2025-11-22T10:55:16.122654

A large spin-splitting altermagnet designed from the hydroxylated MBene monolayer

Yang, Wang, Dong

The development of altermagnets is fundamentally important for advancing spintronic device technology, but remains unpractical for the weak spin splitting in most cases, especially in two-dimensional materials. Based on spin group symmetry analysis and first-principles calculations, a novel hydroxyl rotation strategy in collinear antiferromagnets has been proposed to design altermagnets. This approach achieves a large chirality-reversible spin splitting exceeding $1130$ meV in $Î±_{60}$-Mn$_2$B$_2$(OH)$_2$ monolayer. The system also exhibits intrinsic features of a node-line semimetal in the absence of spin-orbit coupling. Besides, the angles of hydroxyl groups serve as the primary order parameter, which can switch on/off the altermagnetism coupled with the ferroelastic mechanism. The corresponding magnetocrystalline anisotropy have also been modulated. Moreover, an interesting spin-related transport property with the spin-polarized conductivity of 10$^{19}$ $Î©^{-1}m^{-1}s^{-1}$ also emerges. These findings uncover the hydroxyl rotation strategy as a versatile tool for designing altermagnetic node-line semimetals and opening new avenues for achieving exotic chemical and physical characteristics associated with large spin splitting.

academic

水酸化MBene単分子層から設計された大きなスピン分裂オルターマグネット

基本情報

論文ID: 2510.14174
タイトル: A large spin-splitting altermagnet designed from the hydroxylated MBene monolayer
著者: Xinyu Yang, Shan-Shan Wang*, Shuai Dong*
分類: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
発表日時: 2025年10月16日 (arXiv プレプリント)
論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.14174

要旨

本研究は、スピントロニクスデバイス技術における重要な課題である二次元材料におけるスピン分裂の一般的な弱さという制限に対処するため、水酸化基の回転戦略を用いたオルターマグネット(altermagnets)の設計方法を提案している。スピン群対称性分析と第一原理計算に基づき、本手法はα₆₀-Mn₂B₂(OH)₂単分子層において1130 meVを超える大きなキラルな可逆スピン分裂を実現した。本システムはスピン軌道相互作用がない条件下でノードライン半金属の本質的特性を示す。水酸化基の角度は主要な秩序パラメータとして機能し、強弾性機構を通じてオルターマグネット性を切り替えることができる。研究ではまた、10¹⁹ Ω⁻¹m⁻¹s⁻¹に達するスピン偏極電導率の興味深いスピン関連輸送特性を発見した。

研究背景と動機

問題の定義

中核的課題: 従来の二次元磁性材料では、強磁性体は散乱磁場とGHzレベルの速度制限を有し、反強磁性体は超高速THz スピンダイナミクスを有するが制御が困難であり、既存のオルターマグネットのスピン分裂効果は一般的に弱い。
重要性: 非相対論的スピン分裂とゼロ正味磁化を組み合わせた新しい磁性材料としてのオルターマグネットは、スピントロニクスデバイスの理想的なプラットフォームを提供するが、二次元材料での実現はまだ課題に直面している。
既存手法の限界:
- ファンデルワールス相互作用に基づく二分子層オルターマグネット構造は脆弱である
- 層間結合が弱いため、バンド分裂効果が顕著でない
- 大きなスピン分裂を実現する有効な設計戦略が不足している
研究動機: ファンデルワールス以外の材料体系におけるオルターマグネット設計の新しい戦略を開発し、特にMBene材料の豊富な構造多様性を利用して、表面終端基の回転を通じて強いスピン分裂効果を実現する。

中核的貢献

水酸化基回転戦略の提案: 表面水酸化基の回転制御を通じてオルターマグネット設計を実現する新しい手法を初めて提案し、従来のファンデルワールス相互作用の制限を突破した。
超大スピン分裂の実現: α₆₀-Mn₂B₂(OH)₂単分子層において1130 meVのスピン分裂を達成し、報告されているほとんどの二次元オルターマグネットを上回った。
ノードライン半金属特性の発見: システムはスピン軌道相互作用がない条件下で本質的なノードライン半金属特性を示し、材料の電子構造特性を豊かにした。
強弾性-オルターマグネット性結合機構の確立: 水酸化基の角度が秩序パラメータとして機能し、強弾性相転移を通じてオルターマグネット性の切り替えを調節する結合関係を明らかにした。
高スピン偏極電導率の予測: 10¹⁹ Ω⁻¹m⁻¹s⁻¹オーダーのスピン偏極電導率を発見し、スピン輸送応用に新しい機会を提供した。