2025-11-13T06:22:10.659187

Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function

Garrard, Hardy, daCunha et al.
Physically Unclonable Functions (PUFs) are a promising solution for identity verification and asymmetric encryption. In this paper, a new Resistive Random Access Memory (ReRAM) PUF-based protocol is presented to create a physical ReRAM PUF with a large challenge space. This protocol uses differential reads from unformed ReRAM as the method for response generation. Lastly, this paper also provides an experimental hardware demonstration of this protocol on a Physical ReRAM device, along with providing notable results as a PUF, with excellent performance characteristics.
academic

未成形抵抗変化型ランダムアクセスメモリを用いた強力な物理的複製不可能関数の構築

基本情報

  • 論文ID: 2510.02643
  • タイトル: Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function
  • 著者: Jack Garrard, John F. Hardy II, Carlo daCunha, Mayank Bakshi (Northern Arizona University)
  • 分類: cs.CR (暗号化とセキュリティ)
  • 発表日時: 2025年10月6日 (IEEE ACCESS)
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.02643

要約

物理的複製不可能関数(PUF)は認証と非対称暗号化の有望なソリューションである。本論文は、大規模なチャレンジ空間を持つ物理的ReRAM PUFを構築するための、抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(ReRAM)ベースの新しいPUFプロトコルを提案する。本プロトコルは、未成形ReRAMの差分読み取りを応答生成方法として使用する。さらに、物理的なReRAMデバイス上でのプロトコルの実験的ハードウェア実証を提供し、PUFとしての優れた性能特性を示す。

研究背景と動機

問題定義

現代のセキュアな通信には、信頼性の高い認証と暗号化メカニズムが必要である。従来の公開鍵暗号システムは秘密鍵の安全な配布と保存に依存しているが、デジタル鍵は複製が容易であり、漏洩のリスクが高く、一度漏洩すると再発行が困難である。

研究動機

  1. デジタル鍵の脆弱性:従来の鍵はデジタル形式であり、複製可能で漏洩の脅威を受けやすい
  2. SRAM PUFの制限
    • チャレンジ空間が線形にスケーリングし、規模が制限される
    • 生の応答に秘密情報を直接漏らす
    • 完全な応答空間を保存する必要があり、登録サイズを削減するためのモデリングが不可能
  3. ポスト量子暗号の必要性:量子耐性アルゴリズムのためのランダムデータソースが必要

既存方法の制限

SRAM PUFは現在の主流ソリューションとして以下の問題を抱えている:

  • チャレンジ空間とメモリセル数の線形関係により拡張性が低い
  • 生の応答が基礎となるランダム性を直接露出させる
  • 登録プロセスは完全な応答空間をカバーする必要がある
  • 差分攻撃に対して脆弱である

主要な貢献

  1. 新型ReRAM PUFプロトコルの提案:未成形ReRAMセルをPUF要素として使用する新しいプロトコル
  2. ハードウェア実験検証の実現:物理的なReRAMデバイス上での完全なハードウェア実証
  3. チャレンジ空間の大幅な拡張:チャレンジ空間がセル数に対して二次関数的にスケーリング
  4. 優れた性能指標の達成:極めて低いビット誤り率(<0.03%)と優秀なPUF特性を実現
  5. カスタム製造不要:既存の製造プロセスを使用でき、成形ステップをスキップして実装可能

方法論の詳細

タスク定義

チャレンジバイトストリームを入力として受け取り、対応する一意の応答バイトストリームを出力するReRAMベースの強力なPUFシステムを設計する。要件として、大規模なチャレンジ空間、低いビット誤り率、強力なセキュリティを備えることが必要である。

ReRAM技術の基礎

ReRAMの構造と原理

ReRAMは金属-絶縁体-金属薄膜スタック構造を採用する:

  • 導電フィラメント(CF)の形成と破断により電気抵抗状態を変化させる
  • 成形プロセス:正のバイアス電圧を印加して酸素空孔パスを形成
  • リセット/セットプロセス:高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)間で切り替え

未成形ReRAMの特性

本研究は未成形のReRAMセルを使用する:

  • 電気抵抗状態は極めて安定で測定が容易
  • 酸素拡散による時間依存緩和問題を回避
  • 製造ばらつきが天然のランダム性源を提供

コアプロトコルアーキテクチャ

1. チャレンジ生成プロトコル

チャレンジ生成フロー:
1. ランダムバイトと暗号鍵を使用してSHA256で初期データを生成
2. アドレスペア池に解析(目標鍵サイズの約1.5倍)
3. 標準偏差が高いセルをフィルタリング
4. セルペアの差異が十分に大きく、再現可能な応答を生成することを確認
5. 不安定なセルをマークする安定性マスクを生成

2. 応答生成メカニズム

応答生成フロー:
1. ランダムバイトと安定性マスクを受け取る
2. アドレスペアを再生成してマスクフィルタリングを適用
3. デュアルReRAMチップで差分読み取りを実行
4. アナログ回路で信号を調整してオフセットを提供
5. アナログコンパレータが単一ビット応答を生成
6. すべてのビットを連結してハッシュ化して返す

技術的革新点

1. 差分読み取りメカニズム

  • 絶対測定ではなく2つのReRAMチップを使用して比較
  • 直接的な抵抗値ではなく抵抗比較に基づいて応答を生成
  • 基礎となるアナログ測定情報を効果的に隔離

2. 二次チャレンジ空間拡張

チャレンジ空間計算:4096 × 4096 × 8 × (1-0.33) × (1-0.12) ≈ 80,000,000セルペア 最終CRP数:約(8×10^7)^256

3. 適応的フィルタリング戦略

  • セルレベルフィルタリング:標準偏差閾値30 ADCカウント
  • ペアリングレベルフィルタリング:差異が標準偏差の合計の2倍以上
  • 動的安定性マスク生成

実験設定

ハードウェアプラットフォーム

  • ReRAMチップ:CrossBar Al/Al2O3/W 1R1T構成
  • アレイ仕様:1kb×4セルテストアレイ、32ワードライン、128ビット
  • 電流範囲:105-793 nA (8つの事前選択値)
  • 電圧制限:意図しない成形を防ぐため最大1.5V
  • カスタムPCB:信号調整とアナログコンパレータ

評価指標

  1. ビット誤り率(BER):登録応答と実際の応答間のハミング距離
  2. 信頼性:同じチャレンジの繰り返し応答の一貫性
  3. 一意性:異なるPUF間の応答のランダム性(理想値50%)
  4. 拡散性:同じPUFの異なるチャレンジ間のランダム性
  5. 均一性:応答における0と1の分布バランス

実験パラメータ

  • 登録サンプル:セルあたり50回のサンプリング
  • テスト規模:7チップ、8電流値、1000 CRP
  • フィルタリングパラメータ:セル標準偏差閾値30、ペアリング倍数閾値2

実験結果

主要な性能指標

指標結果理想値標準偏差
ビット誤り率(BER)3.23×10^-2%0%0.11%
信頼性5.78×10^-2%0%0.15%
一意性50.02%50%2.28%
拡散性50.02%50%2.21%
均一性49.93%50%3.25%

電流依存性分析

異なる電流下でのBER性能:

  • 105 nA: 2.563×10^-4
  • 793 nA: 4.055×10^-4
  • 傾向:電流増加に伴いBERは若干上昇するが、極めて低い水準を維持

消費電力分析

  • チャレンジ応答生成あたりの消費電力:マイクロワット級
  • 単一電圧読み取り:<40 nW
  • 総消費電力:<1 mW、クライアントデバイスに適している

他のPUF技術との比較

PUF種類チャレンジ空間BER信頼性一意性
本論文ReRAM3.23×10^-25.78×10^-250.02±2.28
参照ReRAM132N10^-6250±3
STT-MRAM272²ᴺ-0.98±0.5649.96±7.40

関連研究

PUF技術の発展

  1. SRAM PUF:現在の主流だが、チャレンジ空間が線形に増加
  2. ReRAM PUFの変種
    • 成形状態ReRAM PUF:信頼性と拡散性の問題
    • 参照セルプロトコル:線形チャレンジ空間、チップ利用率が低い
  3. その他のメモリPUF:STT-MRAMなどの新興技術

本論文の利点

  1. チャレンジ空間:二次増長 対 線形増長
  2. 製造互換性:カスタム工艺不要
  3. セキュリティ:間接測定により情報漏洩を防止
  4. エネルギー効率:IoTアプリケーションに適した極低消費電力

結論と考察

主要な結論

  1. 未成形ReRAMベースの強力なPUFプロトコルの実装に成功
  2. 優れた性能指標を達成:BER < 0.03%、すべてのPUF特性が理想値に近い
  3. 二次チャレンジ空間拡張を実現、既存のSRAM PUFを大幅に上回る
  4. カスタム製造工艺不要で、実用化の可能性を備えている

制限事項

  1. ハードウェア依存性:専用のReRAMチップとアナログ回路が必要
  2. 温度感度:未成形ReRAMは比較的安定しているが、さらなる検証が必要
  3. 規模検証:現在の実験は比較的小規模なアレイに基づいている
  4. 長期安定性:より長期間の安定性テストが必要

今後の方向性

  1. 真正乱数生成器:高標準偏差セルを利用した連続ランダムビット生成
  2. 改善されたモデリング:ReRAMセルと電流関係の正確なモデル開発
  3. 小型化設計:実際のアプリケーション用のトークン化デバイスの作成
  4. ニューラルネットワーク統合:ReRAMベースのハードウェアニューラルネットワークとの統合

深層評価

利点

  1. 技術革新性が強い:未成形ReRAMを使用した強力なPUFの初めての体系的実装
  2. 実験検証が充分:完全なハードウェア実装と包括的な性能評価
  3. 実用価値が高い:SRAM PUFの重要な制限を解決
  4. セキュリティ設計が優秀:差分読み取りメカニズムが情報漏洩を効果的に防止

不足点

  1. コスト考慮の不足:ReRAMチップのコストがSRAMより高い可能性
  2. 環境適応性:異なる環境条件下での安定性テストが不足
  3. 攻撃モデル分析:高度な攻撃方法への耐性分析が不十分
  4. 標準化程度:既存のPUF標準との互換性分析が不足

影響力評価

  1. 学術的貢献:PUF分野に新しい技術経路を提供
  2. 産業価値:セキュリティチップにおけるReRAM応用を推進する可能性
  3. 再現性:詳細な実験設定により他の研究者による再現が容易
  4. 応用前景:特にIoTデバイスとハードウェアニューラルネットワークアプリケーションに適している

適用シーン

  1. IoTデバイス認証:低消費電力特性がリソース制限デバイスに適している
  2. ハードウェアセキュリティモジュール:セキュリティチップに統合可能
  3. エッジコンピューティング:ReRAMニューラルネットワークとの協働動作
  4. サプライチェーンセキュリティ:デバイスフィンガープリント識別と偽造防止

参考文献

本論文は28の関連文献を引用しており、PUF技術、ReRAMデバイス、暗号化プロトコルなど複数分野の重要な研究をカバーし、研究に堅実な理論的基礎を提供している。


総合評価:これは高品質なハードウェアセキュリティ研究論文であり、革新的なReRAM PUFソリューションを提案し、完全なハードウェア実験検証により方法の有効性を実証している。論文は技術革新、実験検証、実用価値の面で優れた成果を示しており、PUF技術の発展に重要な貢献をしている。