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Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in GaN high-electron-mobility transistors

Pan, Lin, Chen et al.
This work provides a detailed mapping of various mechanisms of surface-trap-induced gate leakage in GaN HEMTs across a temperature range from room to cryogenic levels. Two-dimensional variable-range hopping is observed at small gate bias. Under higher reverse gate bias, the leakage is dominated by the Poole--Frenkel emission above 220 K, but gradually transitions to the trap-assisted tunneling below 220 K owing to the frozen-trap effect. The trap barrier height extracted from the gate leakage current under the upward gate sweep is 0.65 V, which is 12\% higher than that from the downward sweep. The gate leakage current as a function of the gate bias exhibits clockwise hysteresis loops above 220 K but counterclockwise ones below 220 K. This remarkable opposite hysteresis phenomenon is thoroughly explained by the trap mechanisms.
academic

極低温度依存性とGaN高電子移動度トランジスタの表面トラップ誘起ゲートリーク中のヒステリシス

基本情報

  • 論文ID: 2510.14456
  • タイトル: Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in GaN high-electron-mobility transistors
  • 著者: Ching-Yang Pan, Shi-Kai Lin, Yu-An Chen, Pei-hsun Jiang（国立台湾師範大学）
  • 分類: cond-mat.mes-hall physics.app-ph
  • 発表日: 2024年10月16日
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.14456

要旨

本研究は、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)における表面トラップ誘起ゲートリークの各種メカニズムを、室温から極低温までの温度範囲で詳細に解析した。小ゲート偏圧下では2次元可変範囲ホッピング伝導が観察される。より高い逆方向ゲート偏圧下では、220 K以上のリークは主にプール・フレンケル(Poole-Frenkel)発射により支配されるが、トラップ凍結効果により220 K以下ではトラップ補助トンネリングへと段階的に転移する。上昇ゲート走査から抽出されたトラップ障壁高さは0.65 Vであり、下降走査より12%高い。ゲートリーク電流とゲート偏圧の関数関係は、220 K以上では時計回りのヒステリシスループを示し、220 K以下では反時計回りのヒステリシスループを示す。この顕著な反対方向ヒステリシス現象はトラップメカニズムにより十分に説明される。

研究背景と動機

  1. 解決すべき問題：
    • GaN HEMTの極低温環境下におけるゲートリークメカニズムは十分に研究されていない
    • 表面トラップ誘起ゲートリークはデバイス信頼性に深刻な影響を及ぼす
    • 極低温下におけるゲートリークヒステリシス挙動の系統的研究が欠けている
  2. 問題の重要性：
    • 航空宇宙、量子計算、超伝導システムなどの応用における極低温電子デバイスの需要が増加している
    • GaN HEMTは低温で優れた性能を示すが、トラップ効果がデバイス信頼性を制限する
    • ゲートリークは降伏電圧を低下させ、オフ状態消費電力を増加させる
  3. 既存手法の限界：
    • 従来の研究は主に室温以上のゲートリークの温度依存性に焦点を当てている
    • 極低温下の表面ゲートリークに関する深い研究が不足している
    • ゲートリークヒステリシス挙動の物理メカニズムの理解が不十分である
  4. 研究動機：
    • 極低温GaNデバイスの開発と応用に対する理論的基礎を提供する
    • 異なる温度領域におけるゲートリークの物理メカニズムを明らかにする
    • トラップメカニズムとヒステリシス挙動の関連性を確立する

核心的貢献

  1. 300 Kから1.5 Kの温度範囲におけるGaN HEMTsゲートリークの各種メカニズムを系統的に解析
  2. 220 K付近におけるプール・フレンケル発射からトラップ補助トンネリングへのメカニズム転移を発見・説明
  3. 220 K前後でゲートリークヒステリシスループの方向が反対になる現象を初めて観察
  4. トラップ障壁高さの精密測定(0.65 V)および走査方向との関係を提供
  5. 異なるリークメカニズムとヒステリシス挙動の物理的関連モデルを確立

方法論の詳細

デバイス構造と製造

  • 基板：Si(111)基板上の4 μm厚GaN/AlGaN超格子バッファ層
  • ヘテロ接合：GaN(200 nm)/Al₀.₂Ga₀.₈N(25 nm)が2次元電子ガスチャネルを形成
  • 電極：Ti/Al/Ti/Au ソース・ドレイン電極、Ni/Au/Ti ゲート電極
  • パッシベーション層：450 nm SiO₂パッシベーション層
  • デバイスサイズ：ゲート幅100 μm、ゲート長3～5 μm、ソース・ゲート間距離3～5 μm、ゲート・ドレイン間距離20～30 μm

測定方法

  • 温度範囲：300 Kから1.5 Kまでの系統的測定
  • 電気特性評価：I-V特性、C-V特性、移動度およびキャリア濃度測定
  • ゲートリーク測定：双方向ゲート電圧走査、異なる走査速度での測定
  • ストレステスト：固定ゲート電圧下での時間依存性測定

理論モデル

  1. 2次元可変範囲ホッピング伝導(2D-VRH)： I2D−VRH=I0exp⁡[−(T0T)1/3]I_{2D-VRH} = I_0 \exp\left[-\left(\frac{T_0}{T}\right)^{1/3}\right]
  2. プール・フレンケル発射(PFE)： IPFE∝Eexp⁡[qkT(qEπϵ−ϕPFE)]I_{PFE} \propto E \exp\left[\frac{q}{kT}\left(\sqrt{\frac{qE}{\pi\epsilon}} - \phi_{PFE}\right)\right]
  3. トラップ補助トンネリング(TAT)： ITAT∝exp⁡(−8π2m∗q3hϕTAT3/2E)I_{TAT} \propto \exp\left(-\frac{8\pi\sqrt{2m^*q}}{3h}\frac{\phi_{TAT}^{3/2}}{E}\right)

実験設定

デバイスパラメータ

  • 代表的サンプル：LG = 5 μm、LSG = 3 μm、LGD = 30 μm
  • 室温でのキャリア密度：~9×10¹² cm⁻²
  • 室温での移動度：1108 cm²/(V·s)
  • 1.5 Kでの移動度：2323 cm²/(V·s)

測定条件

  • 温度ステップ：200 K以上で25 K間隔、200 K以下で20 K間隔
  • ゲート電圧走査範囲：-10 V～+2 V
  • 走査速度：±0.05 V per 18～250 ms
  • ストレス時間：最大90秒

評価指標

  • ゲートリーク電流IGとゲート電圧VGの関係
  • トラップ障壁高さφPFEおよびφTAT
  • ヒステリシスループ面積と方向
  • 温度依存性指数

実験結果

主要結果

  1. 温度領域の分類：
    • 高温領域(300～220 K)：PFE支配
    • 中温領域(200～140 K)：PFEからTATへの過渡
    • 低温領域(120～1.5 K)：TAT支配、温度依存性消失
  2. リークメカニズムの同定：
    • VG > 0.3 V：ショットキー熱電子発射
    • -1 V < VG < 0.3 V：2D-VRHメカニズム
    • VG < -4 V：PFE(高温)またはTAT(低温)
  3. トラップ障壁高さ：
    • 上昇走査：φPFE = 0.65 V
    • 下降走査：φPFE = 0.58 V
    • 差異：12%

ヒステリシス現象

  1. ヒステリシス方向：
    • T > 220 K：時計回りヒステリシスループ
    • T < 220 K：反時計回りヒステリシスループ
    • T = 220 K：ヒステリシス最小
  2. 走査速度依存性：
    • 高温：ヒステリシスは走査速度に鈍感
    • 低温：強い走査速度依存性
  3. 時間依存性：
    • T > 220 K：IGは時間とともに増加
    • T < 220 K：IGは時間とともに減少

物理メカニズムの説明

  1. PFEメカニズム(T > 220 K)：
    • 電子がトラップから熱励起により伝導帯へ
    • より多くのトラップ電子がより大きなキャリア供給源を提供
    • 時計回りヒステリシスを生成
  2. TATメカニズム(T < 220 K)：
    • トラップ凍結効果、電子はトンネリングにより発射
    • トラップ占有の増加がトンネリング電流を抑制
    • 反時計回りヒステリシスを生成

関連研究

主要研究分野

  1. GaN HEMTsの極低温特性研究
  2. 半導体デバイスのトラップメカニズム研究
  3. ゲートリークの温度依存性分析
  4. ショットキーダイオードのヒステリシス現象

本論文の独自性

  • GaN HEMTsの極めて広い温度範囲におけるゲートリークを初めて系統的に研究
  • ヒステリシス方向の温度依存性反転を発見・説明
  • 異なるリークメカニズム間の明確な境界を確立

結論と考察

主要結論

  1. メカニズム転移：220 KはPFEからTATへの転移の臨界温度点
  2. ヒステリシス反転：ヒステリシス方向の反転はリークメカニズムの変化に直接対応
  3. トラップ凍結効果：低温でのトラップ凍結がTATメカニズムと反時計回りヒステリシスの根本原因
  4. 実用的価値：ヒステリシス測定はリークメカニズム識別の便利なツールとして機能

限界

  1. 材料的限界：研究はSiO₂パッシベーションされたMOCVD成長デバイスに限定
  2. 温度範囲：特定の温度領域での信号対雑音比がより精密な分析を制限
  3. 理論モデル：電場分布の不均一性がTAT障壁高さの精密抽出に影響

今後の方向性

  1. プロセス最適化：異なるパッシベーション材料および成長方法の影響を研究
  2. 理論の改善：より精密な表面電場分布モデルを構築
  3. デバイス応用：トラップメカニズム理解に基づく信頼性向上戦略を開発

深度評価

利点

  1. 系統性が強い：極めて広い温度範囲をカバーし、完全な物理像を提供
  2. メカニズムが明確：複数の理論モデルのフィッティングにより異なるリークメカニズムを明確に同定
  3. 現象が新規：ヒステリシス方向の温度依存性反転を初めて発見
  4. 説明が合理的：トラップ物理に基づくメカニズム説明は論理的で説得力がある
  5. 実用的価値：極低温GaNデバイスの設計と信頼性評価に重要な参考を提供

不足点

  1. サンプル限定：特定のデバイス構造とプロセス条件のみを研究
  2. モデル簡略化：複雑なトラップ相互作用の一部が無視されている可能性
  3. 定量分析：一部のパラメータ抽出は実験条件により制限される

影響力

  1. 学術的価値：GaNデバイス物理研究に新しい視点と方法を提供
  2. 応用前景：量子計算などの極低温応用に重要な指導的意義
  3. 方法的貢献：ヒステリシス測定をメカニズム識別ツールとして推進する価値

適用シーン

  1. 極低温エレクトロニクス：航空宇宙、量子計算システム
  2. パワーエレクトロニクス：高効率電源変換器
  3. RF応用：低ノイズアンプ、パワーアンプ
  4. デバイス信頼性：故障分析と寿命予測

参考文献

論文は93篇の関連文献を引用しており、GaNデバイス物理、トラップメカニズム、極低温エレクトロニクスなど複数分野の重要な研究をカバーし、研究に堅実な理論的基礎と比較参考を提供している。

総合評価：これは高品質な実験物理論文であり、GaN HEMTsの極低温下におけるゲートリークメカニズムを系統的かつ深く研究し、新しい物理現象を発見し、合理的な理論説明を提供している。研究結果は、GaNデバイスの極限環境下での応用推進に重要な意義を持つ。