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Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems

Zhuang, Sun
The superconducting diode effect (SDE) refers to the nonreciprocity of superconducting critical currents for the metal-superconductor transition. Generally, the SDE has a positive and a negative critical current $j_{c\pm}$ corresponding to two opposite directions whose amplitudes are unequal. It is demonstrated that an extreme nonreciprocity where two critical currents can become both positive (or negative) has been observed in a recent experiment. In this work, we theoretically propose a possible mechanism to realize an extreme nonreciprocal SDE. Based on a microscopic theory and a simple valley-polarized model, we demonstrate that depairing currents required to dissolve Cooper pairs can be remodulated under the interplay between the valley polarization and the applied current. Near the disappearance of the superconductivity, the remodulation is shown to induce the extreme nonreciprocity and also the current-induced re-entrant superconductivity where the system has two different critical current intervals. Our study may provide new horizons for understanding the coexistence of superconductivity and spontaneous ferromagnetism and pave a new way to designing the SDE with 100% efficiency.
academic

電流誘起再入超伝導性と谷分極系における極端非相反超伝導ダイオード効果

基本情報

  • 論文ID: 2501.00835
  • タイトル: Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems
  • 著者: Yu-Chen Zhuang, Qing-Feng Sun
  • 分類: cond-mat.supr-con
  • 発表日: 2025年1月1日
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2501.00835

要旨

超伝導ダイオード効果(SDE)は、金属-超伝導転移における超伝導臨界電流の非相反性を指す。通常、SDEは相反する二つの方向に対応する正負の臨界電流jc±j_{c\pm}を有し、その大きさは不等である。最近の実験では、両臨界電流が同時に正(または負)となる極端な非相反性が観測されている。本論文は、極端な非相反SDE実現の可能なメカニズムを理論的に提案する。微視的理論と単純な谷分極モデルに基づいて、著者らはクーパー対の解離に必要な破対電流が、谷分極と外加電流の相互作用下で再調整されることを証明した。超伝導性消失の近傍では、この再調整が極端な非相反性および電流誘起再入超伝導性を誘導することが示され、系は二つの異なる臨界電流区間を有する。

研究背景と動機

  1. 核心問題：超伝導ダイオード効果(SDE)は新たに発見された超伝導現象であり、非散逸超電流の非相反性として現れる。従来のSDEの効率ηは一般に数十パーセント程度であるが、最近小角度ねじれ三層グラフェンで観測された極端な非相反性は100%効率のSDEを示している。
  2. 問題の重要性：SDEは奇異な超伝導系の潜在的特性を明らかにするだけでなく、非散逸回路として機能し、超伝導エレクトロニクス、超伝導スピントロニクス、量子情報および通信技術における重要な応用前景を有する。
  3. 既存の限界：極端な非相反性現象が観測されているにもかかわらず、その物理メカニズムはいまだ不明確である。既存の理論研究は、この顕著な増強が対称性破れた秩序パラメータと超電流の結合、または面外電場誘起散逸に由来する可能性を示唆している。
  4. 研究動機：ねじれグラフェン系では、直流電流が谷分極を調整さらには切り替えることができる。自発的谷分極がねじれ三層グラフェンSDEにおいて重要な役割を果たすことを考慮すると、極端な非相反SDEと電流誘起谷分極調整との関連性を研究する必要がある。

核心的貢献

  1. 理論メカニズム：電流誘起谷分極調整に基づいて、極端な非相反性実現の理論メカニズムを提案
  2. モデル構築：谷間配対のs波超伝導を含む単純な谷分極系モデルを確立
  3. 新現象の発見：電流誘起再入超伝導性を予測し、系は二つの異なる臨界電流区間を有する
  4. 100%効率SDE：100%効率SDEの設計に向けた新たな途径を提供
  5. 物理像の解明：内在的破対電流がいかに実際の臨界電流に再調整されるかの物理メカニズムを明確化

方法の詳細

タスク定義

谷分極系において、外加電流が谷分極を調整することを通じて超伝導臨界電流にいかに影響し、極端な非相反超伝導ダイオード効果を実現するかを研究する。

モデルアーキテクチャ

1. 相互作用誘起谷分極モデル

谷間相互作用を含む二バンドハミルトニアンを構築： Hv=∑k,τ(ϵk,τ−μ)ck,τ†ck,τ+UvV∑k,k′ck,+†ck,+ck′,−†ck′,−H_v = \sum_{k,\tau} (\epsilon_{k,\tau} - \mu)c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \frac{U_v}{V}\sum_{k,k'} c^\dagger_{k,+}c_{k,+}c^\dagger_{k',-}c_{k',-}

ここでτ = ±は谷指標K, K'を表し、Uv>0U_v > 0は斥力的谷間相互作用を表す。

2. 電流誘起谷分極調整

非平衡弾道量子輸送の枠組みの下で、外加バイアスVの下では、正(負)速度電子のフェルミエネルギーは平衡状態のフェルミエネルギーよりeV/2eV/2だけ上昇(低下)する。谷内反転対称性の破れのため、各谷の電子占有数の変化は： nτ=nτ0+ατjextn_\tau = n^0_\tau + \alpha_\tau j_{ext}

ここでατ\alpha_\tauは修正化学ポテンシャルと谷分裂場に依存する係数である。

3. BdGハミルトニアン

s波谷間配対項を加える： H(q)=∑k,τEk,τck,τ†ck,τ+∑kΔ(q)ck+q,+†c−k+q,−†+H.c.H(q) = \sum_{k,\tau} E_{k,\tau} c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \sum_k \Delta(q)c^\dagger_{k+q,+}c^\dagger_{-k+q,-} + H.c.

ここで2qはクーパー対の重心運動量を表し、ヘリカル状態またはFFLO状態を反映する。

技術的革新点

  1. 物理メカニズムの革新：電流誘起谷分極調整が破対電流を再調整できるメカニズムを初めて提案
  2. モデル簡略化：単純なStonerモデルを使用して谷分極の本質的特性を捉える
  3. 自洽計算：ギャップ方程式と谷分極方程式を自洽的に解くことで完全な相図を得る
  4. 再入現象：新たな電流誘起再入超伝導現象を予測

実験設定

データセット

一次元モデルを用いた数値計算：

  • システムサイズ：V = Na、周期境界条件、N = 2000
  • エネルギー単位：t = 1
  • 電流単位：e/ℏ·t = 1
  • 長さ単位：a = 1
  • パラメータ設定：Uv=2.8U_v = 2.8、Us=1.86U_s = 1.86、温度T = 0.1

評価指標

  1. ダイオード効率：η=jc+−∣jc−∣jc++∣jc−∣\eta = \frac{j_{c+} - |j_{c-}|}{j_{c+} + |j_{c-}|}
  2. 臨界電流：jc±j_{c\pm}は金属-超伝導転移の臨界値に対応
  3. 谷分裂場：hv=Uv2Vmh_v = \frac{U_v}{2V}m、ここでmは谷分極

比較方法

  • 従来のSDE理論(電流誘起谷分極調整なし)
  • Rashba-Zeeman超伝導体モデル
  • Stoner-Wohlfarth磁性モデルの類推

実験結果

主要な結果

1. 四つの異なる領域の相図

  • 領域I：SDE無し、hv0=0h^0_v = 0のため
  • 領域II：従来のSDE、jc+≠∣jc−∣j_{c+} \neq |j_{c-}|
  • 領域III：再入超伝導性、四つの臨界電流が存在
  • 領域IV：極端な非相反性、二つの正の臨界電流のみ

2. 臨界電流の数値結果

狭いバンド幅4t = 10 meVの推定下で：

  • エネルギー単位：t = 2.5 meV
  • 電流単位：≈ 96.6 nA
  • 臨界電流の大きさ：0-34 nA範囲
  • 温度：約2.9 K

3. 磁場調整効果

外部磁場BはZeeman効果を通じて谷に結合し、追加の谷分裂場hB∝Bh_B \propto Bを生成し、SDEの種類と極性を調整する。

アブレーション実験

  1. バンド非対称性の影響：より非対称なエネルギーバンドはより大きな係数α+−α−\alpha_+ - \alpha_-をもたらし、極端な非相反性の実現がより容易になる
  2. システムサイズ収束性：固定充填因子の下で、臨界電流のシステムサイズNに対する変化は収束する
  3. 温度効果：低温下でより顕著な効果

ケース分析

図3は四つの異なる電子占有数nの下での臨界電流の進化を示す：

  • n = 640：SDE無し
  • n = 560：従来のSDE
  • n = 510：再入超伝導性
  • n = 480：極端な非相反性

関連研究

主要な研究方向

  1. SDE実験観測：人工超格子Nb/V/Tan、バルク材料、ジョセフソン接合など
  2. 理論メカニズム：磁気カイラル異方性、有限運動量クーパー配対
  3. ねじれグラフェン：谷分極、スピン軌道結合、相関効果

本論文の優位性

  1. 電流誘起谷分極調整とSDEを初めて関連付ける
  2. 新たな再入超伝導現象を予測
  3. 100%効率SDEの理論的途径を提供
  4. 定量的な数値結果とパラメータ推定を提示

結論と議論

主要な結論

  1. 電流誘起谷分極調整は破対電流を再調整でき、極端な非相反SDEを実現できる
  2. 超伝導性消失の近傍では極端な非相反性が容易に出現する
  3. 系は電流誘起再入超伝導性を示すことができる
  4. 外部磁場はSDEの種類と極性を調整できる

限界

  1. 線形近似は小電流範囲内でのみ有効
  2. 超伝導状態内の電圧遮蔽効果を無視
  3. ヒステリシス挙動が十分に考慮されていない可能性
  4. モデルが比較的簡略化されており、実際の系はより複雑

今後の方向

  1. 非線形効果を含むより精密な自洽計算
  2. 超伝導状態内の谷分極ダイナミクスの考慮
  3. 理論予測の実験的検証
  4. 他の二次元材料系への拡張

深度評価

利点

  1. 理論的革新性が強い：電流調整谷分極のSDEメカニズムを初めて提案
  2. 物理像が明確：単純なモデルを通じて複雑現象の本質を解明
  3. 数値計算が充分：パラメータ空間と外場効果を系統的に研究
  4. 実験との関連性が高い：ねじれグラフェン実験と高度に関連
  5. 予測価値が大きい：新たな再入超伝導現象を予測

不足点

  1. モデル簡略化が過度：スピン自由度と更に複雑な配対メカニズムを無視
  2. 自洽性が不十分：線形近似の適用範囲が限定的
  3. 実験検証が欠如：理論予測を直接支持する実験証拠が不足
  4. 定量精度が限定的：パラメータ推定がやや粗い

影響力

  1. 学術的影響：極端なSDEの理解に向けた新たな理論的枠組みを提供
  2. 応用前景：高効率超伝導ダイオード設計に指針を提供
  3. 啓発的意義：他の谷電子学系への推広が可能

適用場面

  1. ねじれグラフェン超伝導系
  2. 谷自由度を有する他の二次元材料
  3. 谷分極と超伝導が共存する系
  4. 高効率超伝導ダイオードが必要なデバイス応用

参考文献

本論文は66篇の関連文献を引用しており、SDEの実験観測、理論メカニズム、ねじれグラフェン物理など複数の側面をカバーし、研究に堅実な基礎を提供している。重要な参考文献にはSDEの初期観測7、ねじれグラフェンにおける極端な非相反性実験12、および関連する理論研究33,34などが含まれる。