2025-11-13T05:52:10.792263

Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface

Matsuki, Yang, Xu et al.

A change in a materials electrical resistance with magnetic field (magnetoresistance) results from quantum interference effects and, or spin-dependent transport, depending on materials properties and dimensionality. In disordered conductors, electron interference leads to weak localization or anti-localization; in contrast, ferromagnetic conductors support spin-dependent scattering, leading to giant magnetoresistance (GMR). By varying the thickness of Au between 4 and 28 nm in a EuS/Au/EuS spin-switches, we observe a crossover from weak anti-localization to interfacial GMR. The crossover is related to a magnetic proximity effect in Au due to electron scattering at the insulating EuS interface. The proximity-induced exchange field in Au suppresses weak anti-localization, consistent with Maekawa-Fukuyama theory. With increasing Au thickness, GMR emerges along with spin Hall magnetoresistance. These findings demonstrate spin transport governed by interfacial exchange fields, building a framework for spintronic functionality without metallic magnetism.

academic

近接磁化重金属界面における弱反局在化から自旋依存散乱への転移

基本情報

論文ID: 2510.10595
タイトル: Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface
著者: Hisakazu Matsuki, Guang Yang, Jiahui Xu, Vitaly N. Golovach, Yu He, Jiaxu Li, Alberto Hijano, Niladri Banerjee, Iuliia Alekhina, Nadia Stelmashenko, F. Sebastian Bergeret, Jason W. A. Robinson
分類: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
発表日: 2025年10月12日 (arXiv プレプリント)
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.10595

要旨

材料の磁気抵抗(磁場に対する電気抵抗の変化)は、量子干渉効果および/または自旋依存輸送に由来し、材料特性と次元に依存する。無秩序導体では、電子干渉により弱局在化または反局在化が生じ、一方強磁性導体は自旋依存散乱をサポートし、巨大磁気抵抗(GMR)を生成する。EuS/Au/EuS自旋スイッチにおいてAu厚さ(4-28 nm)を変化させることで、研究者らは弱反局在化から界面GMRへのクロスオーバー転移を観測した。この転移は、絶縁EuS界面からの電子散乱に由来するAu中の磁気近接効果と関連している。近接誘起交換場はAu中の弱反局在化を抑制し、Maekawa-Fukuyama理論と一致する。Au厚さの増加に伴い、GMRは自旋ホール磁気抵抗とともに出現する。これらの知見は、界面交換場により制御される自旋輸送を実証し、金属磁性を必要としないスピントロニクス機能の枠組みを確立した。

研究背景と動機

研究課題

本研究が解決しようとする中心的課題は、磁気絶縁体/非磁性金属(MI/N)界面における電子自旋輸送機構、特に異なる厚さ条件下における量子干渉効果から自旋依存散乱への転移機構を理解することである。

重要性

スピントロニクス素子開発: MI/N界面はスピントロニクスおよびマグノン素子技術開発の中核である
基礎物理の理解: 量子干渉効果と自旋依存輸送の競合機構はいまだ完全には理解されていない
素子応用: 金属強磁性体を必要としないスピントロニクス機能への新たな道を提供する

既存手法の限界

GMR研究の限界: 従来のGMRは主に金属強磁性体/非磁性金属界面で観測されており、MI/N系統でのGMR報告は稀である
理論検証の不足: Maekawa-Fukuyama理論が予測する磁交換場誘起弱局在化領域の磁気抵抗は実験的検証が不足している
界面効果の理解: 界面交換場が量子輸送をいかに調節するかについての理解が不十分である

研究動機

EuS/Au/EuS構造におけるAu厚さが磁気輸送特性に及ぼす影響を系統的に研究することにより、界面交換場が量子干渉効果と自旋依存散乱の調節に果たす役割機構を明らかにする。

中核的貢献

MI/N/MI構造におけるGMR効果の初観測により、当該分野の実験的空白を埋めた
Maekawa-Fukuyama理論の実験的検証により、界面交換場が弱反局在化を抑制できることを証明した
厚さ依存的な磁気抵抗符号反転の発見により、弱反局在化からGMRへの転移機構を明らかにした
顕著な異常ホール効果の観測により、EuS/Au界面の強交換場の存在を確認した
界面交換場による自旋輸送調節の理論枠組み確立により、金属磁性を必要としないスピントロニクス素子設計に指針を提供した

方法論の詳細

試料製作

本研究はAu(3 nm)/EuS(20 nm)/Au(d)/EuS(10 nm)/SiO₂//Siの多層構造を採用し、dは4-28 nmの可変Au厚さである。試料は電子ビーム蒸発により室温で製作され、基板真空度は1×10⁻⁸ mbarである。

測定技術

磁気抵抗測定: 面内および面外磁場下における電気抵抗の磁場依存性を測定
磁化測定: 振動試料磁力計を用いて磁化曲線を測定
ホール効果測定: 垂直磁場下における横方向電気抵抗率を測定

理論解析枠組み

弱局在化理論

薄いAu層(d ≤ 6 nm)に対して、Maekawa-Fukuyama理論を用いて面内磁場の磁気抵抗を記述する:

各向異性自旋軌道結合と弾性散乱時間が自旋軌道散乱時間より短い条件(τ₀ ≪ τₛₒ)下では、MF理論は面内磁場が正の磁気抵抗を生成することを予測する。

界面交換場

虚部自旋混合電導Gᵢは近接磁交換場(MEF)を生成する:

$G_i \approx g\pi G_0 N_F \mu_B \mu_0 H_{ex} d$

ここでgはランデg因子、G₀は量子電導、Nₓはフェルミ準位での単一スピン状態密度、μвはボーア磁子である。

自旋ホール磁気抵抗

FI/HM/FI構造に対して、異常ホール電気抵抗率は以下の通りである:

$\Delta\rho_{yx} = -\theta_{SH}^2 \frac{d G_i}{G_i^2 + [G_r + \frac{\sigma_0}{2\lambda}\coth(\frac{d}{2\lambda})]^2}$

ここでθₛₕは自旋ホール角、λは自旋拡散長である。

実験設定

試料構造

自旋スイッチ構造: EuS(20 nm)/Au(d)/EuS(10 nm)、d = 4, 6, 7, 8, 10, 12, 16, 20, 28 nm
対照試料: Au(7 nm)/SrTiO₃単層薄膜
電極: AlSiパッドを超音波ボンディングにより電気接触として製作

測定条件

温度範囲: 2-300 K
磁場範囲: 面内±20 mT、面外±5 T
測定周波数: 加熱効果を回避するための低周波交流測定

素子形状

ホール条: 100×400 μm²をホール効果測定に使用
パターン化されていない試料: 基本的な磁気抵抗および磁化測定に使用

実験結果

温度依存電気抵抗挙動

薄いAu層(d ≤ 6 nm): 10-20 Kで電気抵抗最小値が出現し、低温では電気抵抗が-ln(T)に従って増加し、弱局在化領域(WLR)挙動を示す
厚いAu層(d ≥ 8 nm): 電気抵抗は温度に対して単調に減少し、WLR特性に適合しない
規格化電気抵抗増加: 3 Kにおいて、(R-Rₘᵢₙ)/RₘᵢₙはAu厚さ8 nmまで線形に増加する