2025-11-18T11:22:13.563574

TReCiM: Lower Power and Temperature-Resilient Multibit 2FeFET-1T Compute-in-Memory Design

Zhou, Kämpfe, Ni et al.
Compute-in-memory (CiM) emerges as a promising solution to solve hardware challenges in artificial intelligence (AI) and the Internet of Things (IoT), particularly addressing the "memory wall" issue. By utilizing nonvolatile memory (NVM) devices in a crossbar structure, CiM efficiently accelerates multiply-accumulate (MAC) computations, the crucial operations in neural networks and other AI models. Among various NVM devices, Ferroelectric FET (FeFET) is particularly appealing for ultra-low-power CiM arrays due to its CMOS compatibility, voltage-driven write/read mechanisms and high ION/IOFF ratio. Moreover, subthreshold-operated FeFETs, which operate at scaling voltages in the subthreshold region, can further minimize the power consumption of CiM array. However, subthreshold-FeFETs are susceptible to temperature drift, resulting in computation accuracy degradation. Existing solutions exhibit weak temperature resilience at larger array size and only support 1-bit. In this paper, we propose TReCiM, an ultra-low-power temperature-resilient multibit 2FeFET-1T CiM design that reliably performs MAC operations in the subthreshold-FeFET region with temperature ranging from 0 to 85 degrees Celcius at scale. We benchmark our design using NeuroSim framework in the context of VGG-8 neural network architecture running the CIFAR-10 dataset. Benchmarking results suggest that when considering temperature drift impact, our proposed TReCiM array achieves 91.31% accuracy, with 1.86% accuracy improvement compared to existing 1-bit 2T-1FeFET CiM array. Furthermore, our proposed design achieves 48.03 TOPS/W energy efficiency at system level, comparable to existing designs with smaller technology feature sizes.
academic

TReCiM: 低消費電力および温度耐性マルチビット2FeFET-1T計算機能付きメモリ設計

基本情報

  • 論文ID: 2501.01052
  • タイトル: TReCiM: Lower Power and Temperature-Resilient Multibit 2FeFET-1T Compute-in-Memory Design
  • 著者: Yifei Zhou, Thomas Kämpfe, Kai Ni, Hussam Amrouch, Cheng Zhuo, Xunzhao Yin
  • 分類: cs.ET (新興技術)
  • 発表時期: 2025年1月
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2501.01052

要約

計算機能付きメモリ(Compute-in-Memory, CiM)は、人工知能およびIoTハードウェアの課題、特に「メモリの壁」問題を解決する有望なソリューションとして機能します。クロスバーアレイ構造内で不揮発性メモリ(NVM)デバイスを使用することにより、CiMは神経ネットワークにおける重要な演算である乗算累積(MAC)演算を効率的に加速できます。様々なNVMデバイスの中でも、鉄電性電界効果トランジスタ(FeFET)はCMOS互換性、電圧駆動型の書き込み/読み込みメカニズム、および高いION/IOFF比により、超低消費電力CiMアレイに特に適しています。サブスレッショルド動作するFeFETはさらに消費電力を最小化できますが、温度ドリフトの影響を受けやすく、計算精度の低下につながります。本論文はTReCiMを提案します。これは超低消費電力で温度耐性を備えたマルチビット2FeFET-1T CiM設計であり、0°C～85°C温度範囲内でMAC演算を確実に実行できます。NeuroSimフレームワークを使用したVGG-8神経ネットワークおよびCIFAR-10データセット上のベンチマークテストでは、温度ドリフトの影響を考慮した場合、TReCiMアレイは91.31%の精度を達成し、既存の1ビット2T-1FeFET CiMアレイより1.86%向上しています。さらに、本設計はシステムレベルで48.03 TOPS/Wのエネルギー効率を達成し、より小さいプロセス技術ノードの既存設計と同等です。

研究背景と動機

問題背景

  1. メモリの壁問題: 従来のフォン・ノイマン型アーキテクチャは、処理ユニットとストレージユニット間の頻繁なデータ転送による高消費電力とパフォーマンスボトルネックに直面しています
  2. エッジAI需要: AIおよびIoTアプリケーションは大量のMAC演算を必要とし、エネルギー効率に対する要求が極めて高いです
  3. 既存CiMの制限: 計算機能付きメモリ技術はメモリの壁問題を解決できますが、既存設計は温度耐性とマルチビット保存の面で不十分です

研究動機

  1. FeFETの利点: FeFETはCMOS互換性、低リーク電流、高いION/IOFF比などの利点を備えており、超低消費電力アプリケーションに適しています
  2. サブスレッショルド動作: サブスレッショルド領域での動作により消費電力を大幅に削減できますが、温度感度が増加します
  3. 既存ソリューションの制限:
    • 既存の温度耐性設計は大規模アレイでのパフォーマンスが不十分です
    • 1ビット保存のみをサポートし、ストレージ密度を制限します
    • 2T-1FeFET設計は追加の放電時間が必要で、遅延を増加させます

主要な貢献

  1. TReCiMアーキテクチャの提案: 0°C～85°C温度範囲をサポートする初の温度耐性マルチビット2FeFET-1T CiM設計
  2. 革新的な2FeFETクランプ構造: 相補絶対温度(CTAT)特性を利用した温度補償の実装
  3. マルチビット保存機能: FeFETのマルチレベルセル(MLC)特性を利用した2ビット以上の保存
  4. システムレベル検証: NeuroSimフレームワークに基づく完全なシステムレベル評価とベンチマークテスト
  5. パフォーマンス向上: 既存ソリューションと比較して温度耐性で3倍向上、エネルギー効率は48.03 TOPS/Wを達成

方法論の詳細

タスク定義

広い温度範囲(0°C～85°C)で安定して動作し、神経ネットワークのMAC演算をサポートし、高精度とエネルギー効率を維持できる超低消費電力マルチビットCiMアレイを設計します。

モデルアーキテクチャ

2FeFET-1Tセル設計

主要コンポーネント:

  • M1, M2: 2つのFeFETデバイス、クランプ構造を形成
  • M3: NMOS トランジスタ、出力制御として機能
  • 制御信号: WL1, WL2(ワード線), DL(データ線), BL(ビット線), SL(ソース線)

動作原理:

  1. 書き込み動作: WL1およびWL2を介して異なる電圧(±4V)を印加してFeFET状態を設定
  2. 読み込み動作: WL電圧を制御してMAC演算を実現
  3. 温度補償: MOSFETのCTAT特性とフィードバックメカニズムを利用

マルチビット保存の実装

  • 状態'0': M2はVTH1状態、M1はVTH0状態
  • 状態'1': M1およびM2の両方がVTH1状態(クランプ構成)
  • 状態'2'以上: M1は異なるVTH状態、M2はオフ

技術的革新点

1. 2FeFETクランプ構造

保存状態'1'の場合:
- M1およびM2は分圧器を形成
- 中間ノードVS電圧は安定してクランプされる
- 温度ドリフトの影響を大幅に削減

2. CTAT温度補償メカニズム

サブスレッショルド領域MOSFET漏電流式:

ID = I0 * exp(Vgs / (ξVT))
ここで VT = kT/q

温度フィードバックメカニズム:

  • 温度上昇 → M1漏電流増加 → VS電圧上昇 → M3出力電流増加
  • ただしCTAT特性により、電流増加幅は抑制され、出力変動が減少

3. アレイレベル設計

  • 8行×複数列構造: 並列MAC演算をサポート
  • フラッシュADC: 電流感知アンプを使用して感知遅延を削減
  • 共有ADC: 8列が1つの3ビットADCを共有し、面積とパフォーマンスのバランスを取る

実験設定

シミュレーション環境

  • SPICEシミュレーション: Intel FinFETモデルおよびPreisach FeFETコンパクトモデルを使用
  • NeuroSimフレームワーク: サブスレッショルドFeFETおよび温度効果をサポートするよう改変
  • プロセス技術ノード: 45nmテクノロジー
  • 電源電圧: サブスレッショルド設計Vdd=0.8V、飽和設計Vdd=1.0V

データセット

  • 神経ネットワーク: VGG-8アーキテクチャ
  • データセット: CIFAR-10
  • ネットワーク構造: 6つの畳み込み層 + 2つの全結合層
  • 量子化: WAGEモデルを使用したハードウェア量子化

評価指標

  1. 温度耐性: ノイズマージン率(NMR)および最小NMR値
  2. 精度: 神経ネットワーク推論精度
  3. エネルギー効率: TOPS/W(ワットあたりの兆回演算)
  4. 面積: チップ面積利用率
  5. スループット: 演算速度

比較手法

  • 1FeFET-1R: 基本的な単一FeFET設計
  • 2T-1FeFET: 既存の温度耐性設計
  • その他のNVM: RRAM、PCMなどの技術

実験結果

主要な結果

温度耐性検証

  • 1ビットTReCiM: NMRmin = 0.291 (0-85°C), NMRmin = 2.6 (20-85°C)
  • 温度耐性向上: 1FeFET-1R設計と比較して3倍向上
  • 2T-1FeFETとの比較: 1.06倍向上

神経ネットワークパフォーマンス

設計方案精度エネルギー効率(TOPS/W)ビット幅
TReCiM (1-bit)92.00%26.061
TReCiM (2-bit)91.31%48.032
2T-1FeFET~89.45%~21.01
1FeFET-1R (サブスレッショルド)<85%~15.01

アブレーション実験

プロセス変動の影響

  • モンテカルロシミュレーション: 500回実行、σVT = 54mV
  • 状態'1': 100%精度、変動はわずか3.89%
  • 状態'2': 変動20.8%
  • 状態'3': 変動17.1%

温度特性分析

異なる保存状態の温度感度:

  • 状態'1': 温度ドリフトは無視できる(クランプ効果)
  • 状態'2': 最大変動32.9%
  • 状態'3'以上: VTHの低下に伴い、温度感度は減弱

ケーススタディ

VGG-8ネットワークにおいて、重み分布は:

  • 重み'0': 27.2%
  • 重み'1': 24.1%
  • 重み'2': 23.5%
  • 重み'3': 25.2%

総合変動率は13.9%で、最終推論精度は91.31%に達しています。

関連研究

CiM技術の発展

  1. NVM技術: ReRAM、PCM、FeFETなどのCiMへの応用
  2. サブスレッショルド計算: 消費電力削減だが温度感度増加
  3. 温度耐性設計: 既存ソリューションは主にTCAMおよび単純なCiM構造に焦点

FeFET研究の現状

  1. デバイスモデリング: NCFET、Preisach、モンテカルロなどのモデル
  2. 回路応用: 主にメモリおよび単純な計算ユニットに集中
  3. 温度効果: FeFETパフォーマンスに対する温度の影響に焦点を当てた研究は少数

本論文の利点

既存研究と比較して、本論文は初めて以下を実現しました:

  • マルチビット保存の温度耐性CiM設計
  • システムレベルの温度効果モデリングと検証
  • 神経ネットワークアプリケーションにおける完全な評価

結論と考察

主要な結論

  1. 技術的実現可能性: 2FeFET-1T構造は温度耐性とマルチビット保存を成功裏に実現
  2. パフォーマンス上の利点: 低消費電力を維持しながら温度耐性を大幅に向上
  3. システム価値: 実際の神経ネットワークアプリケーションで設計の有効性を検証

制限事項

  1. 部分的な状態感度: 保存状態'2'以上は依然として一定の温度感度を有します
  2. プロセス依存性: パフォーマンスはFeFETデバイスのプロセス成熟度に依存
  3. ADCオーバーヘッド: マルチビット設計はより高精度のADCが必要で、面積と消費電力が増加
  4. 温度範囲: 0～85°Cをカバーしていますが、極端な温度ではパフォーマンスが低下

今後の方向性

  1. デバイス最適化: FeFETデバイス特性をさらに最適化して温度感度を削減
  2. 回路改善: より高いビット幅保存の温度耐性設計を探索
  3. システム統合: オンチップ温度センサーと組み合わせて動的補償を実現
  4. アプリケーション拡張: より多くのAIアプリケーションシナリオで設計効果を検証

深度評価

利点

  1. 革新性が高い: マルチビット温度耐性FeFET CiM設計を初めて提案、技術ルートが新規
  2. 理論が堅実: CTAT特性に基づく温度補償メカニズムは堅実な物理的基礎を有します
  3. 検証が充分: デバイスからシステムレベルまでの完全な検証チェーン
  4. 実用価値: 実際の神経ネットワークアプリケーションで設計価値を実証
  5. パフォーマンスが優秀: エネルギー効率と精度の両面で先進的なレベルを達成

不足点

  1. 温度補償の限界: 高位保存状態に対して温度補償効果が限定的
  2. 複雑性の増加: 2FeFET構造は単一FeFETと比較して設計複雑性を増加
  3. プロセス要件: FeFETデバイスの一貫性に対する要件が高い
  4. 拡張性: より大規模なアレイでのパフォーマンス表現をさらに検証する必要があります

影響力

  1. 学術価値: 温度耐性CiM設計に新しい技術パスを提供
  2. 産業的意義: エッジAIチップ設計に重要な参考価値を有します
  3. 技術推進: CiMアプリケーションにおけるFeFET技術発展を推進

適用シーン

  1. エッジAI: 消費電力に敏感なエッジ推論アプリケーション
  2. IoTデバイス: 温度変化が大きいIoT環境
  3. モバイルコンピューティング: エネルギー効率に対する要求が極めて高いモバイルデバイス
  4. 産業制御: 広い温度範囲で動作する必要がある産業用途

参考文献

論文は42篇の関連文献を引用しており、CiM技術、FeFETデバイス、温度効果、神経ネットワークアクセラレータなど複数の分野をカバーしており、研究に堅実な理論的基礎を提供しています。主要な参考文献にはNeuroSimフレームワーク、FeFETモデリング、および関連するCiM設計研究が含まれます。

総合評価: これは温度耐性CiM設計の分野で重要な貢献をした高品質な技術論文です。論文の技術ルートは明確で、実験検証は充分であり、AI加速器におけるFeFETの応用推進に重要な意義を有しています。いくつかの側面でなお改善の余地がありますが、全体的には当該分野の重要な進展を代表しています。