Coulomb drag by motion of a monolayer polar crystal through graphene nanoconstriction
Chudnovskiy
We theoretically predict that the motion of a polar crystalline layer between two graphene planes exerts Coulomb drag on electrons in graphene, inducing a DC drag current. The physical mechanism underlying this drag arises from intervalley scattering of charge carriers in graphene caused by the time-dependent potential of the moving crystalline layer. This drag effect manifests above a finite threshold doping of the graphene layers, which is determined by the lattice structure and the relative orientation of the crystalline layer with respect to the graphene lattice. Additionally, the drag current exhibits a nonlinear Hall effect due to the interplay between the induced nonequilibrium pseudospin and the intrinsic pseudospin-orbit coupling in graphene. In turn, the drag exerted on electrons in graphene produces a backaction on the crystalline layer, which can be described as an increase in its dynamic viscosity.
본 논문은 그래핀 나노협착 구조에서 극성 결정층의 운동이 그래핀 내 전자에 쿨롱 드래그 효과를 유발하여 직류 드래그 전류를 생성한다는 것을 이론적으로 예측한다. 이러한 드래그 효과의 물리적 메커니즘은 운동하는 결정층의 시간 변화 전위로 인한 그래핀 캐리어의 밸리 간 산란에서 비롯된다. 드래그 효과는 그래핀층의 도핑 수준이 유한한 임계값을 초과할 때 나타나며, 임계값은 격자 구조와 결정층의 그래핀 격자에 대한 방향에 의해 결정된다. 또한 유도된 비평형 의사스핀과 그래핀 고유의 의사스핀-궤도 결합의 상호작용으로 인해 드래그 전류는 비선형 홀 효과를 나타낸다. 역으로, 그래핀의 전자가 받는 드래그는 결정층에 반작용을 미치며, 이는 그 동역학적 점도의 증가로 설명될 수 있다.