2025-11-12T16:37:10.450975

Strain Mediated Voltage Control of Magnetic Anisotropy and Magnetization Reversal in Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Films and Meso-structures

Misba, Gross, Hayashi et al.

We report on magnetic anisotropy modulation in Bismuth substituted Yttrium Iron Garnet (Bi-YIG) thin films and mesoscale patterned structures deposited on a PMN-PT substrate with the application of voltage-induced strain. The Bi content is selected for low coercivity and higher magnetostriction than that of YIG, yielding significant changes in the hysteresis loops through the magnetoelastic effect. The piezoelectric substrate is poled along its thickness, which is the [011] direction, by applying a voltage across the PMN-PT/SiO2/Bi-YIG/Pt heterostructure. In-situ magneto-optical Kerr effect microscopy (MOKE) shows the modulation of magnetic anisotropy with voltage-induced strain. Furthermore, voltage control of the magnetic domain state of the Bi-YIG film at a fixed magnetic field produces a 90Â° switching of the magnetization easy axis above a threshold voltage. The magnetoelectric coefficient of the heterostructure is 1.05x10^(-7)s/m which is competitive with that of other ferromagnetic oxide films on ferroelectric substrates such as La0.67Sr0.33MnO3/PMNPT and YIG/PMN-PZT. Voltage-control of magnetization reversal fields in 5-30 microns wide dots and racetracks of Bi-YIG show potential for energy efficient non-volatile memory and neuromorphic computing devices.

academic

ひずみ媒介型電圧制御による磁気異方性と磁化反転の制御：ビスマス置換イットリウム鉄ガーネット薄膜およびメソ構造

基本情報

論文ID: 2501.00980
タイトル: Strain Mediated Voltage Control of Magnetic Anisotropy and Magnetization Reversal in Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Films and Meso-structures
著者: Walid Al Misba、Miela Josephine Gross、Kensuke Hayashi、Daniel B. Gopman、Caroline A. Ross、Jayasimha Atulasimha
分類: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
研究機関: バージニア連邦大学、マサチューセッツ工科大学、名古屋大学、米国国立標準技術研究所
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2501.00980

要旨

本研究は、PMN-PT基板上に堆積されたビスマス置換イットリウム鉄ガーネット(Bi-YIG)薄膜およびメソスケール加工構造において、電圧誘起ひずみを通じた磁気異方性変調の成果を報告している。特定のBi含有量を選択することで、YIGよりも低い保磁力とより高い磁ひずみを実現し、磁弾性効果により磁気ヒステリシスループに顕著な変化をもたらした。PMN-PT/SiO₂/Bi-YIG/Pt異種構造に電圧を印加することで、厚さ方向(011方向)に圧電基板を分極させた。その場磁気光学カー効果(MOKE)顕微鏡により、電圧誘起ひずみが磁気異方性に与える調整効果を観察した。固定磁場下において、電圧制御によるBi-YIG薄膜の磁区状態の90°磁化容易軸切り替えが実現された。この異種構造の磁電係数は1.05×10⁻⁷ s/mであり、他の強磁性酸化物薄膜の鉄電性基板上での性能と同等である。5～30マイクロメートル幅のBi-YIGドット構造およびトラック構造における電圧制御磁化反転場は、省エネルギー型不揮発性メモリおよびニューロモルフィック計算デバイスへの応用の可能性を示している。

研究背景と動機

問題背景

消費電力の問題: 現在の磁気ランダムアクセスメモリは、書き込みに約10¹¹ A/m²の電流密度を必要とし、消費電力は約10 fJであるのに対し、マルチフェロイック素子ではわずか1～100 aJである
磁電結合の必要性: 高密度で低消費電力の磁性メモリデバイスを実現するため、電場による磁化制御が必要である
材料的制限: 単相マルチフェロイック材料は直接的な磁電結合を示すが、複合異種構造は3～4桁強い磁電結合を提供する

研究動機

ひずみ伝達機構: 鉄電-強磁性複合異種構造におけるひずみ伝達機構を利用した低熱散逸および高磁電結合係数の実現
材料的利点: Bi-YIGは低損失正接、大きなドメイン壁速度、低ギルバート減衰、および磁気光学活性などの利点を有する
プロセス上の課題: 圧電化合物上での強磁性ガーネット成長における格子不整合問題の解決

核心的貢献

Bi-YIG/PMN-PT異種構造における90°磁化容易軸の電圧制御切り替えの初実現
SiO₂バッファ層技術の開発により、ガーネットの圧電基板上での格子整合問題を解決
1.05×10⁻⁷ s/mの磁電係数を取得し、他の酸化物強磁性/鉄電性システムと同等の性能を実現
マイクロメートルスケール加工構造における電圧制御磁化反転の実現により、メモリおよびニューロモルフィックデバイスへの応用の可能性を実証
MOKE顕微鏡による磁区ダイナミクスのその場観察の実現

方法論の詳細

材料製造

基板処理: 0.5mm厚(011)方位PMN-PT基板上に高周波マグネトロンスパッタリングで2.4nm非晶質SiO₂バッファ層を形成
薄膜成長: パルスレーザー堆積(PLD)を用いて室温でYIGおよびBFOターゲットを共堆積し、Bi₂.₁₃Y₁.₄₀Fe₅Oₓ組成の45.6nm厚Bi-YIG薄膜を得た
後処理: 600°Cの炉内で72時間焼鈍してガーネット構造を結晶化

異種構造設計

異種構造はPMN-PT/SiO₂/Bi-YIG/Ptであり、以下の構成である：

PMN-PT: 圧電基板、011方向に分極
SiO₂: 2.4nmバッファ層、エピタキシャル成長による正フェライト構造の形成を防止
Bi-YIG: 45.6nm強磁性層
Pt: 上部電極

磁弾性エネルギーモデル

磁弾性エネルギー式は以下の通りである：

$F_{me} = -\frac{3}{2}\lambda_s\frac{Y}{1+\nu}\varepsilon_{xx}\sin^2\theta\cos^2\varphi - \frac{3}{2}\lambda_s\frac{Y}{1+\nu}\varepsilon_{yy}\sin^2\theta\sin^2\varphi$