2025-11-24T00:28:17.542754

Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition

Voitovych, Sarikov, Yukhymchuk et al.
Peculiarities of formation of inclusions of amorphous Si (a-Si) phase in Si-rich Si oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are studied by combined Raman scattering and infrared (IR) absorption spectroscopy. The Raman scattering results identify presence of a-Si phase in the studied films at the relative Si content exceeding a threshold value of about 0.4. The a-Si amount correlates with the concentration of hydrogen in the films, the presence of which is detected by characteristic IR absorption bands corresponding to Si-H bending (about 660 cm-1) and stretching (a composite band in the range of about 1900-2400 cm-1) vibrations. The method of deconvolution of IR absorbance spectra in the range of about 600 to 1300 cm-1 developed earlier is used to reliably separate the IR band at about 660 cm-1. This band is identified to origin from the amorphous Si phase within the studied Si oxynitride films. This makes it possible to propose IR spectroscopy with analysis of the low-wavenumber part of the spectra as an efficient method of identifying phase composition of Si-rich Si oxynitride films. The obtained results contribute to understanding of the regularities of formation of phase compositions of PECVD grown Si oxynitride films and are useful for controlling the films properties for practical applications.
academic

プラズマ増強化学気相成長法で製造されたSiOxNy膜における非晶質Si相形成の同定

基本情報

  • 論文ID: 2510.14701
  • 題目: Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition
  • 著者: M. V. Voitovych, A. Sarikov, V. O. Yukhymchuk, V. V. Voitovych, M. O. Semenenko
  • 分類: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
  • 研究機関: ウクライナ国立科学アカデミー半導体物理研究所ほか複数機関
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.14701

要旨

本研究では、ラマン散乱と赤外吸収分光法を組み合わせた技術を用いて、プラズマ増強化学気相成長法(PECVD)で製造された富シリコン酸窒化シリコン薄膜における非晶質シリコン(a-Si)相の包含物の形成特性を調査した。ラマン散乱の結果から、相対シリコン含有量が約0.4の閾値を超える場合、調査対象の薄膜にa-Si相が存在することが示された。a-Siの含有量は薄膜内の水素濃度と相関しており、水素の存在はSi-H曲げ振動(~660 cm⁻¹)および伸張振動(~1900-2400 cm⁻¹範囲の複合帯)の特性赤外吸収帯により検出された。本研究は、赤外分光法を低波数部分の分析と組み合わせることが、富シリコン酸窒化シリコン薄膜の相組成を識別するための有効な方法として機能することを提案している。

研究背景と動機

問題背景

  1. 材料の重要性: SiOxNy薄膜は現代のマイクロエレクトロニクスおよび光電子デバイス製造において重要であり、その構造が材料特性を決定する
  2. 組成の複雑性: シリコン含有量が増加すると、SiOxNy薄膜の形態と構造が根本的に変化し、誘電体マトリックスに埋め込まれた可変サイズの非晶質シリコンクラスタが形成される可能性がある
  3. 検出の課題: 既存の相組成分析方法は非晶質シリコン相の識別に限界がある

研究動機

  1. 理論の改善: 既存の理論モデルは主にSi、O、N原子のランダム結合分布を考慮しており、非晶質シリコンクラスタの可能性を含めるために更新が必要である
  2. 実用的ニーズ: 特定の相組成を有する薄膜をPECVD技術で製造するための監視方法を提供する
  3. 方法の革新: シンプルで非破壊的な相組成識別技術を開発する

核心的貢献

  1. 閾値関係の確立: 相対シリコン含有量が約0.4を超える場合に非晶質シリコン相の形成が開始される閾値を決定した
  2. 新しい検出方法の提案: 赤外分光法の~660 cm⁻¹における吸収帯が非晶質シリコン相の識別に使用できることを実証した
  3. 相関性の解明: 非晶質シリコン含有量と薄膜内の水素濃度との直接的な相関性を発見した
  4. 分析技術の開発: 赤外分光法の低波数領域分析に基づく相組成識別方法を確立した
  5. 理論的支援の提供: PECVD製造の酸窒化シリコン薄膜の相組成形成メカニズムの理解に対する実験的根拠を提供した

方法の詳細

実験設計

試料製造:

  • PECVD技術を用いて異なる組成の9個のSiOxNy薄膜試料を製造
  • 厚さ: 300±5 nm
  • 基板: 両面研磨ホウ素ドープCZシリコンウェーハ(赤外測定用)および1mm厚サファイア片(ラマン測定用)
  • N2O/SiH4流量比範囲: 0.06-9

表性技術

ラマン分光法:

  • 励起波長: λ = 457 nm
  • 電力密度: <10³ W/cm²(構造損傷を回避)
  • 装置: MDor-23分光計、Andor iDus 401A CCDディテクタ搭載
  • 正規化: 非晶質シリコン帯(~480 cm⁻¹)の強度を基準として

赤外分光法:

  • 測定範囲: 400-4000 cm⁻¹
  • 分解能: 2 cm⁻¹
  • スキャン回数: 100回
  • 測定精度: ~0.5%
  • 装置: PerkinElmer BX-II分光計

データ処理方法

分光解卷積: ガウス関数を用いて複合吸収帯を数学的に解卷積し、異なるSi-H結合配置の寄与を分離:

  • H1 (2252±2 cm⁻¹): H-Si(O₃)複合体
  • H2 (2150±4 cm⁻¹): H-Si(Si₂O)複合体
  • H3 (2050±4 cm⁻¹): H-Si(Si₃)複合体

結合長計算: 経験式を用いてSi-H結合長を計算:

νSi-H (dSi-H)³ = 7074 cm²

実験設定

試料パラメータ

試料N2O/SiH4比x値y値相対Si含有量
#191.950.010.34
#231.30.280.39
#31.51.090.320.41
...............
#90.060.180.050.80

評価指標

  • ラマンピーク位置と半値幅
  • 赤外吸収帯の積分強度
  • 水素濃度(赤外吸収により計算)
  • 相対シリコン含有量と非晶質シリコン相含有量の相関性

実験結果

ラマン分光分析

主要な発見:

  1. 特性ピークの同定: 476 cm⁻¹および660 cm⁻¹に2つの非対称帯を観察
  2. 相組成の解析: 476 cm⁻¹ピークは非晶質シリコンのTOモードに対応し、半値幅Γ₁ = 66 cm⁻¹
  3. 閾値効果: 相対シリコン含有量が0.4を超える場合、TO帯の積分強度が著しく増加

赤外分光分析

Si-H伸張振動領域(1900-2400 cm⁻¹):

  • 水素濃度範囲: ~10²¹-10²² cm⁻³
  • シリコン含有量の増加に伴い上昇傾向を示し、高シリコン含有量試料では飽和傾向

Si-H曲げ振動領域(~660 cm⁻¹):

  • ピークシフト: 665 cm⁻¹(試料#3)から635 cm⁻¹(試料#9)へ移動
  • 強度変化: 相対シリコン含有量と正の相関
  • 主要な発見: この吸収帯はラマンTOモード強度と線形関係を示す

定量的関係

閾値特性:

  • 過剰シリコン閾値: ~0.2
  • 線形関係: 閾値を超えた後、非晶質シリコン含有量は過剰シリコン濃度と線形に増加

関連研究

理論的基礎

  1. ランダム結合モデル: 従来の理論は主にSi-O四面体とSi-N三角錐の混合を考慮
  2. 相分離理論: 富シリコン薄膜におけるシリコンクラスタ形成メカニズム
  3. 分光表性方法: X線光電子分光法、掠射角X線回折などの従来方法の限界

本研究の革新性

既存の研究と比較して、本研究は初めて赤外分光法の低周波領域分析を非晶質シリコン相の定量識別に体系的に適用し、明確な閾値関係を確立した。

結論と考察

主要な結論

  1. 閾値メカニズム: 相対シリコン含有量0.4が非晶質シリコン相形成の臨界値であることを確認
  2. 検出方法: 赤外分光法の~660 cm⁻¹吸収帯に基づく非晶質シリコン相識別方法を確立
  3. 構造-特性関係: 水素含有量と非晶質シリコン相含有量の直接的な相関性を解明
  4. 実用的価値: PECVD工程最適化のためのシンプルで効果的なオンライン監視手段を提供

限界

  1. 試料範囲: 特定の厚さ(300 nm)の薄膜のみを研究
  2. 基板効果: 異なる基板が相形成に与える影響について深く検討していない
  3. 動力学メカニズム: 相形成の動力学過程の詳細な分析が不足している

今後の方向性

  1. 理論モデルの更新: 非晶質シリコンクラスタを熱力学相図モデルに組み込む
  2. 工程最適化: 相組成制御に基づくカスタマイズ製造工程の開発
  3. 応用の拡大: 太陽電池、光電子デバイスにおける応用可能性の探索

深い評価

利点

  1. 方法の革新性: 初めて赤外分光法の低周波分析を用いて非晶質シリコン相を識別し、シンプルで非破壊的な方法である
  2. 実験の充実性: ラマン分光法と赤外分光法の二重表性技術を採用し、結果が相互に検証され、結論の信頼性が向上
  3. 定量分析: 明確な閾値関係と定量的相関性を確立し、実用的価値がある
  4. 理論的貢献: PECVD薄膜の相形成メカニズムの理解に対する重要な実験的根拠を提供

不足点

  1. メカニズム説明: 非晶質シリコン相形成の微視的メカニズムに対する深い理論分析が不足
  2. パラメータ範囲: 実験パラメータの範囲が比較的限定的で、普遍性の検証が必要
  3. 応用検証: 実際のデバイスにおける性能検証が不足

影響力

  1. 学術的価値: 材料科学分野に新しい相組成分析方法を提供
  2. 実用的価値: 半導体産業にシンプルな品質管理手段を提供
  3. 再現性: 実験方法の標準化程度が高く、再現が容易

適用場面

  1. 産業生産: PECVD工程のオンライン監視と品質管理
  2. 研究開発応用: 新型酸窒化シリコン材料の相組成設計
  3. デバイス最適化: 太陽電池、光電子デバイスの材料特性制御

参考文献

論文は28篇の重要な参考文献を引用しており、SiOxNy薄膜の製造、表性、応用など各方面をカバーしており、研究に堅実な理論的基礎と実験的参考を提供している。

総合評価: これは材料科学分野における重要な貢献を有する実験研究論文である。著者は体系的な分光学研究を通じて、PECVD製造の酸窒化シリコン薄膜における非晶質シリコン相を識別する新しい方法を確立し、この種の重要な機能材料の相組成の理解と制御に対して価値のあるツールを提供した。研究方法は科学的で厳密であり、結果は重要な理論的意義と実用的価値を有している。