2025-11-24T07:13:17.929877

Turn-on of Current-Induced Spin Torque upon Noncollinear Antiferromagnetic Ordering in Delafossite PdCrO2

Huang, Song, Gurung et al.

We report measurements of the current-induced spin torque produced by the delafossite antiferromagnet PdCrO2 and acting on an adjacent ferromagnetic permalloy layer. The spin torque increases strongly as the temperature is reduced through the Neel temperature, when the PdCrO2 transitions from a paramagnetic phase to a noncollinear antiferromagnetic state. This result is qualitatively consistent with density functional theory calculations regarding how spin-current generation changes upon antiferromagnetic ordering in PdCrO2.

academic

デラフォッサイト型PdCrO2の非共線反強磁性秩序化に伴う電流誘起スピントルクの発現

基本情報

論文ID: 2510.14103
題目: デラフォッサイト型PdCrO2の非共線反強磁性秩序化に伴う電流誘起スピントルクの発現
著者: Xiaoxi Huang、Qi Song、Gautam Gurung、Daniel A. Pharis他（コーネル大学、ネブラスカ大学他複数機関所属）
分類: cond-mat.mtrl-sci（凝縮系物理学-材料科学）
投稿日時: 2025年10月15日arXivへ投稿
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.14103

要旨

本論文は、デラフォッサイト型反強磁性体PdCrO2により生成される電流誘起スピントルクの測定結果を報告している。このトルクは隣接する強磁性パーマロイ層に作用する。温度がネール温度を下回ると、PdCrO2が常磁性相から非共線反強磁性状態へ転移し、スピントルクが著しく増強される。この結果は密度汎関数理論計算と定性的に一致し、PdCrO2における反強磁性秩序がスピン電流生成に及ぼす影響を実証している。

研究背景と動機

研究課題

従来、電流誘起トルクの生成には強いスピン軌道相互作用(SOC)が必要であり、これが潜在的な材料候補を制限していた。本研究は、強いSOCなしに反強磁性秩序が横方向スピン電流を生成できるかどうかを探索することを目的としている。

重要性

スピンエレクトロニクス材料の拡大：従来のスピントルク材料は強いSOCに依存し、材料選択が限定されている
理論検証：非共線および共線反強磁性秩序が横方向スピン電流を生成できるという理論予測の検証
デバイス応用：スピンエレクトロニクスデバイスの磁化制御効率向上のための新戦略提供

既存の制限

ほとんどの反強磁性体にはSOCが存在し、反強磁性秩序により主に生成されるスピン電流を明確に識別することが困難
反強磁性秩序がスピントルク生成に決定的な役割を果たすことを直接実証する実験証拠の欠如

研究動機

PdCrO2は高導電性パラジウム層とモット絶縁体CrO2層を含む独特の層状構造を有し、クロム位置が120°非共線構造を形成しており、反強磁性秩序がスピントルクに及ぼす影響を研究するための理想的なプラットフォームを提供する。

核心的貢献

初の実験的証明：PdCrO2におけるスピントルク生成が主に反強磁性秩序に依存し、スピン軌道相互作用には依存しないことを実証
顕著な温度依存性の発見：ネール温度を通過する際にスピントルクが急激に増強される
理論的支持の提供：密度汎関数理論計算により実験観察を検証
厚さ依存性の解明：スピン電流生成のバルク起源特性を実証

方法論の詳細

タスク定義

デラフォッサイト型反強磁性体PdCrO2が隣接する強磁性層に及ぼす電流誘起スピントルクを測定し、その温度および厚さ依存性を研究する。

実験構成

1. サンプル作製

薄膜成長：分子線エピタキシー(MBE)を用いて(0001)サファイア基板上に外延PdCrO2薄膜を成長
デバイス構造：PdCrO2/パーマロイ(Py)二層構造
厚さ範囲：PdCrO2厚さ2.7～7 nm、Py厚さ5 nm

2. 測定技術

二次高調波ホール測定：

印加振動電流： $I_0 = 10$ mA（ピーク値）、周波数 $\omega = 17$ Hz
ホール電圧式： $V^{2\omega}_{XY} = D_Y \cos(\phi) + F_Y \cos(\phi)\cos(2\phi) + C$

ここで $D_Y$ は減衰型トルク寄与を含み、 $F_Y$ は場型トルク寄与を含む。

スピントルク強磁性共鳴(ST-FMR)：

混合電圧式： $V_{mix} = \frac{I_{rf}R_{AMR}}{2\alpha\omega_+} \sin 2\phi \cos\phi \times (F_S(H_{ext})\tau^0_{DL} + F_A(H_{ext})\frac{\omega^2}{\omega}\tau^0_z)$

3. 理論計算

密度汎関数理論(DFT)を用いてPdCrO2の常磁性および反強磁性状態における電子バンド構造とスピンホール電導率を計算。

技術的革新点

材料選択：PdCrO2の層状構造は反強磁性秩序効果を研究するための独特なプラットフォームを提供
多重検証：二次高調波ホール測定とST-FMRの2つの独立した測定技術を相互検証
温度制御：温度制御により常磁性-反強磁性相転移を実現し、両状態下のスピントルクを直接比較

実験設定

サンプル特性

構造：デラフォッサイト構造、空間群R3̄m
抵抗率：室温93 μΩ·cm、2Kで60.5 μΩ·cm
ネール温度：薄膜で約22～30K（バルク材料で37.5K）

測定条件

温度範囲：2～60K
磁場強度：最大9T
デバイスサイズ：ホールバー幅20μm、ホールプローブ幅5μm

評価指標

減衰型スピントルク効率： $\xi^Y_{DL} = \frac{2e}{\hbar}\frac{\Delta B_{DL}}{J_{AF}}M_s t_{Py}$
スピンホール比： $\xi_{SH} = 0.027$ （2.7 nm PdCrO2の場合）
スピンホール電導率： $\sigma_{SH} = 6.8 \times 10^3 (\hbar/2e)\Omega^{-1}m^{-1}$