2025-11-15T19:55:11.527544

Solid-state dewetting of axisymmetric thin film on axisymmetric curved-surface substrates: modeling and simulation

Duan, Li, Zhou

In this work, we consider the solid-state dewetting of an axisymmetric thin film on a curved-surface substrate, with the assumption that the substrate morphology is also axisymmetric. Under the assumptions of axisymmetry, the surface evolution problem on a curved-surface substrate can be reduced to a curve evolution problem on a static curved substrate. Based on the thermodynamic variation of the anisotropic surface energy, we thoroughly derive a sharp-interface model that is governed by anisotropic surface diffusion, along with appropriate boundary conditions. The continuum system satisfies the laws of energy decay and volume conservation, which motivates the design of a structure-preserving numerical algorithm for simulating the mathematical model. By introducing a symmetrized surface energy matrix, we derive a novel symmetrized variational formulation. Then, by carefully discretizing the boundary terms of the variational formulation, we establish an unconditionally energy-stable parametric finite element approximation of the axisymmetric system. By applying an ingenious correction method, we further develop another structure-preserving method that can preserve both the energy stability and volume conservation properties. Finally, we present extensive numerical examples to demonstrate the convergence and structure-preserving properties of our proposed numerical scheme. Additionally, several interesting phenomena are explored, including the migration of 'small' particles on a curved-surface substrate generated by curves with positive or negative curvature, pinch-off events, and edge retraction.

academic

軸対称弯曲表面基板上の軸対称薄膜の固体脱濡れ：モデリングとシミュレーション

基本情報

論文ID: 2501.00783
タイトル: Solid-state dewetting of axisymmetric thin film on axisymmetric curved-surface substrates: modeling and simulation
著者: Zhenghua Duan, Meng Li*, Chunjie Zhou（鄭州大学数学統計学院）
分類: math.NA cs.NA
発表日時: 2025年1月3日（arXiv プレプリント）
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2501.00783

要旨

本論文は、軸対称弯曲表面基板上の軸対称薄膜の固体脱濡れ現象を研究している。軸対称仮定の下で、弯曲表面基板上の表面進化問題は、静的弯曲基板上の曲線進化問題に簡約化できる。異方性表面エネルギーの熱力学的変分に基づき、著者らは異方性表面拡散により支配される鋭い界面モデルおよび対応する境界条件を厳密に導出した。連続系はエネルギー減衰則と体積保存則を満たし、これが構造保存数値アルゴリズムの設計の動機となる。対称化表面エネルギー行列を導入することで、新規な対称化変分公式を導出した。変分公式の境界項を慎重に離散化することにより、軸対称系の無条件エネルギー安定なパラメトリック有限要素近似を確立した。巧妙な修正方法を適用することで、エネルギー安定性と体積保存性を同時に保持する構造保存方法をさらに開発した。

研究背景と動機

問題の重要性

固体脱濡れ（Solid-State Dewetting, SSD）とは、固体薄膜が融点をはるかに下回る温度で起こる不安定現象であり、薄膜は脱濡れまたは凝集し、複雑な形態変化を示して基板上に微粒子を形成する。この現象は光学・磁性デバイス、薄膜、センサー、触媒形成など多くの分野で広く応用されている。

既存研究の限界

次元制限：既存の理論研究は主に平面基板に集中しており、トポロジー的にパターン化された基板への関心は少ない
二次元の制約：既存研究は主に二次元シナリオに焦点を当てており、三次元弯曲表面基板上のSSDの研究は限定的である
数値方法の不足：エネルギー安定性と体積保存を同時に保持する効率的な数値方法が欠けている

研究の動機

三次元薄膜と弯曲表面基板は通常回転対称性を有しており、複雑な三次元SSDを弯曲基板上の曲線ベースのシステムに簡約化できる
強い異方性効果を扱える数値方法の開発が必要である
弯曲基板の幾何学的特性は薄膜進化挙動に重要な影響を与える

核心的貢献

理論的モデリング：熱力学的変分を通じて、軸対称弯曲表面基板上の三次元軸対称薄膜のSSDの鋭い界面モデルを導出し、弱および強異方性の場合を含む
数値方法の革新：
- 対称化表面エネルギー行列を導入し、新規な対称化変分公式を導出
- 境界項を慎重に離散化することで、無条件エネルギー安定なパラメトリック有限要素近似を設計
- 体積保存とエネルギー安定性を同時に保持する構造保存方法を開発
アルゴリズムの検証：広範な数値実験を通じて、提案方法の収束性と構造保存性を検証
物理現象の探索：正/負曲率基板上の微粒子の移動、ピンチオフ現象、エッジ収縮を含む多くの興味深い現象を研究

方法の詳細

タスク定義

軸対称弯曲表面基板上の軸対称薄膜の固体脱濡れ進化過程を研究し、以下を含む：

入力：初期薄膜形態、基板幾何学、材料パラメータ
出力：時間に伴う薄膜の進化軌跡
制約：体積保存、エネルギー減衰、接触線境界条件

数学モデル

全自由エネルギー

システムの全自由エネルギーは以下のように表される： $W = \int\int_S \gamma_{FV}(N) dS + (\gamma_{FS} - \gamma_{VS}) A(\Gamma_o/\Gamma_i)$

ここで $S$ は薄膜/蒸気界面、 $\Gamma_i$ と $\Gamma_o$ は内側および外側の接触線である。

軸対称簡約

軸対称仮定の下で、表面は以下のようにパラメータ化できる： $S(s,\phi) := (r(s)\cos\phi, r(s)\sin\phi, z(s))$

全エネルギーは以下に簡約される： $W = 2\pi\int_0^L \gamma(\theta)r ds + 2\pi(\gamma_{FS} - \gamma_{VS})\int_{c_l}^{c_r} \hat{x}(c)dc$

鋭い界面モデル

熱力学的変分を通じて導出された支配方程式： $X_t \cdot n = \frac{1}{r}(r\mu_s)_s, \quad 0 < s < L(t), t > 0$

化学ポテンシャルは以下のように定義される： $\mu = (\gamma(\theta) + \gamma''(\theta))\kappa - \frac{\gamma(\theta)z_s + \gamma'(\theta)r_s}{r}$

境界条件は以下を含む：

接触線条件：接触線が弯曲基板上に留まることを保証
緩和接触角条件：接触角の動力学進化を記述
ゼロ質量流束条件：体積保存を保証

対称化変分公式

対称行列を導入： $B(\theta) = \begin{pmatrix} \gamma(\theta) & -\gamma'(\theta) \\ \gamma'(\theta) & \gamma(\theta) \end{pmatrix} \begin{pmatrix} \cos 2\theta & \sin 2\theta \\ \sin 2\theta & -\cos 2\theta \end{pmatrix} + S(\theta)\left[\frac{1}{2}I - \frac{1}{2}\begin{pmatrix} \cos 2\theta & \sin 2\theta \\ \sin 2\theta & -\cos 2\theta \end{pmatrix}\right]$

この行列を通じて、化学ポテンシャル方程式は以下のように書ける： $r\mu n = \partial_s[rB(\theta)\partial_s X] - \gamma(\theta)e_1$

数値方法

パラメトリック有限要素法

パラメトリック有限要素法（PFEM）を用いて変分公式を求解：

時間離散化：半陰的格式
空間離散化：線形有限要素
境界処理：精密に設計された境界項離散化

エネルギー安定方法

設計された数値格式は離散エネルギー安定性を満たす： $W(X^{m+1}) - W(X^m) \leq 0$

構造保存方法

修正項 $\delta f^{m+\frac{1}{2}}$ を通じて正確な体積保存を実現： $V(X^{m+1}) - V(X^m) = 0$

実験設定

テストケース

論文は3つの典型的な初期構成を考慮：

球形薄膜：半径1.5の球形薄膜を半球基板上に配置
環形薄膜：厚さ0.5の軸対称環形薄膜を半球基板上に配置
球形薄膜：半径1.8の球形薄膜を球形基板上に配置

材料パラメータ

接触線移動率： $\eta = 100$
表面エネルギーパラメータ： $\sigma = -\frac{\sqrt{3}}{2}$
異方性表面エネルギー： $\gamma(\theta) = 1 + \beta\cos(4\theta)$ $γ (θ) = 1 + β cos (4 θ)$
- $\beta = 0$ ：等方性
- $0 \leq \beta \leq \frac{1}{15}$ ：弱異方性
- $\beta > \frac{1}{15}$ ：強異方性