2025-11-21T07:28:22.047250

Thermoelectric transport properties of electron doped pyrite FeS2

Mukherjee, Subedi
Pyrite FeS$_2$ has been investigated for a wide range of applications, including thermoelectrics due to previous observation of large thermopower at room-temperature. However, the values of thermopower reported in the literature is extremely sensitive to the nature of sample -- whether they are natural or lab grown, bulk crystals or thin films -- and an ambiguity in the magnitude and sign of thermopower of pure FeS$_2$ exists. Variation in the magnitude of room-temperature thermopower has also been observed in Co-doped samples. Therefore, it is of interest to clarify the intrinsic thermopower of this system that could be measured in more pure samples. In this paper, we investigate the thermoelectric properties of Co-doped FeS$_2$ using first principles calculations. We apply three different doping schemes to understand the effect of electron doping in FeS$_2$, namely explicit Co-substitution, jellium doping and electron addition within rigid band approximation (RBA) picture. The calculated thermopower is less than $-50$ $μ$V/K for all values of Co doping that we studied, suggesting that this system may not be useful in thermoelectric applications. Interestingly, we find that RBA substantially overestimates the magnitude of calculated thermopower compared to the explicit Co-substitution and jellium doping schemes. The overestimation occurs because the changes in the electronic structure due to doping-induced structural modification and charge screening is not taken into account by the rigid shift of the Fermi level within RBA. RBA is frequently used in first principles investigations of the thermopower of doped semiconductors, and Co-substituted FeS$_2$ illustrates a case where it fails.
academic

전자 도핑된 황철석 FeS₂의 열전 수송 특성

기본 정보

  • 논문 ID: 2311.06135
  • 제목: Thermoelectric transport properties of electron doped pyrite FeS2
  • 저자: Anustup Mukherjee, Alaska Subedi (CPHT, CNRS, École Polytechnique, Institut Polytechnique de Paris)
  • 분류: cond-mat.mtrl-sci
  • 발표 시간: 2023년 11월 13일
  • 논문 링크: https://arxiv.org/abs/2311.06135

초록

황철석 FeS₂는 실온에서 관찰되는 큰 열전 전력으로 인해 열전 응용 등에 광범위하게 연구되고 있다. 그러나 문헌에 보고된 열전 전력값은 시료 특성(천연 또는 실험실 제조, 벌크 결정 또는 박막)에 극도로 민감하며, 순수 FeS₂의 열전 전력의 크기와 부호에 모호함이 존재한다. Co 도핑 시료의 실온 열전 전력도 변동성을 보인다. 본 논문은 제1원리 계산을 사용하여 Co 도핑 FeS₂의 열전 특성을 연구하며, 세 가지 다른 도핑 방식을 채택한다: 명시적 Co 치환, jellium 도핑 및 강성 에너지띠 근사(RBA). 모든 Co 도핑 농도에서의 계산된 열전 전력은 -50 μV/K 미만으로, 이 체계가 열전 응용에서 실용적이지 않을 수 있음을 시사한다. 흥미롭게도, RBA는 도핑으로 인한 구조 수정과 전하 차폐가 전자 구조에 미치는 영향을 고려하지 않기 때문에 열전 전력을 현저히 과대평가한다.

연구 배경 및 동기

문제 정의

  1. 실험 데이터의 불일치: FeS₂의 열전 전력 측정값이 -115에서 524 μV/K까지 거대한 차이를 보이며, 부호도 일관성이 없음
  2. 시료 의존성: 열전 특성이 시료 유형(천연 vs 인공, 벌크 vs 박막)에 강하게 의존함
  3. 이론 방법의 정확성: 기존 이론 연구는 주로 강성 에너지띠 근사(RBA)를 채택하지만 그 정확성이 의문스러움

연구의 중요성

  • FeS₂는 지구상에 풍부하고 무독성인 원소로 구성되어 있으며, 광전지, 배터리 음극 및 열전 등 에너지 응용에서 잠재력을 가짐
  • 본질적인 열전 특성을 명확히 하는 것이 실제 응용 가치 평가에 필수적임
  • 도핑된 반도체의 열전 특성 이론 연구에 방법론적 지침을 제공함

기존 방법의 한계

  • 강성 에너지띠 근사(RBA)는 페르미 에너지의 강성 이동을 통해서만 도핑 효과를 모의함
  • 도핑으로 인한 구조 변화와 전하 차폐 효과를 무시함
  • 서로 다른 도핑 방식에 대한 체계적 비교 부족

핵심 기여

  1. 세 가지 도핑 방식의 체계적 비교: 명시적 Co 치환, jellium 도핑 및 RBA 세 가지 방법의 FeS₂ 열전 특성 계산 차이를 처음으로 비교
  2. RBA의 한계 규명: RBA가 열전 전력을 현저히 과대평가하며, 전자 구조 관점에서 그 원인을 설명함
  3. Co 도핑 FeS₂의 열전 성능 명확화: 모든 도핑 농도에서 열전 전력이 50 μV/K 미만임을 증명하여 이 체계가 열전 응용에 부적합함을 보임
  4. 방법론적 지침 제공: 도핑된 반도체 열전 특성의 이론 연구에 중요한 방법론적 통찰력 제공

방법 상세 설명

계산 방법

밀도 범함수 이론(DFT) 프레임워크를 채택하고 Vienna Ab initio Simulation Package (VASP)를 사용하여 계산 수행:

  • 교환-상관 범함수: 국소 밀도 근사(LDA)
  • 유사 포텐셜 방법: 투영 증강파(PAW) 방법
  • 에너지 절단: ≥420 eV
  • k점 격자: 자체 일관성 순환 8×8×8, 상태 밀도 계산 24×24×24

세 가지 도핑 방식

1. 강성 에너지띠 근사(RBA)

FeS₂ 전자 구조에서 페르미 에너지를 이동시켜 추가 전자를 모의하며, 등가 Co 도핑값에 대응함.

2. Jellium 도핑

FeS₂ 단위 셀에 배경 전하로서 전자를 명시적으로 추가하여 전자 구조 계산 수행.

3. 명시적 Co 치환

Fe 원자를 단계적으로 Co 원자로 치환하여 실제 화학 치환 효과를 고려함.

수송 특성 계산

BoltzTraP2 코드를 사용하여 일정 완화 시간 근사(CRTA) 하에서 선형화된 볼츠만 수송 방정식 풀이:

제벡 계수: S(μ,T)=ναjσαiS(\mu, T) = \frac{\nu_{\alpha j}}{\sigma_{\alpha i}}

홀 계수: RH(μ,T)=ναβkσαjσiβR_H(\mu, T) = \frac{\nu_{\alpha \beta k}}{\sigma_{\alpha j}\sigma_{i\beta}}

여기서 수송 텐서는 다음과 같이 정의됨: σαβ(μ,T)=1Ω∫σαβ(ϵ)[−∂ϵfμ(ϵ)]dϵ\sigma_{\alpha\beta}(\mu, T) = \frac{1}{\Omega}\int \sigma_{\alpha\beta}(\epsilon)[-\partial_\epsilon f_\mu(\epsilon)]d\epsilon

실험 설정

구조 모델

  • 결정 구조: 황철석 FeS₂, 공간군 Pa3
  • 단위 셀 조성: 4개의 Fe 원자(4a 위치), 8개의 S 원자(8c 위치)
  • 도핑 농도: 1%, 5%, 10%, 15%, 25%, 50%의 Co 도핑을 연구함

자성 고려

실험에서 FexCo1-xS₂가 x≥0.1일 때 강자성을 나타내므로 비자성 및 강자성 상을 동시에 고려함.

구조 최적화

  • 혼합 화합물의 격자 상수는 Vegard 법칙을 따름
  • 원자 위치를 완화하여 원자 힘 최소화
  • FeS₂의 내부 매개변수 u=0.3821

실험 결과

주요 결과

Fe₀.₇₅Co₀.₂₅S₂의 열전 전력(실온)

도핑 방식비자성 상 (μV/K)강자성 상 (μV/K)
RBA-46.71-46.71
Jellium-14.68-14.69
Co 치환-19.67-20.49

Fe₀.₅Co₀.₅S₂의 열전 전력(실온)

도핑 방식비자성 상 (μV/K)강자성 상 (μV/K)
RBA-39.60-39.60
Jellium-17.52-17.52
Co 치환-25.58-25.58

주요 발견

  1. RBA의 체계적 과대평가: 모든 도핑 농도에서 RBA는 열전 전력의 절댓값을 현저히 과대평가함
  2. 온도 의존성의 일관성: 세 가지 방법 모두 열전 전력이 온도 증가에 따라 증가함을 보임
  3. 캐리어 유형: 모든 경우에 제벡 계수가 음수값을 나타내어 전자가 주요 캐리어임을 시사함
  4. 제한된 열전 성능: 모든 도핑 농도에서 실온 열전 전력이 50 μV/K 미만임

전자 구조 분석

RBA 과대평가의 원인

상태 밀도(DOS)와 에너지띠 구조 분석을 통해 발견:

  • RBA에서: 페르미 에너지가 상태 밀도의 가파른 영역에 위치
  • Jellium 도핑에서: 페르미 에너지가 더 넓은 어깨 영역으로 이동
  • Co 치환에서: 페르미 에너지가 상대적으로 완만한 영역에 위치

제벡 계수 S ∝ d ln N(EF)/dE이므로, 페르미 에너지 근처의 더 가파른 상태 밀도는 RBA에서 더 큰 S값을 야기함.

서로 다른 도핑 농도의 결과

조성RBA (μV/K)Jellium (μV/K)
Fe₀.₉₉Co₀.₀₁S₂-32.45-28.52
Fe₀.₉₅Co₀.₀₅S₂-10.47-10.24
Fe₀.₉Co₀.₁S₂-17.11-10.13
Fe₀.₈₅Co₀.₁₅S₂-25.41-11.75

관련 연구

실험 연구 현황

  • 역사적 데이터: 20세기 상반기에 보고된 제벡 계수 범위는 -115에서 524 μV/K
  • 현대 연구:
    • Kato 등: 천연 n형 시료 S = -300 μV/K
    • Willeke 등: 고 이동도 단결정 S는 -320 μV/K에 도달
    • 박막 연구: 일반적으로 양의 S값(60-75 μV/K) 보고

이론 연구

  • 초기 계산: Gudelli 등과 Harran 등은 RBA를 사용하여 최적화된 S가 -400 μV/K를 초과할 것으로 예측
  • 본 연구의 기여: 서로 다른 도핑 방식을 처음으로 체계적으로 비교하고 RBA의 한계 규명

결론 및 논의

주요 결론

  1. 제한된 열전 성능: Co 도핑 FeS₂는 연구된 모든 도핑 농도에서 실온 열전 전력이 50 μV/K 미만으로, 우수한 열전 재료의 기준(>200 μV/K)보다 훨씬 낮음
  2. RBA 방법의 한계: 강성 에너지띠 근사는 다음을 무시하기 때문에 열전 전력을 현저히 과대평가함:
    • 도핑으로 인한 구조 수정
    • 전하 차폐 효과
    • 에너지띠 전개 및 상대적 분열의 변화
  3. 방법론적 의의: Co 치환 FeS₂는 RBA 실패의 전형적인 예로, 도핑된 반도체 열전 특성 연구에 중요한 경고를 제공함

한계

  1. 계산 방법 제한: LDA 사용은 밴드갭을 과소평가할 수 있으며, 열전 특성의 정확성에 영향을 미칠 수 있음
  2. 도핑 농도 범위: 명시적 Co 치환 방식은 단위 셀 크기로 인해 제한되어 매우 낮은 도핑 농도를 연구할 수 없음
  3. 완화 시간 근사: 일정 완화 시간 근사 채택은 수송 특성의 정확성에 영향을 미칠 수 있음

향후 방향

  1. 계산 방법 개선: 더 정확한 교환-상관 범함수(예: HSE06) 사용
  2. 연구 체계 확장: 다른 과도 금속 도핑의 효과 연구
  3. 실험 검증: 고품질 시료 제조를 통한 이론 예측 검증

심층 평가

장점

  1. 방법론적 혁신: 세 가지 도핑 방식을 처음으로 체계적으로 비교하여 해당 분야에 중요한 방법론적 기준 제공
  2. 깊은 물리적 통찰: 전자 구조 관점에서 RBA 과대평가의 물리적 메커니즘을 깊이 있게 설명
  3. 계산의 엄밀성: 자성 효과를 고려하고 적절한 계산 매개변수 및 수렴 기준 사용
  4. 명확한 실용 가치: Co 도핑 FeS₂가 열전 응용에 부적합함을 명확히 하여 무효한 실험 투자 방지

부족한 점

  1. 이론 방법의 한계: LDA는 특히 상관 전자 체계에 대해 충분히 정확하지 않을 수 있음
  2. 온도 범위 제한: 주로 실온 특성에 초점을 맞추고 고온에서의 체계적 연구 부족
  3. 단일 도핑 메커니즘: 전자 도핑만 연구하고 정공 도핑의 가능성 미고려

영향력

  1. 학술적 기여: 도핑된 반도체 열전 특성의 이론 연구에 중요한 방법론적 지침 제공
  2. 실용적 가치: 연구자들이 유망하지 않은 체계에 자원을 낭비하지 않도록 도움
  3. 높은 재현성: 계산 세부사항이 충분히 기술되어 재현 및 확장이 용이함

적용 시나리오

  1. 이론 연구: 다른 도핑된 반도체 열전 특성 연구에 방법론적 참고 제공
  2. 재료 선별: 열전 재료의 고처리량 선별에서 부적절한 후보 재료 제외
  3. 실험 지침: 실험 연구자들이 적절한 도핑 전략 선택에 이론적 근거 제공

참고 문헌

본 논문은 38편의 중요 문헌을 인용하며, FeS₂의 기본 특성, 실험 연구, 이론 계산 방법 등 다양한 측면을 포괄하여 연구에 견고한 문헌 기초를 제공한다. 특히 Xi 등의 최신 실험 연구 인용이 주목할 만하며, 이 연구는 FeS₂의 캐리어 유형에 관한 이전의 논쟁을 해결한 것으로 보인다.

종합 평가: 이는 높은 품질의 이론 연구 논문으로, Co 도핑 FeS₂의 열전 특성을 명확히 할 뿐만 아니라 광범위하게 사용되는 RBA 방법의 한계를 규명하여 해당 분야의 이론 연구에 중요한 방법론적 기여를 한다. 연구 결과는 열전 재료의 이론적 선별 및 실험 연구 지침에 중요한 가치를 가진다.