2025-11-19T10:34:13.595476

Structural origin of resonant diffraction in RuO$_2$

Occhialini, Nelson, Bombardi et al.

We report Ru L$_3$-edge resonant X-ray diffraction studies on single crystal and (001) epitaxial films of RuO$_2$. We investigate the distinct $\mathbf{Q} = (100)$ and $(001)$ reflections as a function of incident energy, azimuthal angle, and temperature. The results show that the observed resonant diffraction in RuO$_2$ is fully consistent with a resonant charge anisotropy signal of structural origin permitted by the parent (non-magnetic) rutile $P4_2/mnm$ space group. These results significantly constrain the magnetic contribution to the resonant diffraction signal and indicate the unlikely existence of $\mathbf{k} = 0$ antiferromagnetic order in RuO$_2$.

academic

RuO $_2$ における共鳴回折の構造起源

基本情報

論文ID: 2510.13767
タイトル: Structural origin of resonant diffraction in RuO $_2$
著者: Connor A. Occhialini, Christie Nelson, Alessandro Bombardi, Shiyu Fan, Raul Acevedo-Esteves, Riccardo Comin, Dmitri N. Basov, Maki Musashi, Masashi Kawasaki, Masaki Uchida, Hoydoo You, John Mitchell, Valentina Bisogni, Claudio Mazzoli, Jonathan Pelliciari
分類: cond-mat.str-el（強相関電子系）
発表日: 2025年10月16日
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.13767

要旨

本論文は、RuO $_2$ 単結晶および(001)エピタキシャル薄膜のRu L $_3$ 端における共鳴X線回折(RXD)の研究結果を報告している。異なる $\mathbf{Q} = (100)$ および $(001)$ 反射を、入射エネルギー、方位角、温度の関数として調査した。RuO $_2$ で観測された共鳴回折は、母体（非磁性）ルチル構造 $P4_2/mnm$ 空間群により許容される構造起源の共鳴電荷異方性信号と完全に一致することが示された。これらの結果は、共鳴回折信号における磁性寄与を著しく制限し、RuO $_2$ における $\mathbf{k} = 0$ 反強磁性秩序の存在の可能性が低いことを示唆している。

反強磁性スピントロニクス応用：RuO $_2$ は「交替磁体」(altermagnet)の原型材料と考えられており、このような材料は反強磁性スピントロニクスにおいて重要な応用前景を有している
理論検証：RuO $_2$ は、非相対論的スピン分裂反強磁性体の理論予測を検証するためのテストプラットフォームとして機能してきた
技術応用：RuO $_2$ は酸素析出反応触媒および超伝導薄膜などの分野で重要な応用を有している

3. 既存手法の限界

中性子回折：初期に報告された反強磁性信号は後に多重散乱効果に帰因された
μSR実験：磁気秩序の証拠は発見されなかった
RXD技術：薄膜試料に対する感度は高いが、磁性と構造寄与の区別が困難である

4. 研究動機

RXDがRuO $_2$ における磁気秩序の観測を依然として主張する唯一の技術であり、薄膜試料に対して高い感度を有することから、RXD信号が真に磁気秩序に由来するかどうかを決定することが急務である。

核心的貢献

RXD信号の構造起源の明確化：系統的な実験および理論計算を通じて、RuO $_2$ における共鳴回折が主に異方性テンソル感度(ATS)散乱に由来し、磁性散乱ではないことを証明した
磁性と構造寄与を区別する方法の確立：異なる禁制反射 $\mathbf{Q} = (100)$ および $(001)$ における磁性とATS寄与の異なる方位角依存性を利用して、両効果の分離に成功した
磁気モーメントの厳密な上限の提供：実験感度に基づいて、 $\mathbf{k} = 0$ 反強磁性秩序磁気モーメントの上限を $|m| < 0.1 \mu_B$ と決定した
交替磁体研究における方法論的問題の明確化：類似の対称性を有する交替磁体候補材料におけるRXD技術の使用時に注意すべき問題を指摘した

単結晶試料：酸化昇華/結晶化法を用いて管状炉内で成長させ、サイズは通常5mm未満
薄膜試料：分子線エピタキシーにより成長させた18nm厚の(001) RuO $_2$ /TiO $_2$ エピタキシャル薄膜

2. 測定技術

共鳴条件：Ru L $_3$ 端(2p → 4d、~2.838 keV)
散乱幾何：入射σ偏光を使用し、グラファイト分析器により散乱偏光(σ′/π′)を分析
測定パラメータ：
- 温度範囲：6～340 K
- 方位角(ψ)スキャン：散乱強度の角度依存性を研究
- エネルギースキャン：共鳴スペクトルを取得

3. 理論計算

FDMNESプログラムを使用して実施：

非磁性計算： $P4_2/mnm$ 空間群に基づく
磁性計算： $P4′_2/mnm′$ 磁気空間群を仮定、c軸局所スピン
自己吸収補正：試料厚さ効果を考慮

技術的革新点

1. 二重禁制反射対比法

重要な革新は、 $\mathbf{Q} = (100)$ および $(001)$ の二つの禁制反射を同時に研究することである：

$\mathbf{Q} = (100)$ ：磁性とATS寄与は同じ方位角依存性( $\cos^2\psi$ )を有し、区別不可能
$\mathbf{Q} = (001)$ ：磁性とATS寄与は異なる方位角依存性と偏光チャネル挙動を有する

$\mathbf{Q} = (001)$ の場合：

ATS散乱： $|F_{\sigma\sigma′}|^2 ∝ |\Delta|^2 \sin^2(2\psi)$ 、 $|F_{\sigma\pi′}|^2 ∝ |\Delta|^2 \sin^2(\theta_b) \cos^2(2\psi)$
磁性散乱： $|F_{\sigma\sigma′}|^2 = 0$ 、 $|F_{\sigma\pi′}|^2 ∝ |f_{xy}|^2$