2025-11-18T19:37:13.758605

Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature

Ma, Qi, Shen

Graphdiyne (GDY) is recognized as a compelling candidate for the fabrication of next-generation high-speed low-energy electronic devices due to its inherent p-type semiconductor characteristics. However, the development of GDY for applications in field-effect transistors (FETs), complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), and logic devices remains constrained by the relatively low carrier mobility reported in current experimental studies. Herein, the synthesis of layer-controlled hydrogen-substituted graphdiyne (HsGDY) films directly on silicon substrates under a supercritical CO2 atmosphere is reported, along with the fabrication of these films into HsGDY-based FETs. The transfer-free growth strategy eliminates performance degradation caused by post-synthesis transfer processes. The resulting HsGDY FETs exhibit a remarkable hole mobility of up to 3800 cm2 V-1 s-1 at room-temperature, which is an order of magnitude higher than that of most p-type semiconductors. The synthesis of transfer-free HsGDY wafers provides a new strategy for resolving the carrier mobility mismatch between p-channel and n-channel two-dimensional metal-oxide-semiconductor devices.

academic

常温で超高正孔移動度を示す環境安定性転移フリーグラフダイン基板

基本情報

論文ID: 2510.09998
タイトル: Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature
著者: Beining Ma, Jianyuan Qi, Xinghai Shen (北京大学)
分類: cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
通信著者: Prof. X. H. Shen (xshen@pku.edu.cn)
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.09998

要旨

グラフダイン(GDY)は、その固有のp型半導体特性により、次世代高速低消費電力電子デバイスの製造における有力な候補材料と考えられている。しかし、現在の実験研究で報告されているキャリア移動度が相対的に低いため、GDYの電界効果トランジスタ(FET)、相補型金属酸化物半導体(CMOS)および論理デバイスへの応用展開が制限されている。本論文は、超臨界CO₂雰囲気下でシリコン基板上に層数制御可能な水素置換グラフダイン(HsGDY)薄膜を直接合成し、これらの薄膜からHsGDYベースの電界効果トランジスタを製造したことを報告している。転移フリー成長戦略により、合成後の転移プロセスによる性能劣化が排除される。得られたHsGDY FETは、常温で最大3800 cm² V⁻¹ s⁻¹の正孔移動度を示し、これはほとんどのp型半導体より1桁高い。

キャリア移動度の不整合：現在、ほとんどのp型半導体のキャリア移動度は通常10⁻²～10² cm² V⁻¹ s⁻¹の範囲にあり、常温での正孔移動度が10³ cm² V⁻¹ s⁻¹を超える報告はブラックフォスファラス(BP)のみである
PMOS対NMOS性能差異：p沿道およびn沿道金属酸化物半導体デバイス間のキャリア移動度の不整合は、データ処理速度に大きな影響を与え、消費電力を増加させ、性能を低下させる

3. 既存方法の限界

転移プロセスの問題：従来のGDY薄膜はシリコンウェーハへの転移が必要であり、不可避的に不純物汚染と構造損傷が導入され、正孔移動度が低下する
フォトリソグラフィ加工の困難：シリコンウェーハに転移されたGDY薄膜はフォトリソグラフィ技術によるFETアレイの製造が困難である
触媒活性の欠如：シリコン基板はGDYモノマー結合の触媒活性を欠いている

核心的貢献

転移フリーHsGDYウェーハ合成法の開発：シリコン基板表面上での二次元GDY薄膜の原位成長を初めて実現
超高正孔移動度の達成：HsGDY FETは最大3.8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹の常温正孔移動度を示し、ほとんどのp型半導体より1桁高い
キャリア移動度不整合問題の解決：p沿道およびn沿道二次元金属酸化物半導体デバイス間のキャリア移動度不整合を解決するための新しい戦略を提供
標準フォトリソグラフィプロセスとの互換性実現：転移フリーHsGDYウェーハは標準フォトリソグラフィワークフローに統合可能

方法の詳細

合成メカニズム

空間限定合成戦略を採用し、超臨界CO₂環境下で銅箔とシリコンウェーハを夾合することにより実現：

触媒源：銅箔から放出された銅イオンが移動してシリコン表面に吸着
触媒反応：銅イオンがGDYモノマーの結合反応を触媒化
直接エピタキシャル成長：基板上での直接エピタキシャル成長を実現

技術的革新点

1. 空間限定戦略

簡単な夾合方法(シリコンウェーハと銅箔の夾合)により大面積均一な少層HsGDY薄膜を実現
超臨界CO₂環境が理想的な反応条件を提供

2. 層数制御

三乙炔基ベンゼン(TEB)の濃度を精密に調整することにより、異なる層数のHsGDYウェーハを成功裏に製造：

最薄薄膜厚さ約2.2 nm、6層HsGDYウェーハに相当
厚さ範囲：2.2～22 nm

3. 転移フリー成長の利点

PMMA残留汚染の排除
構造損傷の回避
キャリア移動度の向上
標準フォトリソグラフィプロセスとの互換性

実験設定

合成条件

反応温度：50°C
圧力：100 bar(超臨界CO₂)
反応時間：24時間
モノマー濃度：0.20～0.32 mg mL⁻¹(アセトン中のTEB)
溶媒系：70% TMEDA + 30% ピリジン

デバイス製造

ホールバー構造：長さ110 μm、幅20 μm
電極材料：Au/Ti (50 nm/5 nm)
ゲート誘電体：SiO₂(厚さ4.8 nm、静電容量719.4 nF cm⁻²)
デバイスアーキテクチャ：8電極ホールバー構成

表征方法

ラマン分光：HsGDYの特性ピーク確認(1357、1573、1934、2212 cm⁻¹)
XPS：化学状態分析
SEM-EDS：薄膜均一性確認
AFM：厚さ測定
TEM：結晶構造分析

6層HsGDY FET平均正孔移動度：3.8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹
厚さ依存性：薄膜厚さが22 nmから2.2 nmに減少するにつれて、正孔移動度は7.3×10² cm² V⁻¹ s⁻¹から3.8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹に増加
オン・オフ比：Ion/Ioff = 1×10⁴