A non-equilibrium state in a Rashba system under an in-plane magnetic field is identified as the origin of the Josephson diode effect. This state is induced by a current bias--necessary for measuring the current-voltage characteristics--which shifts the Fermi momentum away from equilibrium. This essential mechanism has been overlooked in previous studies. This oversight stems from the implicit assumption that the equilibrium-based formulations are sufficient to describe Josephson effect. We formulate the Josephson coupling via the non-equilibrium Rashba system under current bias using a tunneling Hamiltonian, where the Rashba system is modeled as one-dimensional. When the magnetic field is applied perpendicular to the current, the Josephson coupling becomes asymmetric, giving rise to the diode effect. The magnitude and sign of this effect depend on the distance between the superconducting electrodes $d$, the in-plane magnetic field, and the spin-orbit coupling strength. Our results clarify the microscopic origin of the Josephson diode effect, which can be optimized by tuning $d$.
論文ID : 2501.05671タイトル : Josephson diode effect via a non-equilibrium Rashba system著者 : Michiyasu Mori, Wataru Koshibae, Sadamichi Maekawa分類 : cond-mat.supr-con cond-mat.mes-hall発表日 : 2025年10月17日論文リンク : https://arxiv.org/abs/2501.05671 本論文は、面内磁場下のラシュバ系における非平衡状態がジョセフソン整流効果の起源であることを明らかにしている。この非平衡状態は、電流-電圧特性の測定に必要な電流バイアスによって生じ、フェルミ運動量が平衡状態から逸脱する。この重要なメカニズムは従来の研究で見落とされてきた。その主な理由は、平衡状態の公式がジョセフソン効果の記述に十分であるという暗黙の仮定にある。著者らはトンネルハミルトニアンを用いて、非平衡ラシュバ系を通じたジョセフソン結合理論を確立し、ラシュバ系を一次元系としてモデル化している。磁場が電流に垂直に印加される場合、ジョセフソン結合は非対称となり、整流効果が生じる。この効果の大きさと符号は、超伝導電極間距離d、面内磁場、およびスピン軌道結合強度に依存する。
解決すべき問題 : 従来のジョセフソン接合の臨界電流Icは正負方向で同じ大きさを持つが、ジョセフソン整流効果はIcの大きさを電流方向に依存させる。本論文はこの効果の微視的起源を明らかにすることを目的としている。問題の重要性 : ジョセフソン整流効果は超伝導エレクトロニクスと量子デバイスにおいて重要な応用前景を持ち、その物理メカニズムの理解はデバイスの最適設計に不可欠である。既存手法の限界 : 従来の研究は平衡状態の理論枠組みに基づいており、電流バイアスによる非平衡効果を無視していた。これはジョセフソン整流効果の理解における重要な欠陥である。研究動機 : 電流バイアス下の非平衡状態を考慮することで、ジョセフソン整流効果の微視的メカニズムを説明する完全な理論枠組みを確立し、デバイス最適化の指導原理を提供する。重要メカニズムの特定 : ジョセフソン整流効果が電流バイアスによる非平衡状態に由来することを初めて明確に指摘し、非平衡状態理論の重要性を強調した。理論枠組みの確立 : トンネルハミルトニアンを用いて、電流バイアスを考慮した非平衡ラシュバ系のジョセフソン結合理論を構築した。距離依存性の解明 : 整流効果が超伝導電極間距離dに対して敏感に依存することを発見・分析し、デバイス最適化の新しい方法を提供した。設計指針の提供 : 解析結果を通じて、dの調整により整流効果の大きさと符号を最適化する方法を明らかにした。ラシュバ系を通じて接続された2つの超伝導体からなるジョセフソン接合の、面内磁場と電流バイアス下での輸送特性、特に臨界電流の非対称性(整流効果)を研究する。
全ハミルトニアン :
H = H_SCL + H_SCR + H_M + H_TL + H_TR
ここで:
H_SCL, H_SCR: 左右超伝導電極のハミルトニアン H_M: 一次元ラシュバ系のハミルトニアン H_TL, H_TR: 超伝導体とラシュバ系間のトンネルハミルトニアン 主要物理パラメータ :
αR: ラシュバスピン軌道結合強度 hy: y方向面内磁場 d: 超伝導電極間距離 qex: 電流バイアスによるフェルミ運動量シフト ジョセフソン結合表現式 :
ここでVファクターはスピン軌道相互作用を含む:
V = cos(Λ-d/ℏvF)cos(Λ+d/ℏvF) - (γhz)²/(Λ-Λ+)sin(Λ-d/ℏvF)sin(Λ+d/ℏvF) + (λ--λ+)/(Λ-Λ+)sin(Λ-d/ℏvF)sin(Λ+d/ℏvF)
非平衡状態の処理 : フェルミ運動量シフト qex = -2πIB/(ev0) を通じて、電流バイアス下の非平衡状態を記述する。ゲージ不変性 : ゲージ変換を利用して位相差をベクトルポテンシャルに変換し、自然にフェルミ運動量シフトを導入する。四次摂動論 : トンネル行列要素の四次摂動下でジョセフソン結合を計算し、スピン反転過程を含める。解析的求解 : hz = 0の場合、解析表現式を得る:V = cos[(αRqex/ℏvF + 2γhy/ℏvF)d]
フェルミ速度: vF = 10^4 m/s 臨界電流: Ic0 ~ 1 nA ラシュバ結合: αR = 10-100 meVÅ 磁場: hy = 0.01-0.2 T 電極間距離: d = 50-200 nm 非対称比率は以下のように定義される:
Q = (I+c - I-c)/(I+c + I-c)
自己無撞着方程式系を数値的に解くことで正負の臨界電流を決定する:
I±c/Ic0 = cos[(ξαR(I±c/Ic0) ∓ ζhy)d]
距離依存性 :小距離時: Q ∝ d² 解析近似: Q ~ (ξαR)·(ζhy)·d² 符号反転点が存在: d = π/(ζhy) パラメータ依存性 :QはαRに対して線形に増加(小αRの場合) Qはhyに対して線形に増加 大きなパラメータでは飽和効果が現れる 最適化条件 : dの調整により整流効果の大きさと符号を最適化でき、デバイス設計に指針を提供する。三要素の必要性 : αR、hy、dの3つの要因は必須であり、いずれか1つがゼロでも整流効果は生じない。符号の規則性 : I+c - I-cの符号はαR·hyの符号によって決定され、αRの符号を確定するために使用できる。距離制御 : スピン軌道結合の調整と比較して、電極間距離dの調整は実験的により容易に実現できる。本論文は多数の関連研究を引用しており(参考文献19-36)、主に以下を含む:
スピン軌道結合に基づくジョセフソン整流効果の実験 トポロジカル絶縁体表面の整流効果理論 様々な材料系における整流効果の研究 本論文の主な優位性は:
非平衡状態の重要性を初めて強調 完全な微視的理論枠組みを提供 距離依存性という新しい制御次元を解明 非平衡の本質 : ジョセフソン整流効果は本質的に非平衡現象であり、電流バイアスによるフェルミ運動量シフトに由来する。微視的メカニズム : 効果は四次トンネル過程におけるスピン反転項に由来し、スピン軌道結合、磁場、電流バイアスの同時存在が必要である。距離制御 : 電極間距離dは整流効果を最適化するための有効なパラメータであり、材料パラメータの調整より実用的である。一次元モデル : 一次元線形化分散関係を採用しており、実際の二次元または三次元系を完全に記述できない可能性がある。定常トンネル行列要素 : トンネル行列要素を定数と仮定しているが、実際にはより複雑である可能性がある。低次近似 : いくつかの結果は小パラメータ展開に基づいており、大きなパラメータでは精度が低下する可能性がある。二次元および三次元系への拡張 より複雑なトンネル過程の考慮 距離依存性の予測の実験的検証 理論的革新 : ジョセフソン整流効果における非平衡状態の重要な役割を初めて強調し、この分野の理論的欠陥を是正した。方法の厳密性 : 標準的な多体理論方法を使用し、計算過程は明確で結果は信頼できる。実用的価値 : 解明された距離依存性は実験設計に新しい制御手段を提供する。物理的洞察 : ジョセフソン整流効果の微視的メカニズムについて深い理解を提供する。モデルの簡略化 : 一次元モデルは過度に簡略化されており、実際の材料の複雑性が十分に考慮されていない可能性がある。パラメータ推定 : いくつかの材料パラメータの選択が十分に正確でない可能性があり、定量的予測に影響する。実験的検証 : 直接的な実験的検証が欠けており、特に距離依存性の予測について。理論的貢献 : ジョセフソン整流効果に新しい理論枠組みを提供し、後続の理論研究を促発する可能性がある。実用的価値 : 距離制御の発見はデバイス最適化に新しい方法を提供する。再現性 : 理論的導出は明確であり、結果は容易に再現・検証できる。ラシュバ系に基づくジョセフソン接合デバイス設計 超伝導スピンエレクトロニクスデバイス開発 量子コンピュータにおける超伝導量子ビットの最適化 トポロジカル超伝導体関連の基礎研究 本論文は36篇の関連文献を引用しており、ジョセフソン整流効果の実験的発見、理論的研究、および関連する材料系を網羅し、この分野に包括的な文献基盤を提供している。
総評 : これは高品質な理論物理論文であり、ジョセフソン整流効果の理解において重要な進展を遂げている。非平衡状態の重要性を強調し、距離依存性を解明することで、この分野に新しい理論的視点と実用的指針を提供している。モデルの簡略化などの限界があるにもかかわらず、その理論的貢献と潜在的な応用価値により、この分野における重要な業績となっている。