2025-11-22T16:28:16.706026

Two-Dimensional Altermagnetism in Epitaxial CrSb Ultrathin Films

Li, Hu, Li et al.

Altermagnets constitute an emerging class of collinear magnets that exhibit zero net magnetization yet host spin-split electronic bands arising from non-relativistic spin-space-group symmetries. Realization of altermagnetism in the two-dimensional (2D) limit remains an outstanding challenge because dimensional reduction suppresses kZ dispersion and destabilizes the symmetry operations essential for spin compensation. Here, we demonstrate genuine 2D altermagnetism in epitaxial unit-cell-thin films of CrSb grown on Bi2Te3. It reveals a thickness-driven transition from a ferrimagnetic state in 1-unit-cell films to an altermagnetic state above a critical thickness of 7/4 unit cell. The transition originates from interfacial symmetry breaking at the Cr-terminated layer that induces local moment imbalance. With increasing thickness the key spin-space-group symmetries [C2||C6Zt] and [C2||MZ] restores, which leads to altermagnetism with zero net magnetization and momentum-dependent spin splitting. Our results provide the first experimental realization of altermagnetism in the 2D regime and establish a route for integrating stray-field-free spin order into nanoscale spintronic architectures.

academic

エピタキシャルCrSb超薄膜における二次元交代磁性

基本情報

論文ID: 2510.12344
タイトル: Two-Dimensional Altermagnetism in Epitaxial CrSb Ultrathin Films
著者: Keren Li, Yuzhong Hu, Yue Li, Ruohang Xu, Heping Li, Kun Liu, Chen Liu, Jincheng Zhuang, Yee Sin Ang, Jiaou Wang, Haifeng Feng, Weichang Hao, Yi Du
分類: cond-mat.mtrl-sci(凝縮系物理学-材料科学)
発表時期: 2025年1月
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.12344

概要

交代磁性材料(Altermagnets)は、ゼロの正味磁化を示しながら、非相対論的スピン-空間群対称性に起因するスピン分裂電子バンドを有する新興の共線磁性材料である。二次元(2D)極限での交代磁性の実現は依然として顕著な課題であり、これは次元低下がkZ分散を抑制し、スピン補償に必要な対称操作を破壊するためである。本論文は、Bi2Te3基板上に成長させたエピタキシャル単胞層CrSb薄膜における真の2D交代磁性の実現を報告する。研究は、1単胞層膜の亜鉄磁状態から臨界厚さ7/4単胞層以上の交代磁状態への厚さ駆動転移を明らかにした。この転移はCr終端層の界面対称性破れに由来し、局所磁気モーメントの不均衡をもたらす。厚さの増加に伴い、重要なスピン-空間群対称性C2||C6ZtおよびC2||MZが回復され、ゼロの正味磁化と運動量依存スピン分裂を有する交代磁性が生成される。

研究背景と動機

問題の定義

本研究が解決する中核的問題は、二次元極限での交代磁性(altermagnetism)の実現である。交代磁性材料は新たに発見された磁性材料の一類であり、反強磁性材料のゼロ正味磁化特性と強磁性材料のスピントロニクス機能を結合し、次世代スピンデバイスのための散漏磁場のないプラットフォームを提供する。

重要性分析

技術的需要: スピンデバイスはナノスケールでの効果的な電子ゲート制御と近傍結合を必要とし、これは材料の二次元特性を要求する
基礎科学的意義: 交代磁性の実現は特定の三次元バンド位相と対称操作に依存し、二次元極限ではこれらの条件が破壊される可能性がある
応用展望: 真の2D交代磁性材料はナノスケールスピンデバイスアーキテクチャに統合でき、散漏磁場のないスピン秩序を実現できる

既存の制限

次元制約: 次元低下はkZ分散を抑制し、これは交代磁性のバンド構造に重要である
対称性破れ: 二次元化はスピン補償を維持するために必要な結晶対称性を破壊する
実験的空白: KV2Se2OやRb2V2Te2Oなどの層状材料における交代磁性の観察が報告されているが、これらの現象は実際には体材料に由来し、真の2D交代磁性はまだ実現されていない