2025-11-21T18:49:16.256979

Rayleigh Wave Suppression in Al0.6Sc0.4N-on-SiC Resonators

Liffredo, Stettler, Peretti et al.
We report on the fabrication of a Hybrid SAW/BAW resonator made of a thin layer of Sc-doped AlN (AlScN) with a Sc concentration of 40 at% on a 4H-SiC substrate. A Sezawa mode, excited by a vertical electric field, exploits the d31 piezoelectric coefficient to propagate a longitudinal acoustic wave in the AlScN. The resonant frequency is determined via the pitch in the interdigitated transducer (IDT) defined by Deep Ultraviolet (DUV) lithography. The resonant mode travels in the piezoelectric layer without leaking in the substrate thanks to the mismatch in acoustic phase velocities between the piezoelectric and substrate materials. We show the impact of the piezoelectric and IDT layers' thickness on the two found modes. Importantly, we show how thin piezoelectric and electrode layers effectively suppress the Rayleigh mode. While some challenges in the deposition of AlScN remain towards a large coupling coefficient k_eff^2, We show how wave confinement in the IDT obtains a good quality factor. We also show how modifying the IDT reflectivity allows us to engineer a stopband to prevent unwanted modes from being excited between resonance and antiresonance frequencies. Finally, we validate the simulation with fabricated and measured devices and present possible improvements to this resonator architecture.
academic

Al0.6Sc0.4N-on-SiC共振器におけるレイリー波抑制

基本情報

  • 論文ID: 2407.20286
  • タイトル: Rayleigh Wave Suppression in Al0.6Sc0.4N-on-SiC Resonators
  • 著者: Marco Liffredo, Silvan Stettler, Federico Peretti, Luis Guillermo Villanueva
  • 分類: cond-mat.mtrl-sci（凝縮系物理学-材料科学）
  • 発表時期/会議: 2024年7月（arXiv プレプリント）
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2407.20286

要旨

本論文は、40 at%濃度のSc添加窒化アルミニウム(AlScN)薄膜を4H-SiC基板上に形成したハイブリッドSAW/BAW共振器の製造について報告している。セザワモードは垂直電場により励起され、AlScNにおけるd31圧電係数を利用して縦波を伝播させる。共振周波数は深紫外(DUV)リソグラフィで定義された指状トランスデューサ(IDT)の間隔により決定される。圧電材料と基板材料間の音響位相速度の不整合により、共振モードは圧電層内を伝播し、基板への漏洩は生じない。研究では、圧電層とIDT層の厚さが発見された2つのモードに与える影響を示し、特に薄い圧電層と電極層がいかに効果的にレイリーモードを抑制するかを実証している。

研究背景と動機

問題背景

  1. 5G及び将来の通信需要：5Gの展開と将来の通信技術世代の発展に伴い、より大きな電力密度が必要とされ、音響フィルタ設計の空間において電力処理と放熱要件が増加している。
  2. 既存技術の限界：
    • 懸架型共振器は高電力下で熱ドリフトと非線形性により制限される可能性があり、発生した熱は薄いアンカーポイントを通じてのみ放散される
    • 標準表面弾性波(SAW)共振器の動作周波数は基板への エネルギー漏洩により制限される
    • 体弾性波(BAW)共振器は複雑な音響ブラッグ反射層を必要とする
  3. 研究動機：
    • 効果的な放熱が可能な非懸架型デバイスの開発
    • 高周波動作の実現と同時にエネルギー漏洩の回避
    • AlScN材料の優れた圧電特性の活用

技術ルート選択

著者は2013年に提案された「第3種FBAR」概念の発展であるハイブリッドSAW/BAW共振器アーキテクチャを選択し、SAWとBAW共振器の利点を組み合わせた。

核心的貢献

  1. AlScN-on-SiCハイブリッド共振器の成功製造：40%Sc添加AlN薄膜の高品質成長を4H-SiC基板上で実現
  2. レイリーモードの効果的抑制の実現：圧電層と電極厚さの最適化により、不要なレイリーモードの抑制に成功
  3. セザワモードの波動閉じ込めの検証：適切な幾何学的パラメータの下で、セザワモードが圧電層内で良好に閉じ込められることを実証
  4. 設計指針の確立：層厚さがモード特性に与える影響に関する体系的分析を提供
  5. ストップバンド工学の実現：IDT反射率の調整を通じてストップバンドを工学的に設計し、不要なモード励起を防止

方法の詳細

デバイス設計原理

材料選択

  • 圧電材料：Al0.6Sc0.4N、選択理由：
    • 標準AlNと比較してより大きな機械電気結合係数
    • 音響速度が低い(~9000 m/s)、エネルギー閉じ込めに有利
  • 基板材料：4H-SiC、選択理由：
    • 最も遅い体剪断波速度(~7000 m/s)がAlScN内の縦波速度より速い
    • 4インチウェーハが容易に入手可能

モード分析

デバイス内に存在する2つの主要モード：

  1. レイリーモード：低周波モード、主に基板-圧電層界面を伝播
  2. セザワモード：高周波モード、圧電層内を伝播、期待される動作モード

レイリーモード抑制メカニズム

以下のパラメータを減少させることでレイリーモードを抑制可能：

  • 圧電層厚さ
  • 上部Al電極厚さ

デバイス構造設計

電極構成

  • 下部電極：Ti接着層 + Pt電極、IDT開口部下方のみに浮遊電極を形成
  • 上部電極：Al電極、IDT構造を形成
  • 電場方向：純粋な垂直電場励起、d31圧電係数を利用

幾何学的パラメータ

  • 目標間隔：500 nm（波長1 μm）
  • 圧電層厚さ：250 nmと150 nmの2つの設計
  • 電極厚さ：250 nmデバイス用100 nm、150 nmデバイス用75 nm

製造プロセス

プロセスフロー

  1. 下部電極製造：Ti接着層とPt下部電極のスパッタリング
  2. パターニング：リソグラフィとエッチングで下部電極パターンを定義
  3. 圧電層堆積：300°CでAlScN堆積、100°CでAl上部電極堆積
  4. 上部電極パターニング：Cl2 ICP RIEでエッチング、CF4/O2混合ガスでレジスト除去

材料品質表現

  • 250 nm AlScN薄膜：X線回折ロッキングカーブFWHM 1.2°
  • 150 nm AlScN薄膜：X線回折ロッキングカーブFWHM 1.6°
  • Si上の同一プロセスと比較して、SiC基板はAlScN成長の垂直性がより優れている

実験結果

シミュレーション検証

シミュレーション結果は設計概念を確認：

  • 薄い圧電層と電極層が確実にレイリーモードを抑制
  • セザワモードは適切な厚さで良好な結合を維持
  • ストップバンド位置と幅は電極厚さで制御可能

デバイス測定

測定設定

  • GSGプローブとRS-ZNB20ベクトルネットワークアナライザを使用
  • 標準SOLT校正手順

主要結果

  1. レイリーモード抑制：実験で薄い圧電層デバイスにおけるレイリーモードの消失を確認
  2. 品質係数：6.3 GHz周波数で390の負荷Q値を実現
  3. 結合係数：測定されたkeff²はシミュレーション値より低く、超薄AlScN層の製造問題の可能性

性能分析

  • 波動閉じ込め：142本の指状電極を持つIDT、両側各5本の仮想電極のみ、波動閉じ込めは主にIDTグレーティング自体から生じる
  • 寄生モード：観察された寄生モードは横方向波数に由来し、加重電極、テーパリング、または傾斜母線により抑制可能

技術的革新点

設計革新

  1. 構造簡略化：元のハイブリッドSAW/BAW構造と比較して、圧電柱定義不要、IDTをAlScN層上に直接配置に簡略化
  2. 浮遊下部電極：純粋な垂直電場形成を促進
  3. 厚さ最適化戦略：層厚さがモード特性に与える影響を体系的に研究

材料革新

  1. 高Sc含有AlScN：40%のSc添加濃度、SiC基板上での高品質成長を実現
  2. 材料マッチング：AlScN/SiC材料組み合わせが理想的な音響速度マッチング条件を実現

プロセス革新

  1. 製造プロセス簡略化：懸架構造と比較して、リリースステップ不要
  2. DUVリソグラフィ：500 nm間隔の精密パターニングを実現

深度評価

利点

技術的優位性

  1. 概念実証成功：AlScN-on-SiCハイブリッド共振器の実現可能性を成功裏に実証
  2. 理論と実験の一致：シミュレーション予測と実験結果がモード抑制において高度に一致
  3. 製造プロセス簡略化：従来のFBARデバイスと比較してプロセスフロー更に簡潔
  4. 材料品質優異：SiC基板上での高品質AlScN薄膜成長を実現

学術的貢献

  1. 体系的分析：層厚さがモード特性に与える影響の包括的分析を提供
  2. 設計指導：ハイブリッド共振器設計の重要な指針を確立
  3. 材料組み合わせ革新：AlScN/SiC材料組み合わせの共振器応用を初めて体系的に研究

不足

技術的限界

  1. 結合係数が低い：測定されたkeff²がシミュレーション値から大幅に低下、デバイス性能に影響
  2. 薄膜品質課題：超薄AlScN層の堆積品質改善が必要
  3. 周波数限制：体放射を回避するためモード分散に注意が必要

実験的不足

  1. デバイス数が限定的：2つの厚さ構成の結果のみを提示
  2. 長期安定性：デバイスの長期安定性と信頼性データが未提供
  3. 電力処理能力：電力処理の利点が言及されているが、具体的なテストデータが未提供

影響力評価

学術的影響

  1. 分野推進：ハイブリッドSAW/BAW共振器分野に重要な実験的検証を提供
  2. 材料応用：高周波共振器におけるAlScN材料の応用を拡大
  3. 設計方法論：このクラスのデバイスの設計方法論基礎を確立

実用価値

  1. 5G応用可能性：5G及び将来の通信システムに新しい共振器ソリューションを提供
  2. 製造可行性：簡略化されたプロセスフローが商業化生産に有利
  3. 性能トレードオフ：周波数、品質係数、製造複雑度間で良好なバランスを実現

適用シナリオ

  1. 高周波通信システム：GHz帯共振器が必要なRF前段に適用可能
  2. 電力処理応用：優れた放熱性能が必要な高電力応用に適合
  3. 集積回路：既存半導体プロセスと互換性のある共振器ソリューション

結論と展望

主要結論

  1. AlScN-on-SiCハイブリッド共振器におけるレイリーモード抑制を成功裏に実証
  2. 層厚さ最適化によるモード工学実現の実現可能性を検証
  3. このクラスのデバイスの設計および製造方法論を確立

将来の方向性

  1. 材料最適化：超薄AlScN層の堆積品質改善により結合係数を向上
  2. デバイス最適化：異なるIDT設計を探索してさらなる性能向上を実現
  3. 応用拡張：技術をより高周波および大電力応用に拡張
  4. 信頼性研究：長期安定性と信頼性評価を実施

本研究は、特に材料選択、デバイス設計、製造プロセスの面において有価値な知見を提供し、ハイブリッドSAW/BAW共振器技術の発展に重要な貢献をなし、将来の高性能RF デバイス開発の基礎を築いている。