2025-11-14T18:19:11.520419

High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization

Deng, Yue, Liu et al.
High bandwidth and low dark current germanium (Ge) photodetectors are crucial in silicon photonic integrated circuits. The bandwidth of Ge photodetectors is restricted by carrier transit time and parasitic parameters. And thermal generation of carriers within the Ge P-N junction results in an inherent dark current, typically in nA-μA range. Here, we propose an equalization photodetector (EqPD) utilizing the frequency response of a high-bandwidth photodetector PDA to subtract the frequency response of a low-bandwidth photodetector PDB. With the response of PDB attenuating more severely than PDA at high frequency, the differential response (the response of EqPD) can get higher values at high-frequency than at low-frequency. The dark current of EqPD can also be significantly reduced with PDB balancing the dark current of PDA. Experimental results show that the bandwidth of our proposed photodetector can be expanded to over 110 GHz with a dark current of 1 pA simultaneously, and its Non-Return-to-Zero (NRZ) transmission speed can reach 100 Gbaud without digital signal processing. To the best of our knowledge, this represents the highest bandwidth and lowest dark current in a vertical Ge photodetector. The high-performance EqPD provides a promising solution for high-speed and ultra-low noise photodetection in next-generation optical communication.
academic

周波数領域均衡により実現された高帯域幅および超低暗電流Geフォトディテクタ

基本情報

  • 論文ID: 2510.13478
  • タイトル: High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization
  • 著者: Wenxin Deng, Hengsong Yue, Xiaoyan Liu, Jianhong Liang, Jianbin Fu, Shilong Pan, Tao Chu
  • 分類: physics.optics
  • 発表機関: 浙江大学情報・電子工学部、極限フォトニクス・計測国家重点実験室、南京航空航天大学マイクロ波フォトニクス国家重点実験室
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.13478

要旨

本論文は、周波数領域均衡に基づくゲルマニウム(Ge)フォトディテクタを提案している。高帯域幅フォトディテクタPDAの周波数応答から低帯域幅フォトディテクタPDBの周波数応答を差し引くことにより、性能向上を実現する。PDBは高周波での減衰がPDAより著しいため、差分応答は高周波で低周波より高い値を得られる。実験結果は、均衡フォトディテクタ(EqPD)の帯域幅が110 GHz以上に拡張でき、暗電流が1 pAに低減され、非復帰ゼロ符号(NRZ)伝送速度が100 Gbaudに達することを示している。デジタル信号処理は不要である。

研究背景と動機

問題定義

  1. 帯域幅制限の問題: Geフォトディテクタの帯域幅は主に2つの要因により制限される。すなわち、キャリア通過時間と寄生パラメータ(RC)である。キャリアが本質領域から掺杂領域への輸送には時間を要し、これはP-N接合本質領域の長さに関連している。寄生パラメータは主にシリコン抵抗と接合容量を含む。
  2. 暗電流の問題: Ge P-N接合内のキャリアの熱生成により固有の暗電流が生じ、通常nA～μA範囲にある。これは拡散電流、生成-再結合電流、バンド間トンネル電流、トラップ支援トンネル電流で構成される。

研究の重要性

人工知能とクラウドコンピューティングによる膨大なデータ処理需要は、データ通信に重大な課題をもたらしている。シリコンフォトニクスは、CMOS互換の製造プロセス、高集積密度、低消費電力、低コストの利点により、この課題解決のための有望なソリューションを提供する。

既存手法の限界

  • 本質領域狭小化手法: 最大265 GHzの帯域幅を実現できるが、暗電流は約200 nAであり、100 nm幅の本質領域製造は極めて困難である。
  • RCパラメータ最適化: Ge領域のサイズと硅掺杂を調整することで最適化できるが、依然としてキャリア通過時間により制限される。
  • インダクタ手法: インダクタを利用して接合容量効果を低減するが、製造の複雑性とパラメータマッチングの困難さが存在する。

核心的貢献

  1. 革新的な均衡フォトディテクタ(EqPD)アーキテクチャの提案: 差分構造を利用した周波数領域均衡により、従来の帯域幅制限を突破
  2. 垂直Geフォトディテクタの最高性能指標の実現: 帯域幅110 GHz超、暗電流1 pAのみ
  3. 100 Gbaud NRZ伝送能力の検証: デジタル信号処理なしで高速データ伝送を実現
  4. 理論分析と実験検証の提供: 完全な等価回路モデルと伝達関数分析を確立

方法の詳細

器件アーキテクチャ設計

EqPDは2つの差分フォトディテクタで構成される：

  • PDA: 小さいGe領域、低容量、高帯域幅を有する
  • PDB: 大きいGe領域、高容量、低帯域幅を有する
  • 共通電極: PDAのN++Geとpdbのp++シリコンを接続し、掺杂極性が逆で、電流減算を実現
  • 熱調整可能MZI: 2つのGe領域への入射光電力配分比を制御

理論モデル

伝達関数

EqPDの伝達関数は以下の通りである：

H_Eq(f) = H_t(f)[(1-m)H_a(f) - mH_b(f)]

ここで：

  • m: PDBに配分される入射光電力の比率
  • H_t(f): キャリア制御伝達関数
  • H_a(f), H_b(f): PDAおよびPDBのRC寄生パラメータ制御伝達関数

キャリア伝達関数

H_t(f) = 1/(1 + 2πjfR_tC_t)

RC伝達関数

H_i(f) = X_j/[(1 + 2πjfC_p R_load)(X_i + X_j) + 2πjfC_i R_load X_j + X_i + X_j]

暗電流抑制メカニズム

暗電流は主に4つの部分で構成される：

  1. 拡散電流: I_Diff = (qD_n n_p^0)/L_n + (qD_p p_n^0)/L_p × e^(qV_d/KT) - 1
  2. 生成-再結合電流: I_GR = (Aqd_i n_i)/(2τ) × e^(qV_d/2KT) - 1
  3. バンド間トンネル電流: I_BBT
  4. トラップ支援トンネル電流: I_TAT

PDAとPDBに異なるバイアス電圧を印加することにより、両者の暗電流を相互に相殺させ、超低暗電流を実現できる。

実験設定

器件製造

  • 基板: 220 nm厚シリコン上層と2 μm厚埋め込み酸化膜層を有するSOI基板
  • Ge層: 500 nm外延成長、上部50 nmはN++濃度に重掺杂
  • 掺杂濃度: P++Si約10^20 cm^-3、P+Si約10^19 cm^-3
  • 器件サイズ: PDAは8×6 μm、PDBは17×6 μm

テスト構成

  • 小信号特性: ベクトルネットワークアナライザ(Keysight N5245B)と110 GHzオプティカルコンポーネントアナライザを使用
  • アイパターンテスト: レーザ、偏光制御器、MZ変調器、EDFA増幅器を含む完全なリンク
  • 暗電流テスト: 電圧源(Keysight B2901A)を使用

実験結果

主要性能指標

帯域幅性能

  • 均衡なし(m=0): 3-dB帯域幅わずか17 GHz
  • 均衡最適化後:
    • m=0.1: 25 GHz
    • m=0.2: 33 GHz
    • m=0.3: 55 GHz
    • m=0.35: 65 GHz
    • m=0.4: 73 GHz
    • m=0.45: >110 GHz(RF応答損失わずか-0.53 dB)

暗電流抑制

  • 従来型単一PD: 2.5 nA(VB=-1Vの場合)
  • EqPD最適化後: 1 pA(3桁低減)
  • 異なるバイアス下での抑制効果:
    • VB=0V: 156 pAから3 pAへ低減
    • VB=-1V: 2.5 nAから1 pAへ低減
    • VB=-2V: 3.5 nAから20 pAへ低減(175倍低減)

高速伝送能力

  • 100 Gbaud NRZ伝送: DSPなしで明確なアイパターンを実現
  • 異なるm値下での伝送速度:
    • m=0.2: 70 Gbaud
    • m=0.35: 90 Gbaud
    • m=0.4: 100 Gbaud

性能比較

既存技術との比較により、本研究は垂直Geフォトディテクタで初めて以下を実現したことが示される：

  • 最高帯域幅: >110 GHz
  • 最低暗電流: 1 pA
  • 最良総合性能: 超高帯域幅と超低暗電流を同時実現

アブレーション実験

光電力配分比mの影響

異なるm値が性能に与える影響を系統的に研究した：

  1. 帯域幅vs応答度のトレードオフ: mの増加に伴い帯域幅は向上するが応答度は低下
  2. 最適動作点: m=0.45で最良の帯域幅性能を実現
  3. 物理的制限: mは0.5未満であるべき、さもなければ均衡効果が悪化

バイアス電圧最適化

PDAとPDBのバイアス電圧を精密に制御することにより、暗電流の精密な相殺を実現し、理論予測の正確性を検証した。

関連研究

主要研究方向

  1. 本質領域狭小化: キャリア通過時間を減少させることで帯域幅を向上
  2. RCパラメータ最適化: 器件幾何構造と掺杂濃度を調整
  3. インダクタ補償: インダクタを利用して容量効果を相殺
  4. 新規構造: フィン構造、環状構造など

本研究の独自性

  • 周波数領域均衡概念の初提案: 差分構造を利用した帯域幅拡張
  • 物理的限界の突破: キャリア通過時間とRC制限を超越
  • 製造工程の簡潔性: 複雑なナノスケール製造工程不要
  • 汎用性の高さ: 各種フォトディテクタに適用可能

結論と考察

主要結論

  1. 技術的突破: 垂直Geフォトディテクタで初めて>110 GHz帯域幅を実現
  2. 暗電流抑制: 1 pA超低暗電流を実現、従来構造より3桁低減
  3. 実用価値: 100 Gbaud NRZ伝送検証により実用的応用可能性を実証
  4. 理論的貢献: 完全な周波数領域均衡理論フレームワークを確立

制限事項

  1. 応答度のトレードオフ: 帯域幅向上は応答度低下を代償とする
  2. 複雑性の増加: 精密な光電力配分とバイアス制御が必要
  3. 温度感度: MZIの熱調整は温度影響を受ける可能性
  4. 製造公差: 2つのPDの一貫性要件が高い

今後の方向

  1. 帯域幅のさらなる向上: PDAの面積縮小と掺杂濃度最適化を通じて
  2. 応答度最適化: 応答度損失を低減する新規均衡戦略の探索
  3. 集積化: 他のシリコンフォトニクス器件との単一チップ集積
  4. 応用拡張: コヒーレント通信、センシング等の分野への応用

深度評価

利点

  1. 革新性が顕著: 周波数領域均衡概念を初提案、フォトディテクタ設計に新思路を開拓
  2. 性能が卓越: 主要指標で顕著な突破を実現、領域最高水準に達する
  3. 理論が完備: 完全な理論モデルと等価回路分析を確立
  4. 実験が充分: 器件特性からシステムレベル検証まで、実験設計が包括的
  5. 実用価値が高: 次世代高速光通信システムに直接適用可能

不足点

  1. トレードオフ関係: 帯域幅と応答度間のトレードオフはさらなる最適化が必要
  2. 複雑度: 単一PDと比較してシステム複雑度が増加
  3. 長期安定性: 長期信頼性と温度安定性テストが不足
  4. コスト分析: 製造コスト比較の詳細情報が不足

影響力

  1. 学術的価値: 高速フォトディテクタ設計に新しい理論フレームワークを提供
  2. 産業的意義: データセンタおよび5G/6G通信システムに直接適用可能
  3. 技術推進: 均衡原理は他種類のフォト電子器件に拡張可能
  4. 標準制定: 将来の高速フォトディテクタ性能標準に影響を与える可能性

適用シーン

  1. 高速光通信: 100G/400G/800G光モジュール
  2. データセンタ相互接続: 短距離高速光リンク
  3. 5G/6G前伝回伝: 無線通信基盤施設
  4. 光コンピューティング: 光電子集積計算チップ
  5. ライダー: 高速測距およびイメージング応用

参考文献

本論文は28篇の重要文献を引用しており、シリコンフォトニクス、フォトディテクタ設計、高速光通信等の関連分野における最新の進展をカバーし、本研究に堅実な理論基礎と技術比較を提供している。

総合評価: これはフォトディテクタ分野において重要な突破的意義を有する優秀論文である。著者が提案した周波数領域均衡概念は新規で独特であり、実験結果は印象的であり、理論分析は深く透徹している。本研究は技術的に顕著な突破を実現しただけでなく、より重要なことに、本分野に全く新しい設計思想を提供しており、重要な学術的価値と実用的意義を有している。