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Robust phase correction techniques for terahertz time-domain reflection spectroscopy

Jatkar, Yeh, Pancaldi et al.

We introduce a systematic approach that enables two robust methods for performing terahertz time-domain spectroscopy in reflection geometry. Using the Kramers-Kronig relations in connection to accurate experimental measurements of the amplitude of the terahertz electric field, we show how the correct phase of the same field can be retrieved, even in the case of partly misaligned measurements. Our technique allows to accurately estimate the optical properties of in principle any material that reflects terahertz radiation. We demonstrate the accuracy of our approach by extracting the complex refractive index of InSb, a material with a strong plasma resonance in the low-terahertz range. Our technique applies to arbitrary incidence angles and polarization states.

academic

テラヘルツ時間領域反射分光法における堅牢な位相補正技術

基本情報

論文ID: 2412.18662
タイトル: Robust phase correction techniques for terahertz time-domain reflection spectroscopy
著者: Kasturie D. Jatkar, Tien-Tien Yeh, Matteo Pancaldi, Stefano Bonetti
分類: physics.optics, cond-mat.other
発表日時: 2024年12月31日 (arXiv v2)
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2412.18662

要旨

本論文は、反射幾何テラヘルツ時間領域分光測定用の2つの堅牢な方法を実現するための体系的アプローチを提案している。Kramers-Kronig関係とテラヘルツ電場振幅の正確な実験測定を組み合わせることにより、部分的なミスアライメント測定の場合に正しい電場位相を検索する方法を実証している。本技術は、原則的には反射テラヘルツ放射を発する任意の材料の光学特性を正確に推定でき、InSbの複素屈折率の抽出を通じて方法の精度を検証している。本技術は任意の入射角および偏光状態に適用可能である。

研究背景と動機

問題の定義

テラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)は、反射幾何配置での測定時に深刻な位相感度問題に直面している。位相測定は試料と参照鏡間の相対位置オフセットの影響を極めて受けやすく、わずかな位置誤差でも結果に大きな誤差が生じ、データ抽出の後処理の複雑性が増加する。

重要性の分析

応用の広さ: THz分光は固体物理学、化学、生物学、医薬品、セキュリティ検査など多くの分野で応用されている
材料の制限: ほとんどの材料はTHz周波数帯域での透過率が低く、反射幾何測定の使用が必要である
技術的課題: 反射幾何測定は試料位置精度に極めて高い要求があり、既存の方法は通常複雑な反復計算または既知の「アンカーポイント」を必要とする

既存方法の限界

最大エントロピー法(MEM)、単一減算および多重減算Kramers-Kronig法は大量の反復計算を必要とする
既存の革新的実験技術は特定の材料に対応していることが多く、汎用性に欠ける
位相補正精度は限定的であり、光学パラメータ抽出の精度に影響を与える

中核的貢献

体系的位相補正方法の提案: Kramers-Kronig関係に基づく2つの堅牢な位相補正技術
試料ミスアライメント問題の解決: 任意の試料位置オフセットから正しい位相情報を復元可能
汎用性の検証: 任意の入射角、偏光状態および材料タイプに適用可能
サブマイクロメートル精度: サブマイクロメートルレベルの位置オフセット検出精度を実現(THz波長より2桁小さい)
実験検証: InSb材料の複素屈折率抽出を通じて方法の精度を検証

方法の詳細

タスク定義

入力: 反射幾何THz-TDS測定から得られた試料および参照信号の時間領域データ出力: 補正された位相情報および正確な材料光学パラメータ(複素屈折率、誘電率など) 制約: 試料位置ミスアライメントによる位相誤差の処理

理論的基礎

位相ミスアライメントモデル

測定された位相は以下のように表現できる:

φₘ(ω) = φᵢ(ω) + (ω/c) × (2l/cos θ)

ここでφᵢは材料固有の位相、lは試料位置オフセット、θは入射角である。

Kramers-Kronig関係の適用

反転形式のKramers-Kronig関係を採用:

ln|r̃(ω)/r̃(ω')| = (2/π)P∫₀^∞ [Ωφ(Ω)/(Ω²-ω²) - Ωφ(Ω)/(Ω²-ω'²)]dΩ

2つの補正方法

方法1: 解析的フィッティング法

解析関数の導出を通じて:

Δₘ(ω) = (2lω/πc cos θ)ln|(ωₑₙd-ω)/(ωₑₙd+ω)| + C + C'

ここでΔₘは測定位相および反射係数から計算された量であり、この関数をフィッティングすることで位置オフセットlを取得する。

方法2: 実験的最小化技術

計算された反射係数振幅と測定値間の差を最小化することにより:

min_l (∫₀^ωₑₙd ||r̃calc(Ω)| - |r̃ₘ(Ω)||dΩ)

技術的革新点

理論的ブレークスルー: 位置ミスアライメント項が無限積分範囲内でKramers-Kronig関係に与える影響がゼロであることを証明
有限周波数帯域処理: 実際の測定の有限周波数帯域に対して、ミスアライメント項の解析的表現を導出
堅牢性設計: 2つの相補的な補正方法が相互検証メカニズムを提供
高精度実装: サブマイクロメートルレベルの位置検出精度

実験設定

実験装置

THzシステム: TeraFlash Pro光伝導アンテナシステム
時間分解能: 0.05 ps
スキャン範囲: 70 ps
幾何配置: 垂直入射(シリコンビームスプリッタ)および45°入射(オフアクシス放物面鏡)

試料台設計

二軸線形平行移動台および二軸角度測定器システム
圧電平行移動台による試料表面に垂直な精密位置決め
モータ制御平行移動台による試料-参照循環測定

テスト材料

InSb単結晶: 低THz周波数帯域での強いプラズマ共振を有する半導体材料で、方法の有効性検証に適している

測定パラメータ

偏光状態: s偏光およびp偏光
位置オフセット: 0 μm、10 μm、100 μm
周波数範囲: 0-4 THz
入射角: 垂直入射および45°入射

実験結果

主要な結果

位置オフセット検出精度

幾何配置	実際のオフセット	方法1検出値l₁	方法2検出値l₂
垂直入射	0 μm	0.29 μm	0.22 μm
垂直入射	10 μm	10.10 μm	9.96 μm
垂直入射	100 μm	100.06 μm	99.37 μm
45°入射(s偏光)	10 μm	11.27 μm	11.31 μm
45°入射(p偏光)	10 μm	10.45 μm	10.21 μm