2025-11-15T11:19:11.677485

Electron transport in junctions between altermagnets

Ghadigaonkar, Das, Soori
We theoretically investigate electron transport in junctions between the two AMs in strong and weak altermagnetic phases. The charge and spin conductivities are analyzed as functions of angle between the Néel vectors of the two AMs $θ$. In the strong AM regime, the charge conductivity vanishes as $θ\to π$, while in the weak AM phase it remains finite. Introducing a normal metal between two AMs leads to Fabry-Pérot-type oscillations in charge conductivity. In the strong phase, transport is dominated by up-spin electrons, whereas both spin channels contribute in the weak phase. These results highlight the potential of AM-based heterostructures for spintronic applications, such as spin filters, and quantum interference-based spintronic devices, where tunable spin-dependent transport and interference effects can be utilized in electronic devices.
academic

交代磁体間接合部における電子輸送

基本情報

  • 論文ID: 2510.14868
  • タイトル: Electron transport in junctions between altermagnets
  • 著者: Shubham Ghadigaonkar, Sachchidanand Das, Abhiram Soori (ハイデラバード大学)
  • 分類: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
  • 発表日: 2025年10月16日 (arXiv プレプリント)
  • 論文リンク: https://arxiv.org/abs/2510.14868

要旨

本論文は、強弱交代磁性相(altermagnetic phases)における2つの交代磁体(AM)間接合部の電子輸送を理論的に研究している。電荷および自旋伝導率の2つのAMのネール矢量夾角θに対する依存性を分析した。強AM相では、電荷伝導率はθ→πで零に漸近するが、弱AM相では有限値を保つ。2つのAM間に常金属を導入すると、電荷伝導率にファブリ・ペロー型振動が生じる。強相では輸送がスピンアップ電子に支配される一方、弱相では両スピンチャネルが寄与する。これらの結果は、スピンフィルタおよび量子干渉ベースのスピントロニクス素子など、AM基ヘテロ構造のスピントロニクス応用における可能性を強調している。

研究背景と動機

問題の重要性

  1. 交代磁体の新興特性: 交代磁体(Altermagnets)はd波磁気秩序を有する新種材料であり、強磁性体と反強磁性体の特性を兼ね備え、正味スピン分極がゼロであるが、電圧バイアス下でスピン流を運ぶことができる。
  2. スピントロニクス応用の需要: 磁気トンネル接合(MTJ)はスピントロニクス素子の基礎であり、従来の強磁性体/絶縁体/強磁性体構造は広く研究されているが、交代磁体ベースの構造は新たな可能性を提供する。
  3. 調整可能なスピン輸送: ネール矢量の向きはスピン軌道トルクまたは超高速光励起により調整可能であり、これは調整可能なスピン関連輸送の実現に機会を提供する。

既存研究の限界

  • AMと常金属、強磁性体および超伝導体の接合は研究されているが、AM-AM接合の系統的理論研究は少ない
  • 異なるAM相(強相対弱相)における輸送挙動の差異に関する深い理解が不足している
  • ネール矢量夾角依存性の定量的分析が不十分である

研究動機

本論文は、連続体モデルによるAM-AM接合の電子輸送を系統的に研究することを目的とし、特にネール矢量の相対的向きが電荷および自旋伝導率に与える影響に焦点を当て、AM基スピントロニクス素子の設計に理論的基礎を提供する。

核心的貢献

  1. AM-AM接合の理論フレームワークの確立: 連続体モデルに基づいて強弱AM相のハミルトニアンを導出し、適切な境界条件を与えた。
  2. 2つのAM相の異なる輸送機構の解明:
    • 強相：電荷伝導率がθ=πで完全に消失し、輸送が単一スピンチャネルに支配される
    • 弱相：電荷伝導率がθ=πで有限値を保ち、両スピンチャネルが寄与する
  3. AM/NM/AM構造におけるファブリ・ペロー干渉効果の発見: 常金属層の導入により伝導率に量子干渉振動が生じ、振動周波数はAM相タイプに関連する。
  4. スピンフィルタおよび量子干渉素子設計の指針提供: ネール矢量夾角を調整することで、調整可能なスピン関連輸送と干渉効果が実現できる。

方法論の詳細

タスク定義

異なるネール矢量向きを有する2つの交代磁体間接合部の電子輸送特性を研究する。以下を含む：

  • 入力: ネール矢量夾角θ、AM強度パラメータtJ/t、エネルギーE
  • 出力: 電荷伝導率G、自旋伝導率Gs
  • 制約: 確率流保存、各AM領域内でのスピン保存

モデルアーキテクチャ

1. ハミルトニアンの構築

弱AM相 (0 ≤ tJ < t):

HW(χ) = -(tσ0 - tJσχ)a²∂²x - (tσ0 + tJσχ)a²∂²y

強AM相 (tJ > t ≥ 0):

HS(χ) = -[(tJ-t)(∂x - iπ/a)² + (tJ+t)∂²y]a² |↑χ⟩⟨↑χ|
        -[(tJ+t)∂²x + (tJ-t)(∂y ± iπ/a)²]a² |↓χ⟩⟨↓χ|

ここでσχ = σz cosχ + σx sinχ、χはネール矢量方向を表す。

2. 境界条件

確率流保存に基づいて、x=0での境界条件は以下の通り：

ψ(0⁻) = cψ(0⁺)
c[(tσ0 - tJσz)a∂xψ + taq0ψ]₀⁻ = (tσ0 - tJσθ)a∂xψ|₀⁺

3. 散乱波動関数

左側から入射する↑スピン電子に対して、散乱波動関数の形式は：

ψ(x) = (e^(ikx↑x) + r↑↑e^(-ikx↑x))|↑⟩ + r↓↑e^(ikx↓x)|↓⟩  (x < 0)
      = t↑↑e^(ikx↑x)|↑θ⟩ + t↓↑e^(ikx↓x)|↓θ⟩             (x > 0)

技術的革新点

  1. 統一された相記述フレームワーク: タイトバインディングモデルから出発し、連続体近似を通じて有効低エネルギーハミルトニアンに変換し、強弱両相を統一的に記述した。
  2. スピン関連の境界条件: ネール矢量向きの差異に起因するスピン基底変換を考慮し、界面でのスピンマッチング問題を正しく処理した。
  3. 完全な輸送分析: 電荷流と自旋流を同時に計算し、異なる相における両者の異なる挙動を解明した。

実験設定

計算パラメータ

  • エネルギースケール: E = t (弱相), E = tJ (強相)
  • 界面パラメータ: c = 1, q0 = 1/a (典型値)
  • AM強度比: tJ/t = 0.2-0.8 (弱相), tJ/t > 1 (強相)
  • 常金属パラメータ: t0 = 0.1tJ、化学ポテンシャルμは調整可能

評価指標

  1. 微分電荷伝導率:
    G = (e/8π²√(t²-tJ²)) ∫ dα [Jc↑(α) + Jc↓(α)]
  2. 自旋伝導率:
    Gs± = (e/8π²√(t²-tJ²)) ∫ dα [Js±↑(α) + Js±↓(α)]

比較分析

  • 強相対弱相の輸送挙動の比較
  • 常金属層の有無の影響の比較
  • 異なるネール矢量夾角θの系統的分析

実験結果

主要な結果

1. 弱AM相における輸送

  • 電荷伝導率: θ=0で最大、θの増加とともに単調に減少するが、θ=πで有限値を保つ
  • 自旋伝導率: 左右領域はθ=0で等しく、θ=πで大きさが等しいが符号が反対
  • tJ依存性: より大きなtJ値は、θに対する伝導率の変化をより顕著にする

2. 強AM相における輸送

  • 電荷伝導率: θ=0で最大、θ→πで完全に消失
  • スピン選択性: 輸送はほぼ完全にスピンアップ電子に支配される
  • 対称性: 左右領域の自旋伝導率は完全に一致

3. AM/NM/AM構造におけるファブリ・ペロー効果

  • 振動周期: ΔL = π/q ≈ 2.22a (理論) 対 2.212a (数値)
  • 化学ポテンシャル依存性: Δq = π/L、振動振幅はμの増加とともに安定化
  • 相依存性: 強相では振動がより明顕、弱相では両スピンチャネルが寄与

アブレーション実験

  1. tJ=0の極限: 伝導率はθに依存せず、常金属挙動に対応
  2. cおよびq0パラメータの影響: 界面透明度と不純物強度は総伝導率の大きさに影響するが、θ依存性は変わらない
  3. エネルギー依存性: 異なるエネルギーでの定性的挙動は一貫性を保つ

ケーススタディ

  • θ=0: 2つのAM領域のスピン向きが一致し、伝送が最大化される
  • θ=π: 強相では伝送が完全に遮断され、弱相では有限伝送が残存
  • 中間角度: スピン重複が徐々に減少し、伝導率は滑らかに変化

関連研究

主要な研究方向

  1. AM基本特性研究: Šmejkalら による AM の基本理論フレームワークの確立
  2. AM ヘテロ構造研究: AM と常金属、強磁性体、超伝導体の界面に関する研究
  3. 磁気トンネル接合: 従来の FM/I/FM 構造と新興の AM ベース MTJ 研究

本論文の独自の貢献

  • AM-AM接合の輸送特性を初めて系統的に研究
  • 強弱両相の根本的差異を解明
  • AM構造におけるファブリ・ペロー効果の完全な分析を提供

結論と考察

主要な結論

  1. 相依存の輸送機構: 強相は完全なスピンフィルタ効果を示し、弱相は両スピンチャネル伝送を許容する
  2. 角度調整可能な伝導率: ネール矢量夾角を調整することで、最大伝送から完全遮断への連続調整が実現できる
  3. 量子干渉効果: 常金属層導入によるファブリ・ペロー振動は量子干渉素子の新しい設計思想を提供する

限界

  1. モデルの簡略化: 連続体近似を採用し、格子詳細と無秩序効果を無視している
  2. 温度効果: 有限温度での熱励起と位相緩和効果を考慮していない
  3. 実際の材料パラメータ: 理論パラメータと実際のAM材料の対応関係をさらに確立する必要がある

今後の方向性

  1. スピン軌道結合と無秩序散乱の影響を考慮する
  2. 有限温度および周波数依存の輸送特性を研究する
  3. 3次元AM構造とより複雑なヘテロ構造を探索する

深層的評価

利点

  1. 理論フレームワークの完全性: タイトバインディングモデルから出発し、連続体近似を通じてAM接合処理の系統的方法を得た
  2. 物理像の明確性: フェルミ面分析を通じて異なる相における輸送機構の差異を明確に説明した
  3. 計算の詳細性: 境界条件導出と散乱係数計算プロセスを詳細に示した
  4. 結果の指導的意義: AM基スピントロニクス素子設計に明確な理論的指導を提供した

不足点

  1. 実験検証の欠如: 純理論研究として、実験結果との比較検証が不足している
  2. 材料パラメータの不明確性: 理論パラメータ tJ、t と実際の材料の関係が十分に明確でない
  3. 3次元効果の無視: 2次元モデルは実際の3次元材料の挙動を完全に捉えられない可能性がある

影響力

  1. 学術的価値: AM輸送理論に重要な補足を提供し、特にAM-AM接合の初めての系統的研究である
  2. 応用前景: スピンフィルタ、スピンバルブおよび量子干渉素子に新しい設計思想を提供した
  3. 再現性: 理論導出が完全で、数値計算方法が明確であり、他の研究者による再現と拡張が容易である

適用シーン

  1. スピントロニクス素子設計: 特に調整可能なスピンフィルタ効果が必要なアプリケーションに適用
  2. 量子計算: AM接合の干渉輸送特性は量子情報処理での応用の可能性がある
  3. 基礎物理研究: 新型磁性材料の輸送特性理解に理論的基礎を提供する

参考文献

主要な参考文献には以下が含まれる：

  1. Šmejkalら による AM 基本理論に関する一連の研究 (Phys. Rev. X 2022)
  2. Das および Soori による AM ヘテロ構造に関する先行研究 (J. Phys.: Condens. Matter 2023)
  3. 磁気トンネル接合の古典理論研究 (Julliere、Miyazaki ら)
  4. AM 材料の実験研究 (MnTe、RuO2 など)

本論文は、交代磁体という新興研究分野に重要な理論的貢献を提供しており、特に異なるAM相における輸送機構の差異の理解において重要である。純理論研究としていくつかの限界が存在するが、その完全な理論フレームワークと明確な物理像は、後続の実験研究と素子応用に重要な指導を提供する。