2025-11-18T05:07:13.547353

Manipulating the metal-insulator transitions in correlated vanadium dioxide through bandwidth and band-filling control

Yao, Ji, Zhou

The metal-insulator transition (MIT) in correlated oxide systems opens up a new paradigm to trigger the abruption in multiple physical functionalities, enabling the possibility in unlocking exotic quantum states beyond conventional phase diagram. Nevertheless, the critical challenge for practical device implementation lies in achieving the precise control over the MIT behavior of correlated system across a broad temperature range, ensuring the operational adaptability in diverse environments. Herein, correlated vanadium dioxide (VO2) serves as a model system to demonstrate effective modulations on the MIT functionality through bandwidth and band-filling control. Leveraging the lattice mismatching between RuO2 buffer layer and TiO2 substrate, the in-plane tensile strain states in VO2 films can be continuously adjusted by simply altering the thickness of buffer layer, leading to a tunable MIT property over a wide range exceeding 20 K. Beyond that, proton evolution is unveiled to drive the structural transformation of VO2, with a pronounced strain dependence, which is accompanied by hydrogenation-triggered collective carrier delocalization through hydrogen-related band filling in t2g band. The present work establishes an enticing platform for tailoring the MIT properties in correlated electron systems, paving the way for the rational design in exotic electronic phases and physical phenomena.

academic

相関二酸化バナジウムにおける金属-絶縁体転移の帯域幅および帯域充填制御による操作

基本情報

論文ID: 2510.10183
タイトル: Manipulating the metal-insulator transitions in correlated vanadium dioxide through bandwidth and band-filling control
著者: Xiaohui Yao, Jiahui Ji, Xuanchi Zhou (山西師範大学)
分類: cond-mat.str-el (強相関電子系), cond-mat.mtrl-sci (材料科学)
発表時期: 2025年
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.10183

要旨

相関酸化物系における金属-絶縁体転移(MIT)は、多様な物理機能の急激な変化を引き起こす新しいパラダイムを開き、従来の相図を超えた奇異な量子状態の探索を可能にする。しかし、実際のデバイス応用における重要な課題は、相関系統のMIT挙動を広い温度範囲にわたって正確に制御し、異なる環境での動作適応性を確保することである。本研究は、相関二酸化バナジウム(VO₂)をモデル系として、帯域幅制御および帯域充填制御を通じたMIT機能の効果的な調節を実証する。RuO₂バッファ層とTiO₂基板間の格子不整合を利用することで、バッファ層厚さの単純な変更を通じてVO₂薄膜の面内引張応力状態を連続的に調節でき、20K以上の範囲でのMIT特性の調整可能性を実現する。さらに、プロトン進化がVO₂の構造転移を駆動することが明らかになり、顕著な応力依存性を示し、水素化により引き起こされるt₂g帯域における水素関連帯域充填を通じた集団キャリア非局在化を伴う。

研究背景と動機

問題定義

中核的課題: 相関電子系における金属-絶縁体転移(MIT)挙動、特に広い温度範囲での調整可能性をいかに正確に制御するか
応用要件: 相関エレクトロニクス、ニューロモルフィック学習、および熱色変化などの分野におけるMIT機能のデバイス応用は、動作温度の柔軟な調節を必要とする
材料選択: VO₂は室温付近で最も急激なMIT挙動を示す代表的な材料であり、単斜晶-ルチル構造転移を伴う

研究の重要性

物理的意義: MIT現象は電荷、格子、軌道およびスピン自由度間の複雑な相互作用を含み、強相関電子系の中核的特性である
応用前景: スマートウィンドウ、ニューロモルフィックデバイス、熱感応センサーなどの新興応用は、調整可能なMIT特性に対する緊急の需要を有する
科学的価値: 従来の相図を超えた奇異な電子相の探索のためのプラットフォームを提供する

既存方法の限界

化学ドーピング法は有効であるが、通常は不可逆的で正確な制御が困難である
従来の応力工学的方法は調節範囲が限定されている
体系的な多次元制御戦略が欠如している

核心的貢献

二重制御機構の提案: 帯域幅制御(界面応力)および帯域充填制御(水素化)を通じたMIT特性の協調的調節を実現
調整可能応力プラットフォームの構築: RuO₂バッファ層厚さを利用してVO₂薄膜の応力状態を連続的に調節し、297～319K範囲内でのT_MITの正確な制御を実現
水素化機構の解明: プロトン進化により駆動される構造転移が応力依存性を有することを発見し、水素関連電子ドーピングを通じた可逆的MIT調節を実現
物理機構の確立: 同期放射光分光法により帯域幅調節および帯域充填の微視的機構を検証