2025-11-14T11:31:18.606841

Fabrication of an atom chip for Rydberg atom-metal surface interaction studies

Cherry, Carter, Martin

An atom chip has been fabricated for the study of interactions between $^{87}$Rb Rydberg atoms and a Au surface. The chip tightly confines cold atoms by generating high magnetic field gradients using microfabricated current-carrying wires. These trapped atoms may be excited to Rydberg states at well-defined atom-surface distances. For the purpose of Rydberg atom-surface interaction studies, the chip has a thermally evaporated Au surface layer, separated from the underlying trapping wires by a planarizing polyimide dielectric. Special attention was paid to the edge roughness of the trapping wires, the planarization of the polyimide, and the grain structure of the Au surface.

academic

リドベルグ原子-金属表面相互作用研究用原子チップの製造

基本情報

論文ID: 2510.11902
タイトル: Fabrication of an atom chip for Rydberg atom-metal surface interaction studies
著者: O. Cherry, J. D. Carter, J. D. D. Martin（ウォータールー大学）
分類: physics.atom-ph
発表日時: 2025年10月15日（原稿作成は約13年前）
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.11902

要旨

本論文は、⁸⁷Rbリドベルグ原子とAu表面の相互作用を研究するための原子チップの製造について報告している。本チップは、微加工された通電導線により高磁場勾配を生成し、冷原子を厳密に閉じ込める。これらの捕捉された原子は、明確に定義された原子-表面距離でリドベルグ状態に励起することができる。リドベルグ原子-表面相互作用研究のため、チップは熱蒸発したAu表面層を備えており、平坦化されたポリイミド誘電層を通じて下層の捕捉導線と分離されている。特に、捕捉導線の端部粗さ、ポリイミドの平坦化、およびAu表面の結晶粒構造に注意が払われている。

研究背景と動機

問題の定義

リドベルグ原子（高い主量子数nを持つ励起状態の原子）は、その誇張された特性（分極率はn⁷に比例、電離場は1/n⁴に比例）により、金属表面との相互作用研究において重要である。この相互作用は鏡像電荷イメージにより理解でき、エネルギーシフトはn⁴/z³に比例する（zは表面距離）。

研究の重要性

基礎物理研究：リドベルグ原子-表面相互作用は、原子-固体界面の量子現象を理解するための重要な窓口である
技術応用：量子情報処理および精密測定分野への潜在的応用価値がある
表面科学：表面の散乱電場（patch fields）の表現に利用可能である

既存方法の限界

従来のリドベルグ原子表面実験は、2つの主要な課題に直面していた：

距離制御：原子-表面距離zの正確な制御と決定が困難
散乱電場：表面散乱電場の影響を最小化することが困難

研究動機

原子チップ技術を通じて上記の問題を解決し、制御可能な分離距離でのリドベルグ原子-表面相互作用研究を実現し、表面近傍の散乱電場を表現する。

核心的貢献

専用原子チップの設計・製造：5本の平行捕捉導線を備えた原子チップを製造し、2～200μm距離範囲での原子位置の正確な制御を実現
金属化問題の解決：Ti/Pd/Au金属化方案を開発し、高温処理中の相互拡散問題を解決
高品質平坦化の実現：3層ポリイミド工程により85%の平坦化度（DOP）を実現
表面特性の最適化：平均結晶粒サイズ40nmのAuシールド層を製造し、patch fieldsを最小化
完全な製造工程の提供：設計から最終デバイスまでの完全な製造プロセスを詳細に記述

方法の詳細

チップ設計

全体アーキテクチャ

サイズ：2.02 × 2.02 cm（2.75インチConflat端口による制限）
基板：Si基板上に40nm熱成長SiO₂
導線構成：5本の平行捕捉導線
- 中央導線：7μm幅、H型構造
- 内側U型導線：7μm幅、中央導線との間隔7μm
- 外側U型導線：14μm幅、間隔300μm

捕捉戦略

異なる距離範囲に対して異なる導線組み合わせを採用：

遠距離（z > 200μm）：中央導線+内側U導線（同方向電流）対外側U導線（逆方向電流）
中距離（50 < z < 200μm）：中央導線対外側U導線（逆方向電流）
近距離（z < 50μm）：中央導線対内側U導線（逆方向電流）

製造工程

導線製造

フォトレジスト工程：AZ 2035 nLOF負性フォトレジスト、2000RPM回転塗布、厚さ3.5～4.0μm
金属蒸着：Edwards E306A熱蒸発システム、基本圧力7×10⁻⁷～3×10⁻⁶ Torr
金属化方案：Ti(20nm)/Pd(50nm)/Au(1.5μm)
- Ti：密着層
- Pd：拡散バリア層
- Au：導電層
リフトオフ工程：温アセトン+熱Kwik Strip+イソプロパノール超音波洗浄

平坦化工程

ポリイミド塗布：PI 2562ポリイミド
- 密着促進剤VM 652前処理
- 3層塗布、各層間で完全硬化
- 単層厚さ：1.3～1.5μm
- 硬化条件：200°C/30分 + 350°C/60分
パターニング工程：
- Al マスク層（0.5～1μm）
- ICP-RIE刻蝕（O₂プラズマ）
- ピンホール回避のための2段階刻蝕