Waals platforms toward applications in quantum optoelectronics.
academic

ファンデルワールスヘテロ構造における電気ポンプ駆動h-BN単一光子放出

基本情報

  • 論文ID: 2407.14070
  • タイトル: Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure
  • 著者: Mihyang Yu, Jeonghan Lee, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Jieun Lee
  • 分類: quant-ph cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
  • 発表時期: 2024年7月
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2407.14070

要旨

本論文は、ファンデルワールスヘテロ構造における六方晶窒化硼(h-BN)欠陥の電気ポンプ駆動単一光子放出の実現を報告している。グラフェンとNbSe2電極で原子層厚h-BN層を挟持したデバイス構造を構築することにより、欠陥誘起トンネル電流駆動の非古典光放出を実現した。放出光子エネルギーは1.4～2.9 eVの範囲であり、複数の原子欠陥の電気励起を明らかにした。放出器の双極子軸方向の分析を通じて、放出器がh-BN結晶の結晶学的欠陥構造であることを確認した。

研究背景と動機

  1. 解決すべき問題:
    • 従来の単一光子源は主に光学ポンプに依存しており、集積量子デバイスにおいて制限がある
    • 電気ポンプ駆動単一光子源はより優れたデバイス集積と制御を実現できるが、二次元材料ではまだ実現されていない
    • 広い導電チャネルは各欠陥サイトへのキャリア注入効率を低下させる
  2. 問題の重要性:
    • 単一光子源は量子通信、量子計算、量子センシングの中核デバイスである
    • 電気駆動単一光子源はより優れたスケーラビリティと集積度を実現できる
    • h-BNは二次元材料として独特の量子光学特性を有する
  3. 既存手法の限界:
    • ダイヤモンドと炭化ケイ素の色心は電気ポンプ駆動が可能だが、材料厚さはデバイスの小型化を制限する
    • 光学ポンプはレーザー光源を必要とし、システムの複雑性を増加させ、バックグラウンド信号を生成する
    • 特定の欠陥サイトの精密制御が欠けている
  4. 研究動機:
    • ファンデルワールスヘテロ構造の原子レベルの精度を利用して電気ポンプ駆動単一光子デバイスを構築する
    • h-BN欠陥の直接電気励起を実現する
    • 量子光電子学応用のための小型化・集積化ソリューションを提供する

核心的貢献

  1. h-BN中の欠陥の電気ポンプ駆動単一光子放出を初めて実現し、従来の光学ポンプの制限を突破した
  2. 新規ファンデルワールスヘテロ構造デバイスを設計し、グラフェン/h-BN/NbSe2の非対称電極配置を採用した
  3. 欠陥誘起トンネル電流と光子放出の直接的関連性を証明し、放出強度と電流の線形関係を示した
  4. 広いエネルギー範囲(1.4～2.9 eV)での単一光子放出を観察し、複数の欠陥タイプの電気励起を明らかにした
  5. 偏光分析を通じて放出器の結晶学的構造を確認し、3つの異なる欠陥グループに分類した
  6. 量子光電子学デバイスの小型化と集積化のための新しい技術経路を提供した

方法論の詳細

タスク定義

本研究のタスクは、ファンデルワールスヘテロ構造においてh-BN欠陥の電気ポンプ駆動単一光子放出を実現することである。入力はデバイスの両端に印加される電圧であり、出力は単一光子放出である。制約条件には、安定した量子放出を得るために低温(6.5K)での動作が必要であることが含まれる。

デバイスアーキテクチャ

  1. 全体設計:
    • NbSe2(トップ電極)/h-BN/グラフェン(ボトム電極)の3層構造を採用
    • h-BN層は光学活性層(5nm)と絶縁層(2nm)を含む
    • 電極端部の配置はトンネル電流経路を制限する
  2. 材料選択の原理:
    • NbSe2: ホール型ファンデルワールス金属、仕事関数5.9 eV
    • グラフェン: 電子型電極、仕事関数4.5 eV
    • h-BN: 広バンドギャップ二次元材料、光学活性欠陥を含む
  3. 動作メカニズム:
    • 仕事関数の差異が内部電場を生成する
    • 印加電圧がキャリアを欠陥を通じてトンネルさせる
    • 電子-正孔再結合が単一光子放出を生成する

技術的革新点

  1. 非対称電極設計:
    • NbSe2とグラフェンの仕事関数の差異を利用して効率的なキャリア注入を実現
    • 正バイアス下ではNbSe2が正孔を、グラフェンが電子を提供する
  2. 欠陥工学:
    • O2雰囲気高温焼鈍を通じて光学活性欠陥を作成
    • 欠陥密度とタイプは焼鈍条件により制御可能
  3. 電流制限戦略:
    • 電極端部の配置により導電に参加する欠陥数を削減
    • 個々の欠陥へのキャリア注入効率を向上させる

実験設定

デバイス製造

  1. 材料準備: 高純度h-BN結晶をO2雰囲気高温焼鈍処理
  2. デバイス製作: ドライ転写技術を用いてファンデルワールスヘテロ構造を層状に積層
  3. 電極製作: 電子ビームリソグラフィと金属蒸発によるAu接触電極の製作

測定システム

  1. 光学系: 自作共焦点顕微鏡システム、開口数0.65の対物レンズ
  2. 分光計: CCD検出器、空間イメージングと分光測定が可能
  3. 相関測定: Hanbury Brown-Twiss干涉計による二次相関関数の測定
  4. 環境制御: 低温恒温器、動作温度6.5K

評価指標

  1. 単一光子特性: 二次相関関数g²(0) < 0.5
  2. 放出安定性: 時間安定性と分光安定性
  3. 電光変換: 放出強度と電流の線形関係
  4. 分光特性: ゼロフォノン線位置、線幅、フォノンサイドバンド

実験結果

主要結果

  1. 単一光子放出の確認:
    • 放出器E1のg²(0) = 0.25 ± 0.21で、単一光子特性を明確に証明
    • 相関関数幅18.2 ± 7.2 ns、電気励起の独特な遷移過程を反映
  2. 電光相関:
    • 放出強度とトンネル電流の線形関係(傾き≈1.31)
    • 閾値電圧約26V、電流約6nAで光子計数率~700 cps
  3. 分光特性:
    • 1.5、2.8、2.9 eVでのゼロフォノン線を観察
    • 2.8 eV放出器は160 meVのフォノンサイドバンドを有し、h-BN縦光学フォノンと一致
    • 電圧増加に伴いStark周波数シフトと分光線の拡大を観察

欠陥分類分析

放出エネルギーと偏光特性に基づいて、観察された放出器を3つのグループに分類した:

  1. グループ1 (1.4～1.7 eV):
    • 鋭いゼロフォノン線、弱いフォノンサイドバンド
    • 偏光軸のランダム分布
    • 酸素関連欠陥に対応する可能性
  2. グループ2 (1.9～2.4 eV):
    • 分光形状と偏光分布の変化が大きい
    • 中間エネルギー範囲の混合欠陥タイプ
  3. グループ3 (2.4～3.0 eV):
    • 明確な160 meVフォノンサイドバンド
    • 偏光軸は主に60°間隔の結晶学的方向に沿う
    • 炭素関連欠陥に対応する可能性

電圧極性依存性

  • 正バイアス: 放出器数は負バイアスをはるかに上回り、高エネルギー放出器は主に正バイアス下で観察される
  • 負バイアス: 放出器が少なく、主に低エネルギー放出器
  • これはNbSe2とグラフェンの仕事関数の差異による非対称キャリア注入と一致する

関連研究

  1. 固体単一光子源: ダイヤモンドNV中心、SiC欠陥の電気ポンプ駆動は実現されているが、材料厚さが小型化を制限
  2. 二次元材料量子放出: WSe2、MoSe2などの材料の励子放出、主に光学ポンプ
  3. h-BN欠陥研究: 光学ポンプh-BN単一光子源は広く研究されているが、電気ポンプはこれまで実現されていない
  4. ファンデルワールスヘテロ構造: 電子輸送と光電デバイスに広く応用されているが、量子光学応用は少ない

結論と考察

主要結論

  1. h-BN中で初めての電気ポンプ駆動単一光子放出器の実現に成功し、ファンデルワールスヘテロ構造の量子光学デバイスにおける可能性を証明した
  2. 欠陥誘起トンネル電流メカニズムは二次元材料における電気ポンプ駆動の新しい思考を提供する
  3. 複数の欠陥タイプの同時励起はこの手法の汎用性を示す
  4. デバイスの原子層厚さは量子光電子学の小型化への道を開く

限界

  1. 動作温度: 現在は低温(6.5K)での動作が必要であり、実用化を制限する
  2. 閾値電圧: 相対的に高い閾値電圧(~26V)はデバイス集積に影響する可能性がある
  3. 放出効率: 光子計数率は相対的に低く、さらなる最適化が必要
  4. 安定性: 一部の放出器にはちらつき現象があり、長期安定性に影響する

今後の方向

  1. 室温動作: 欠陥工学とデバイス最適化を通じて室温単一光子放出を実現
  2. 閾値低減: インターフェース品質と接触抵抗の改善により動作電圧を低減
  3. 放出増強: 光学マイクロキャビティと組み合わせて放出効率と収集効率を向上
  4. 確定的製造: 制御可能な欠陥作成技術を開発してオンデマンド単一光子源を実現

深い評価

利点

  1. 開拓的貢献: h-BNで初めて電気ポンプ駆動単一光子放出を実現し、この分野の空白を埋めた
  2. デバイス設計の巧妙さ: 非対称電極配置と欠陥工学の組み合わせは深い物理的理解を示す
  3. 実験の充実: 単一光子特性から欠陥分類までの包括的な表現
  4. 技術的意義: 量子デバイスの小型化と集積化のための新しい経路を提供

不足点

  1. メカニズム解釈: 電気励起と光励起の差異の物理メカニズムの説明がさらに深化が必要
  2. 再現性: 異なるデバイス間の一貫性と再現性の検証が必要
  3. 応用制限: 低温動作と相対的に低い効率が実用化の見通しを制限

影響力

  1. 学術的影響: 二次元材料電気ポンプ駆動量子光学の新しい研究方向を開拓
  2. 技術推進: 量子通信と量子計算デバイスのための新しい技術選択肢を提供
  3. 産業見通し: 現在は基礎研究段階だが、将来の量子デバイス産業化の基礎を築く

適用シーン

  1. チップ上量子光学: 集積化量子光学回路の構築に適する
  2. 量子通信: 量子鍵配送に適用可能な小型単一光子源として機能
  3. 基礎研究: 二次元材料における量子現象の研究のための新しいツールを提供

参考文献

論文は固体単一光子源、二次元材料物理、ファンデルワールスヘテロ構造など複数の関連分野の重要な研究を含む59篇の参考文献を引用しており、研究に堅実な理論的および実験的基礎を提供している。

この研究は量子光学と二次元材料の交差分野において重要な意義を有しており、現在いくつかの技術的課題が存在するが、将来の量子デバイス開発のための新しい方向を開拓している。技術のさらなる発展に伴い、より高効率で安定した電気ポンプ駆動単一光子源の実現が期待される。