2025-11-22T10:04:23.974065

First-Principles Exploration of Pentagonal TiN$_8$ and MoN$_8$ Monolayers as New Magnetic Topological Insulator

Wang, Ruan, Li et al.

The quest for robust, intrinsically magnetic topological materials exhibiting the quantum anomalous Hall (QAH) effect is a central challenge in condensed matter physics and the application of revolutionary electronics. However, progress has been hampered by the limited number of candidate materials, which often suffer from poor stability and complex synthesis. Here, we introduce a new paradigm by exploring the emergent magnetism and nontrivial band topology in the largely overlooked family of two-dimensional (2D) pentagonal MN$_8$ monolayers. Employing first-principles calculations, we reveal that these systems host out-of-plane ferromagnetic ground states, a key feature that unlocks nontrivial topological properties driven by the localized $d$-orbitals of the embedded transition metals. Remarkably, we identify TiN$_8$ as a QAH insulator characterized by a Chern number of $C=-1$. Even more strikingly, MoN$_8$ is predicted to be a rare high-Chern-number QAH insulator, boasting a Chern number of $C=2$. Our findings establish the penta-MN$_8$ family as a fertile and versatile platform for realizing exotic topological quantum states. This work not only significantly expands the material landscape for magnetic topological insulators but also provides a solid theoretical foundation for designing next-generation spintronic and quantum computing devices.

academic

五角形TiN $_8$ およびMoN $_8$ 単層新規磁性トポロジカル絶縁体の第一原理探索

基本情報

論文ID: 2510.13107
タイトル: First-Principles Exploration of Pentagonal TiN $_8$ and MoN $_8$ Monolayers as New Magnetic Topological Insulator
著者: Zheng Wang, Beichen Ruan, Zhuoheng Li, Shu-Shen Lyu, Kaixuan Chen
所属機関: 中山大学深圳校区材料学院
分類: cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
発表日: 2025年10月16日
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.13107

摘要

量子異常ホール効果(QAH)を示す堅牢な本質的磁性トポロジカル材料の探索は、凝縮物質物理学および革新的電子デバイス応用における中心的課題である。しかし、候補材料の限定性、安定性の低さ、合成の複雑性といった問題により、進展が阻害されている。本論文では、二次元五角形MN $_8$ 単分子層における見落とされていた新興磁性および非自明なバンド構造トポロジーを探索することにより、新しい研究パラダイムを導入する。第一原理計算を通じて、これらのシステムが面外強磁性基底状態を有することを明らかにし、これは遷移金属に埋め込まれた局所d軌道により駆動される非自明なトポロジー特性の重要な特徴である。TiN $_8$ はChern数 $C=-1$ を有するQAH絶縁体として同定され、さらに注目すべきことに、MoN $_8$ は $C=2$ のChern数を有する稀有な高Chern数QAH絶縁体として予測される。

研究背景と動機

問題の定義

中心的課題: 量子異常ホール効果(QAH)材料の希少性および実用性の問題
既存材料の限界:
- Cr掺杂(Bi,Sb) $_2$ Te $_3$ 薄膜などの実験的に実現された2D磁性トポロジカル絶縁体は、合成困難性および安定性の低さという問題を抱えている
- 候補材料の数が限定されており、実用応用を制限している

研究の重要性

QAH効果は低消費電力電子デバイスおよびトポロジカル量子計算のための有望なプラットフォームを提供する
2D van der Waals材料の急速な発展は、従来の磁性トポロジカル絶縁体が直面する課題を克服するための道を提供する
五角形構造材料は優れた機械的および電子的特性を示す

研究動機

penta-MN $_8$ 構造に関する先行研究は、結晶格子構造および一般的な物理特性のみに焦点を当てており、遷移金属d軌道の局所特性を見落としている
新興磁性および非自明なバンド構造トポロジーの系統的研究が欠落している
磁性トポロジカル材料の候補材料ライブラリを拡張する必要がある

中核的貢献

新規QAH材料ファミリーの発見: penta-MN $_8$ ファミリーが本質的磁性トポロジカル絶縁体特性を有することを初めて予測
高Chern数トポロジカル絶縁体の同定: MoN $_8$ が稀有な $C=2$ 高Chern数を有することを明らかに
磁性機構の解明: d軌道局所化により導かれる面外強磁性基底状態形成機構を阐明
理論的枠組みの構築: トポロジー特性の起源を説明する簡略化された強結合モデルを構築
材料設計空間の拡張: 次世代スピントロニクスおよび量子計算デバイス設計のための理論的基礎を提供

方法論の詳細

計算方法

第一原理計算:

VASP ソフトウェアパッケージを用いた密度汎関数理論(DFT)計算
投影拡張波(PAW)法を用いた電子-イオン相互作用の処理
交換相関ポテンシャルはPBE汎関数を採用
平面波基組のカットオフエネルギー: 600 eV
k点グリッド: 11×11×1 Gamma中心サンプリング

重要な技術パラメータ:

d軌道Coulomb相互作用処理のためのDFT+U法: U(Ti)=3.0 eV, U(Mo)=2.0 eV
van der Waals相互作用補正のためのDFT-D3法
真空層厚さ: 15 Å

トポロジー特性の計算

Wannier関数法:

Wannier90およびWannierToolsソフトウェアパッケージを使用
Chern数計算式: $C = \frac{1}{2\pi}\sum_n \int_{BZ} d^2k \Omega_n$

Berry曲率計算: $\Omega_n(k) = -\sum_{n'\neq n} \frac{2\text{Im}\langle\psi_{nk}|v_x|\psi_{n'k}\rangle\langle\psi_{n'k}|v_y|\psi_{nk}\rangle}{(\varepsilon_{n'}-\varepsilon_n)^2}$

磁性分析

Heisenbergモデル: $H = H_0 - \sum_{\langle i,j\rangle} J_1 S_i \cdot S_j - \sum_{\langle\langle i,j\rangle\rangle} J_2 S_i \cdot S_j - \sum_i A S_i^2$