2025-11-10T02:49:52.806425

Spin-orbit interaction in tubular prismatic nanowires

Sitek, Erlingsson, Manolescu

We theoretically study the spin-orbit interaction in the outer regions of core-shell nanowires that can act as tubular, prismatic conductors. The polygonal cross section of these wires induces non-uniform electron localization along the wire perimeter. In particular, low-energy electrons accumulate in the corner regions, and in the case of narrow shells, conductive channels form along the sharp edges. In contrast, higher-energy electrons are shifted toward the facets. These two groups of states may be separated by large energy gaps, which can exceed the room-temperature energy in the case of triangular geometries. We compare the impact of spin-orbit interaction on the corner and side states of hexagonal and triangular shells grown on hexagonal cores as well as on triangular shells grown on triangular cores. We find that the spin-orbit splitting, and thus the degeneracy of energy states at finite wave vectors, strongly depend on the tube's geometry. We demonstrate that the weak spin-orbit coupling observed in clean wires can be significantly enhanced if the intermixing of core and shell materials takes place. Moreover, we show that the energy spectrum in the presence of spin-orbit interaction allows for estimating the interaction between states and shows that triangular shells can act as three independent wires in the low-energy regime, while they behave as interacting systems at higher-energy ranges.

academic

管状柱状ナノワイヤにおけるスピン軌道相互作用

基本情報

論文ID: 2506.07677
タイトル: Spin-orbit interaction in tubular prismatic nanowires
著者: Anna Sitek, Sigurdur I. Erlingsson, Andrei Manolescu
分類: cond-mat.mes-hall
発表日: 2025年10月16日 (arXiv プレプリント)
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2506.07677

要旨

本論文は、コア・シェル型ナノワイヤの外層領域におけるスピン軌道相互作用(SOI)を理論的に研究しており、これらの領域は管状柱状導体として機能する。ナノワイヤの多角形横断面は、電子を線周辺に不均一に局在させる。特に、低エネルギー電子は角領域に集中し、狭いシェルの場合、導電チャネルは鋭い辺に沿って形成される。対照的に、高エネルギー電子は面領域に移動する。これら2つの状態群は大きなエネルギーギャップで分離される可能性があり、三角形幾何の場合は室温エネルギーを超える。本研究は、六角形および三角形シェルの角状態と辺状態に対するスピン軌道相互作用の影響、および三角形コア上に成長した三角形シェルの場合を比較している。スピン軌道分裂と有限波数ベクトルにおける状態の縮退度は、管の幾何形状に強く依存することが判明した。

量子デバイス応用: SOIはスピン軌道量子ビット、スピントランジスタ、スピンフィルタなどのデバイスにおいて重要な役割を果たす
マヨラナ状態の実現: SOIは半導体ナノワイヤにおけるマヨラナ状態の形成に必須であり、トポロジカル量子計算に重要な意義を持つ
幾何学的効果の探索: 多角形横断面によって引き起こされる電子局在現象およびそのSOIとの相互作用は、まだ十分に理解されていない

既存方法の限界

ほとんどの研究は単一材料系または円筒形構造に集中している
柱状シェルにおけるSOIのバンド構造モデルが不足しているか少ない
内部幾何構造のSOIへの影響を無視している

研究動機

著者グループは、コア・シェル型ナノワイヤの外層領域でマヨラナ状態を担持することを提案しており、柱状幾何形状がSOIに与える影響を深く理解する必要があり、デバイス設計に理論的基礎を提供する。

核心的貢献

柱状管状ナノワイヤのSOIの理論モデルを確立: k·p方法に基づき、多角形横断面の幾何学的効果を考慮
幾何形状のSOIへの決定的影響を明らかに: 六角形、三角形、Tri-Hex構造が異なるスピン軌道分裂特性を示すことを発見
SOI増強メカニズムを提案: コア・シェル材料混合を通じて、本来弱いSOIを大幅に増強できることを示唆
三角形シェルの独特な性質を発見: 低エネルギー領域では3つの独立した導線として、高エネルギー領域では相互作用系として機能
エネルギーギャップエンジニアリングの理論的指導を提供: 三角形幾何は室温を超えるエネルギーギャップを生成可能

H = [H_cc  H_cv]
    [H_cv† H_vv]

ここでH_ccおよびH_vvはそれぞれ伝導帯と価電子帯を記述し、H_cvは結合項である。

伝導帯ハミルトニアン

H_cc = (p²/2m₀ + V(x,y))I₂×₂

ポテンシャルエネルギーは2つの部分から構成:

V(x,y) = V_BO(x,y) + V_E(x,y)

V_BO: 拡張バンドオフセットポテンシャル
V_E: 外部電場ポテンシャル

フォールディング変換後の有効ハミルトニアン

フォールディング変換により、伝導電子のみを記述する有効ハミルトニアンを取得:

H_eff = {ℏ²/2m* (k_z² - ∂²/∂x² - ∂²/∂y²) + V(x,y)}I₂×₂ + k_z(αₓσₓ + αᵧσᵧ)

ここでRashba係数は:

αₓ(x,y) = -α₀ ∂V/∂y
αᵧ(x,y) = α₀ ∂V/∂x

技術的革新点

極座標格子離散化: 任意の多角形横断面に適用可能な数値方法を開発
材料混合モデリング: 混合長さrパラメータを導入してコア・シェル材料の段階的混合を記述
幾何学的制約処理: 極座標格子に多角形制約を重ね合わせ、シェル領域を正確に記述
境界条件設定: シェル-真空およびコア-シェル境界でDirichlet境界条件を採用

実験設定

材料パラメータ

InAsシェル: E_g = 417 meV, Δ_so = 390 meV, P₀ = 9×10⁻¹⁰ eVs
InPコア: E_g = 1423.6 meV
伝導帯オフセット: V_CBO = 656.6 meV

幾何学的パラメータ

コア半径: R_c = 40 nm (一部の場合は20 nm)
シェル厚さ: d = 8-24 nm
混合長さ: r = 2 nm から r = d

数値設定

六角形シェル: >6000格子点
三角形線: >7000格子点
Tri-Hex構造: 6200-7200格子点

電子局在パターン:
- 低エネルギー電子は角領域に集中
- 高エネルギー電子は面領域に分布
- 三角形およびTri-Hex構造では角状態が独立した導電チャネルを形成
エネルギーギャップサイズ:
- 六角形: Δ_Hex = 6 meV
- 三角形: Δ_Tri = 33 meV
- Tri-Hex: Δ_Tri-Hex = 31 meV