2025-11-13T07:49:11.035604

Transferable Parasitic Estimation via Graph Contrastive Learning and Label Rebalancing in AMS Circuits

Shen, Hua, Zou et al.
Graph representation learning on Analog-Mixed Signal (AMS) circuits is crucial for various downstream tasks, e.g., parasitic estimation. However, the scarcity of design data, the unbalanced distribution of labels, and the inherent diversity of circuit implementations pose significant challenges to learning robust and transferable circuit representations. To address these limitations, we propose CircuitGCL, a novel graph contrastive learning framework that integrates representation scattering and label rebalancing to enhance transferability across heterogeneous circuit graphs. CircuitGCL employs a self-supervised strategy to learn topology-invariant node embeddings through hyperspherical representation scattering, eliminating dependency on large-scale data. Simultaneously, balanced mean squared error (BMSE) and balanced softmax cross-entropy (BSCE) losses are introduced to mitigate label distribution disparities between circuits, enabling robust and transferable parasitic estimation. Evaluated on parasitic capacitance estimation (edge-level task) and ground capacitance classification (node-level task) across TSMC 28nm AMS designs, CircuitGCL outperforms all state-of-the-art (SOTA) methods, with the $R^2$ improvement of $33.64\% \sim 44.20\%$ for edge regression and F1-score gain of $0.9\times \sim 2.1\times$ for node classification. Our code is available at https://github.com/ShenShan123/CircuitGCL.
academic

グラフ対比学習とラベル再バランシングによるAMS回路の転移可能な寄生パラメータ推定

基本情報

  • 論文ID: 2507.06535
  • タイトル: Transferable Parasitic Estimation via Graph Contrastive Learning and Label Rebalancing in AMS Circuits
  • 著者: Shan Shen, Shenglu Hua, Jiajun Zou, Jiawei Liu, Jianwang Zhai, Chuan Shi, Wenjian Yu
  • 分類: cs.LG cs.SY eess.SY
  • 投稿日時: 2025年10月10日 (arXiv投稿)
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2507.06535

要旨

本論文は、アナログ・ミックスドシグナル(AMS)回路の寄生パラメータ推定問題に対して、CircuitGCLフレームワークを提案している。本フレームワークは、グラフ対比学習とラベル再バランシング技術を通じて、回路設計データの稀少性、ラベル分布の不均衡、および回路実装の多様性がもたらす課題に対処している。CircuitGCLは自己教師あり戦略を採用し、超球面表現散射学習を通じてトポロジー不変のノード埋め込みを学習する一方で、バランス平均二乗誤差(BMSE)とバランスソフトマックス交差エントロピー(BSCE)損失関数を導入して、回路間のラベル分布差異を緩和する。TSMC 28nm AMS設計での実験により、本手法は辺回帰タスクでR²を33.64%～44.20%向上させ、ノード分類タスクではF1スコアを0.9×～2.1×向上させることが示された。

研究背景と動機

問題定義

現代的なAMS回路は、アナログモジュール(増幅器、発振器など)とデジタルサブシステム(コントローラ、SRAMアレイなど)を統合しており、設計プロセスにおいて大量の手作業による反復が必要である。プロセスノードが縮小し続けるにつれて、寄生効果はますます重要になり、特に寄生容量は伝播遅延の増加、消費電力の上昇、信号完全性の低下を引き起こし、回路性能に大きな影響を与える。

研究の重要性

従来の設計フローは、レイアウト後シミュレーションに依存して寄生効果を検証しており、この手法は時間がかかり、コストが高い。レイアウト前段階での寄生パラメータ予測は、設計反復回数を大幅に削減し、設計効率を向上させることができる。グラフニューラルネットワーク(GNN)は、回路をグラフ構造としてモデル化し、寄生パラメータ予測を行うための効果的なソリューションを提供する。

既存手法の限界

  1. データ稀少性: 高品質なAMS回路データ(SPICEネットリスト、レイアウト寄生パラメータを含む)は通常、専有であり、生成コストが高い
  2. 回路の多様性: AMS回路はアナログ、デジタル、ミックスドシグナル領域にまたがり、異なる設計原理と性能要件を持つ
  3. ラベル不均衡: 寄生容量分布はロングテール特性を示し、大容量値のサンプルが著しく不足している
  4. 転移可能性の低さ: 既存手法は特定の回路タイプで訓練されており、他の回路トポロジーへの汎化が困難である

核心的な貢献

  1. CircuitGCLフレームワークの提案: 表現散射メカニズム(RSM)をグラフ対比学習に適応させ、未見のAMS設計に直接適用可能な転移可能な表現を生成し、タスク固有の微調整を必要としない
  2. ラベル再バランシング技術: バランス平均二乗誤差とバランスBSCE損失関数を通じて、回路データセットの不均衡問題に対処し、モデルのクロスドメイン転移能力を強化する
  3. 統一的な理論フレームワーク: 分布アライメント原理から出発し、不均衡回帰と分類に対する統一的な理論的基礎を提供する
  4. 広範な適用可能性: 本手法は、抵抗/インダクタンス予測、クロストーク分析、IR圧降推定、およびクロスプロセス転移などのタスクに直接拡張可能である

方法の詳細

タスク定義

入力: AMS回路の回路図ネットリスト。異種グラフG = (V, E)としてモデル化される。ここでノードVはネット、トランジスタデバイス、ピンを表し、辺Eは接続関係をエンコードする 出力:

  • 辺回帰タスク：結合容量値の予測
  • ノード分類タスク：接地容量を離散範囲(小/中/大)に分類

モデルアーキテクチャ

1. グラフ変換モジュール

異種AMS グラフを同種グラフに変換し、ノードタイプ属性X ∈ {0,1,2}^{N×1}を通じてネット、デバイス、ピンノードを区別する。拡張特徴行列X_C ∈ R^{N×d_C}は、詳細な設計パラメータと接続統計情報をキャプチャする。

2. 表現散射メカニズム(RSM)

定義: D次元埋め込み空間R^Dにおいて、RSMは2つの制約を実行する：

  • 中心遠離制約：ノード埋め込みが散射中心cから最大限に分離される
  • 均一性制約：ノード埋め込みが部分空間S_k上に均一に分布する

実装:

h̃_i = h_i / max(||h_i||_2, ε)  # L2正規化
L_scattering = -1/N ∑||h̃_i - c||²_2  # 散射損失
c = 1/N ∑h̃_i  # 散射中心

3. オンラインエンコーダ

ターゲットエンコーダは散射表現H_target = f_φ(A,X)を生成し、オンラインエンコーダは中間表現H_onlineを生成する。予測器q_θ(·)を通じて予測表現z_onlineを取得する。アライメント損失は以下の通りである：

L_alignment = -1/N ∑(z_i^T h_i)/(||z_i||_2 ||h_i||_2)

ターゲットエンコーダのパラメータは指数移動平均を通じて更新される：φ ← τφ + (1-τ)θ

技術的な革新点

1. DSPDに対する利点

CircuitGPSは双アンカー最短経路距離(DSPD)を位置エンコーディングとして使用するが、計算と記憶コストはグラフサイズに対して二次的に増加する。CircuitGCLのGCL事前訓練は高い並列性と優れたモデルスケーラビリティを持ち、大規模回路上ではDSPDを大幅に上回る。

2. ラベル再バランシングの理論的基礎

ベイズの定理に基づいて、訓練分布p_train(y|x)とバランス分布p_bal(y|x)の関係は以下の通りである：

p_train(y|x)/p_bal(y|x) ∝ p_train(y)/p_bal(y)

実験設定

データセット

TSMC 28nm CMOSテクノロジーで実装された6つのAMS回路設計を使用：

  • 訓練セット: SSRAM (87Kノード, 134Kエッジ)
  • テストセット: DIGITAL CLK GEN, TIMING CTRL, ARRAY 128 32, ULTRA8T, SANDWICH-RAM
  • 最大設計は4.3Mノードと13.3Mエッジを含む

評価指標

  • 回帰タスク: MAE, MSE, R²
  • 分類タスク: Accuracy, Precision, Recall, F1-score

比較手法

  1. ParaGraph: MPNNベースの集約モデル
  2. DLPL-Cap: マルチエキスパートGNN回帰器
  3. CircuitGPS: 位置エンコーディングを使用した少数ショット学習手法

実装の詳細

  • エンコーダ：4層ClusterGCN、256隠れ次元、Tanh活性化、0.3ドロップアウト
  • ダウンストリームGNN：5層GraphSAGE、144隠れ次元、PReLU活性化
  • σ_noise = 0.001、τ = 0.99

実験結果

主要な結果

辺回帰タスク(結合容量推定)

テストセット最良手法R²向上
TIMING CTRLCircuitGCL(GAI)41.08%
ARRAY 128 32CircuitGCL(GAI)44.20%
ULTRA8TCircuitGCL(GAI)37.44%
SANDWICH-RAMCircuitGCL(GAI)33.64%

ノード分類タスク(接地容量分類)

テストセット最良手法F1向上
DIGITAL CLK GENCircuitGCL(BSCE)0.9×
ARRAY 128 32CircuitGCL(BSCE)2.1×
ULTRA8TCircuitGCL(BSCE)1.2×
SANDWICH-RAMCircuitGCL(BSCE)1.5×

アブレーション実験

RSM効果分析

RSMはすべてのデータセットで性能向上をもたらす：

  • R²最大向上26.9% (ARRAY 128 32)
  • F1最大向上20.0% (ULTRA8T)
  • 最小向上も4.1% (F1)および6.56% (R²)に達する

ラベル再バランシング効果

BSCEをすべてのベースライン手法に適用すると、特に大規模設計上で顕著な精度向上がもたらされる。バランス平均二乗誤差は、データ稀少領域でモデル性能を大幅に向上させる。

関連研究

寄生パラメータ予測

  • ParaGraph: 回路原理図をグラフに変換し、MPNNを使用してネット容量とレイアウトパラメータを予測
  • DLPL-Cap: GNNルータと5つのエキスパート回帰器を組み合わせ、SRAM回路の不均衡なデータ分布に対処
  • CircuitGPS: 少数ショット学習と低コスト位置エンコーディングを使用した寄生パラメータ予測

グラフ対比学習

主流のGCLフレームワークはすべて、暗黙的に表現散射を実行しており、これはその成功に重要な役割を果たしている。本論文はSGRLをGCLの基礎として採用し、超球面内にノード表現を埋め込む。

不均衡学習

  • 分類: データ再サンプリング、損失再重み付け、ロジット調整などの手法
  • 回帰: 相対的に未探索であり、既存手法は主にSMOTE適応と損失再重み付けである

結論と考察

主要な結論

  1. CircuitGCLは自己教師あり表現学習と分布認識損失関数を通じて、AMS回路設計におけるデータ稀少性とラベル不均衡の問題を成功裏に解決する
  2. RSMが生成するトポロジー不変埋め込みは、優れたクロスドメイン転移能力を持つ
  3. バランス損失関数は理論的に不均衡回帰と分類問題を統一する
  4. 複数のTSMC 28nm設計上で最先端性能を達成する

限界

  1. TSMC 28nmプロセスのみで検証されており、クロスプロセスノード転移の能力は検証が必要
  2. 現在は容量予測に焦点を当てており、抵抗/インダクタンス予測への適用可能性はさらなる検証が必要
  3. 大規模回路の計算効率にはまだ最適化の余地がある

今後の方向性

  1. より広範なAMS回路タイプへの拡張
  2. 寄生抵抗推定への適応
  3. RC認識レイアウト配線ツールへの統合
  4. クロスプロセスノード転移学習研究

深い評価

利点

  1. 問題の重要性: EDA領域の実際的な課題に対処し、重要なエンジニアリング価値を持つ
  2. 手法の革新性: グラフ対比学習を回路寄生パラメータ予測に初めて適用し、RSM適応は巧妙である
  3. 理論的貢献: 不均衡回帰と分類に対する統一的な理論フレームワークを提供
  4. 実験の充実: 複数の実際の回路設計で検証され、結果は説得力がある
  5. 再現性: オープンソースコードを提供し、再現と応用を容易にする

不足

  1. データセットの限界: 単一プロセスノードのデータのみを使用しており、汎化能力は検証が必要
  2. 計算オーバーヘッド: DSPDより効率的であるが、GCL事前訓練はまだ追加の計算リソースを必要とする
  3. 特徴エンジニアリング: 回路特徴の抽出と表現は依然として手作業による設計に依存している
  4. 理論分析: RSMが特に回路グラフに適している理由についての深い理論分析が不足している

影響力

  1. 学術的価値: EDA領域でのグラフ対比学習の応用を開拓し、関連研究にインスピレーションを与える可能性がある
  2. エンジニアリング価値: 商用EDAツールに直接適用可能であり、設計効率を向上させる
  3. 手法の汎用性: フレームワークは他のタイプの寄生パラメータ予測と回路分析タスクに拡張可能

適用シナリオ

  1. レイアウト前段階: 寄生効果を迅速に評価し、設計反復を削減
  2. 設計空間探索: 大規模設計空間で候補案を迅速にスクリーニング
  3. クロス設計転移: 1つの回路で訓練したモデルを新しい回路設計に適用
  4. EDAツール統合: 商用EDAツールのコアアルゴリズムモジュールとして

総合評価: これは、機械学習の最先端技術をEDA領域の実際的な問題に成功裏に適用した、高品質なクロスディシプリナリ研究論文である。手法は革新的であり、実験は充実しており、結果は顕著であり、重要な理論的価値と実用的価値を持つ。