2025-11-24T12:37:17.367994

Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure

Yu, Lee, Watanabe et al.

Atomic defects in solids offer a versatile basis to study and realize quantum phenomena and information science in various integrated systems. All-electrical pumping of single defects to create quantum light emission has been realized in several platforms including color centers in diamond and silicon carbide, which could lead to the circuit network of electrically triggered single-photon sources. However, a wide conduction channel which reduces the carrier injection per defect site has been a major obstacle. Here, we realize a device concept to construct electrically pumped single-photon emission using a van der Waals stacked structure with atomic plane precision. Defect-induced tunneling currents across graphene and NbSe2 electrodes sandwiching an atomically thin h-BN layer allow robust and persistent generation of non-classical light from h-BN. The collected emission photon energies range between 1.4 and 2.9 eV, revealing the electrical excitation of a variety of atomic defects. By analyzing the dipole axis of observed emitters, we further confirm that emitters are crystallographic defect structures of h-BN crystal. Our work facilitates implementing efficient and miniaturized single-photon devices in van der Waals platforms toward applications in quantum optoelectronics.

academic

반데르발스 이종구조에서 전기 펌핑된 h-BN 단일광자 방출

기본 정보

논문 ID: 2407.14070
제목: Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure
저자: Mihyang Yu, Jeonghan Lee, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Jieun Lee
분류: quant-ph cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
발표 시간: 2024년 7월
논문 링크: https://arxiv.org/abs/2407.14070

초록

본 논문은 반데르발스 이종구조에서 육방정 질화붕소(h-BN) 결함의 전기 펌핑 단일광자 방출 실현을 보고한다. 그래핀과 NbSe2 전극으로 원자 박막 h-BN 층을 고정한 소자 구조를 구축하여 결함 유도 터널링 전류로 구동되는 비고전적 광 방출을 달성했다. 방출 광자 에너지 범위는 1.4-2.9 eV이며, 다양한 원자 결함의 전기 여기를 드러낸다. 방출기의 쌍극자축 방향 분석을 통해 방출기가 h-BN 결정의 결정학적 결함 구조임을 확인했다.

연구 배경 및 동기

해결해야 할 문제:
- 기존의 단일광자 광원은 주로 광학 펌핑에 의존하며, 이는 집적 양자 소자에서 제한이 있음
- 전기 펌핑 단일광자 광원은 더 나은 소자 집적과 제어를 가능하게 하지만, 2차원 물질에서는 아직 실현되지 않음
- 넓은 도전 채널은 각 결함 위치의 캐리어 주입 효율을 감소시킴
문제의 중요성:
- 단일광자 광원은 양자 통신, 양자 컴퓨팅 및 양자 센싱의 핵심 소자
- 전기 구동 단일광자 광원은 더 나은 확장성과 집적도를 실현 가능
- h-BN은 2차원 물질로서 독특한 양자 광학 특성을 가짐
기존 방법의 한계:
- 다이아몬드와 탄화규소의 색심은 전기 펌핑이 가능하지만, 물질 두께가 소자 소형화를 제한
- 광학 펌핑은 레이저 광원이 필요하여 시스템 복잡성을 증가시키고 배경 신호를 생성
- 특정 결함 위치에 대한 정밀한 제어 부족
연구 동기:
- 반데르발스 이종구조의 원자급 정밀도를 활용하여 전기 펌핑 단일광자 소자 구축
- h-BN 결함의 직접 전기 여기 실현
- 양자 광전자학 응용을 위한 소형화, 집적화된 솔루션 제공

핵심 기여

h-BN에서 결함의 전기 펌핑 단일광자 방출을 처음으로 실현하여 기존 광학 펌핑의 한계 극복
새로운 반데르발스 이종구조 소자 설계, 그래핀/h-BN/NbSe2의 비대칭 전극 구성 채택
결함 유도 터널링 전류와 광자 방출의 직접적 연관성 증명, 방출 강도와 전류의 선형 관계
넓은 에너지 범위(1.4-2.9 eV)의 단일광자 방출 관찰, 다양한 결함 유형의 전기 여기 드러냄
편광 분석을 통해 방출기의 결정학적 구조 확인 및 세 가지 다른 결함 그룹으로 분류
양자 광전자학 소자의 소형화 및 집적화를 위한 새로운 기술 경로 제공

방법 상세 설명

작업 정의

본 연구의 작업은 반데르발스 이종구조에서 h-BN 결함의 전기 펌핑 단일광자 방출을 실현하는 것이다. 입력은 소자 양단에 인가된 전압이고, 출력은 단일광자 방출이며, 제약 조건은 안정적인 양자 방출을 얻기 위해 저온(6.5K)에서 작동해야 함을 포함한다.

소자 구조

전체 설계:
- NbSe2(상부 전극)/h-BN/그래핀(하부 전극)의 3층 구조 채택
- h-BN 층은 광학 활성층(5nm)과 절연층(2nm)으로 구성
- 전극 가장자리 정렬로 터널링 전류 경로 제한
재료 선택 원리:
- NbSe2: 정공형 반데르발스 금속, 일함수 5.9 eV
- 그래핀: 전자형 전극, 일함수 4.5 eV
- h-BN: 광대역 갭 2차원 물질, 광학 활성 결함 포함
작동 메커니즘:
- 일함수 차이가 내부 전기장 생성
- 인가 전압이 결함을 통한 캐리어 터널링 구동
- 전자-정공 재결합이 단일광자 방출 생성

기술 혁신점

비대칭 전극 설계:
- NbSe2와 그래핀의 일함수 차이를 활용하여 효율적인 캐리어 주입 실현
- 정방향 편향에서 NbSe2는 정공, 그래핀은 전자 제공
결함 공학:
- O2 분위기 고온 어닐링을 통해 광학 활성 결함 생성
- 결함 밀도와 유형을 어닐링 조건으로 제어 가능
전류 제한 전략:
- 전극 가장자리 정렬로 도전에 참여하는 결함 수 감소
- 단일 결함의 캐리어 주입 효율 향상

실험 설정

소자 제작

재료 준비: 고순도 h-BN 결정을 O2 분위기 고온 어닐링 처리
소자 제작: 건식 전이 기술을 사용하여 반데르발스 이종구조를 층별로 적층
전극 제작: 전자빔 리소그래피 및 금속 증발로 Au 접촉 전극 제작

측정 시스템

광학 시스템: 자체 제작 공초점 현미경 시스템, 개구수 0.65의 대물렌즈
분광계: CCD 검출기, 공간 이미징 및 분광 측정 가능
상관 측정: Hanbury Brown-Twiss 간섭계로 2차 상관 함수 측정
환경 제어: 저온 항온기, 작동 온도 6.5K

평가 지표

단일광자 특성: 2차 상관 함수 g²(0) < 0.5
방출 안정성: 시간 안정성 및 광학 안정성
전광 변환: 방출 강도와 전류의 선형 관계
광학 특성: 영점 음선 위치, 선폭, 포논 사이드밴드

실험 결과

주요 결과

단일광자 방출 확인:
- 방출기 E1의 g²(0) = 0.25 ± 0.21로 단일광자 특성 명확히 증명
- 상관 함수 폭 18.2 ± 7.2 ns, 전기 여기의 독특한 전이 과정 반영
전광 상관:
- 방출 강도와 터널링 전류의 선형 관계(기울기 ≈ 1.31)
- 임계 전압 약 26V, 전류 약 6nA일 때 광자 계수율 ~700 cps
광학 특성:
- 1.5, 2.8, 2.9 eV에서 영점 음선 관찰
- 2.8 eV 방출기는 160 meV의 포논 사이드밴드를 가지며, h-BN 종방향 광학 포논과 일치
- 전압 증가에 따라 Stark 주파수 이동 및 스펙트럼선 확대 나타남

결함 분류 분석

관찰된 방출기를 방출 에너지와 편광 특성에 따라 세 가지로 분류:

제1군 (1.4-1.7 eV):
- 날카로운 영점 음선, 약한 포논 사이드밴드
- 편광축 무작위 분포
- 산소 관련 결함에 해당할 가능성
제2군 (1.9-2.4 eV):
- 광학 형태 및 편광 분포 변화가 큼
- 중간 에너지 범위의 혼합 결함 유형
제3군 (2.4-3.0 eV):
- 명확한 160 meV 포논 사이드밴드
- 편광축이 주로 60° 간격의 결정학적 방향을 따름
- 탄소 관련 결함에 해당할 가능성