We report on the fabrication of a Hybrid SAW/BAW resonator made of a thin layer of Sc-doped AlN (AlScN) with a Sc concentration of 40 at% on a 4H-SiC substrate. A Sezawa mode, excited by a vertical electric field, exploits the d31 piezoelectric coefficient to propagate a longitudinal acoustic wave in the AlScN. The resonant frequency is determined via the pitch in the interdigitated transducer (IDT) defined by Deep Ultraviolet (DUV) lithography. The resonant mode travels in the piezoelectric layer without leaking in the substrate thanks to the mismatch in acoustic phase velocities between the piezoelectric and substrate materials. We show the impact of the piezoelectric and IDT layers' thickness on the two found modes. Importantly, we show how thin piezoelectric and electrode layers effectively suppress the Rayleigh mode. While some challenges in the deposition of AlScN remain towards a large coupling coefficient k_eff^2, We show how wave confinement in the IDT obtains a good quality factor. We also show how modifying the IDT reflectivity allows us to engineer a stopband to prevent unwanted modes from being excited between resonance and antiresonance frequencies. Finally, we validate the simulation with fabricated and measured devices and present possible improvements to this resonator architecture.
academic- 논문 ID: 2407.20286
- 제목: Al0.6Sc0.4N-on-SiC 공진기에서의 레일리 파 억제
- 저자: Marco Liffredo, Silvan Stettler, Federico Peretti, Luis Guillermo Villanueva
- 분류: cond-mat.mtrl-sci (응축물질물리학-재료과학)
- 발표 시간/학회: 2024년 7월 (arXiv 사전인쇄본)
- 논문 링크: https://arxiv.org/abs/2407.20286
본 논문은 40 at% 농도의 Sc 도핑된 질화알루미늄(AlScN) 박막이 4H-SiC 기판 위에 구성된 하이브리드 SAW/BAW 공진기의 제조를 보고한다. Sezawa 모드는 수직 전기장으로 여기되며, AlScN의 d31 압전 계수를 이용하여 종파를 전파한다. 공진 주파수는 심자외선(DUV) 포토리소그래피로 정의된 지간 변환기(IDT)의 간격에 의해 결정된다. 압전 재료와 기판 재료 간의 음향 위상 속도 불일치로 인해, 공진 모드는 압전층에서 전파되며 기판으로 누설되지 않는다. 본 연구는 압전층과 IDT층 두께가 두 가지 발견된 모드에 미치는 영향을 보여주며, 특히 얇은 압전층과 전극층이 어떻게 레일리 모드를 효과적으로 억제하는지를 입증한다.
- 5G 및 미래 통신 수요: 5G 출시 및 미래 세대 통신 기술 발전에 따라 더 큰 전력 밀도가 필요하며, 이는 음향 필터 설계 공간에서 전력 처리 및 열 방산 요구사항을 증가시킨다.
- 기존 기술의 한계:
- 현수 공진기는 고전력에서 열 드리프트 및 비선형성으로 인해 제한될 수 있으며, 생성된 열은 얇은 앵커 포인트를 통해서만 방산된다
- 표준 표면 음향파(SAW) 공진기의 작동 주파수는 기판으로의 에너지 누설에 의해 제한된다
- 체적 음향파(BAW) 공진기는 복잡한 음향 브래그 반사기층이 필요하다
- 연구 동기:
- 효과적인 열 방산이 가능한 비현수 장치 개발
- 에너지 누설을 피하면서 고주파 작동 구현
- AlScN 재료의 우수한 압전 성능 활용
저자들은 2013년 제안된 "제3종 FBAR" 개념의 발전인 하이브리드 SAW/BAW 공진기 구조를 선택했으며, 이는 SAW 및 BAW 공진기의 장점을 결합한다.
- AlScN-on-SiC 하이브리드 공진기의 성공적 제조: 40% Sc 도핑된 AlN 박막을 4H-SiC 기판 위에 고품질로 성장시킴
- 레일리 모드의 효과적 억제 달성: 압전층과 전극 두께를 최적화하여 불필요한 레일리 모드를 성공적으로 억제
- Sezawa 모드의 파동 구속 검증: 적절한 기하학적 매개변수 하에서 Sezawa 모드가 압전층에서 잘 구속될 수 있음을 입증
- 설계 기준 수립: 층 두께가 모드 거동에 미치는 영향에 대한 체계적 분석 제공
- 정지대역 엔지니어링 구현: IDT 반사율 조정을 통해 정지대역을 엔지니어링하여 불필요한 모드 여기 방지
- 압전 재료: Al0.6Sc0.4N, 선택 이유:
- 표준 AlN 대비 더 큰 기계전기 결합 계수
- 낮은 음향 속도(~9000 m/s)로 에너지 구속에 유리
- 기판 재료: 4H-SiC, 선택 이유:
- 가장 느린 체적 전단파 속도(~7000 m/s)가 AlScN의 종파 속도보다 빠름
- 4인치 웨이퍼 용이하게 입수 가능
장치에 존재하는 두 가지 주요 모드:
- 레일리 모드: 저주파 모드, 주로 기판-압전층 계면에서 전파
- Sezawa 모드: 고주파 모드, 압전층에서 전파, 원하는 작동 모드
다음 매개변수를 감소시켜 레일리 모드를 억제할 수 있다:
- 하부 전극: Ti 접착층 + Pt 전극, IDT 개구부 아래에만 부유 전극 형성
- 상부 전극: Al 전극, IDT 구조 형성
- 전기장 방향: 순수 수직 전기장 여기, d31 압전 계수 활용
- 목표 간격: 500 nm (파장 1 μm)
- 압전층 두께: 250 nm 및 150 nm 두 가지 설계
- 전극 두께: 250 nm 장치용 100 nm, 150 nm 장치용 75 nm
- 하부 전극 제조: Ti 접착층 및 Pt 하부 전극 스퍼터링
- 패턴화: 포토리소그래피 및 식각으로 하부 전극 패턴 정의
- 압전층 증착: 300°C에서 AlScN 증착, 100°C에서 Al 상부 전극 증착
- 상부 전극 패턴화: Cl2 ICP RIE 식각, CF4/O2 혼합 가스로 포토레지스트 제거
- 250 nm AlScN 박막: X선 회절 로킹 곡선 FWHM 1.2°
- 150 nm AlScN 박막: X선 회절 로킹 곡선 FWHM 1.6°
- Si 위의 동일 공정과 비교하여 SiC 기판은 AlScN 성장 수직도가 더 우수함을 보여줌
시뮬레이션 결과는 설계 개념을 확인했다:
- 얇은 압전층과 전극층이 실제로 레일리 모드를 억제할 수 있음
- Sezawa 모드는 적절한 두께에서 양호한 결합 유지
- 정지대역 위치 및 폭은 전극 두께로 조절 가능
- GSG 프로브 및 RS-ZNB20 벡터 네트워크 분석기 사용
- 표준 SOLT 보정 절차
- 레일리 모드 억제: 실험으로 얇은 압전층 장치에서 레일리 모드의 소멸 확인
- 품질 계수: 6.3 GHz 주파수에서 390의 부하 Q값 달성
- 결합 계수: 측정된 keff²는 시뮬레이션 값보다 낮으며, 초박형 AlScN층의 제조 문제로 인한 것으로 추정
- 파동 구속: 142개 지간 전극의 IDT, 양측 각 5개 가상 전극만 사용, 파동 구속은 주로 IDT 격자 자체에서 비롯됨
- 기생 모드: 관찰된 기생 모드는 횡방향 파수에서 비롯되며, 가중 전극, 변위 또는 경사진 버스바로 억제 가능
- 구조 단순화: 원래 하이브리드 SAW/BAW 구조와 비교하여 압전 기둥 정의 불필요, IDT를 AlScN층 위에 직접 배치로 단순화
- 부유 하부 전극: 순수 수직 전기장 형성 촉진
- 두께 최적화 전략: 층 두께가 모드 거동에 미치는 영향을 체계적으로 연구
- 고 Sc 함량 AlScN: 40% Sc 도핑 농도, SiC 기판 위에서 고품질 성장 달성
- 재료 매칭: AlScN/SiC 재료 조합으로 이상적인 음향 속도 매칭 조건 구현
- 제조 공정 단순화: 현수 구조와 비교하여 방출 단계 불필요
- DUV 포토리소그래피: 500 nm 간격의 미세 패턴화 구현
- 개념 검증 성공: AlScN-on-SiC 하이브리드 공진기의 타당성 성공적 입증
- 이론과 실험의 일치: 시뮬레이션 예측과 실험 결과가 모드 억제 측면에서 높은 일치도
- 제조 공정 단순화: 기존 FBAR 장치와 비교하여 공정 흐름이 더 간단
- 우수한 재료 품질: SiC 기판 위에서 고품질 AlScN 박막 성장 달성
- 체계적 분석: 층 두께가 모드 거동에 미치는 영향에 대한 포괄적 분석 제공
- 설계 지침: 하이브리드 공진기 설계의 중요한 기준 수립
- 재료 조합 혁신: AlScN/SiC 재료 조합의 공진기 응용에 대한 첫 체계적 연구
- 낮은 결합 계수: 측정된 keff²가 시뮬레이션 값보다 현저히 낮아 장치 성능에 영향
- 박막 품질 과제: 초박형 AlScN층의 증착 품질 개선 필요
- 주파수 제한: 체적 방사를 피하기 위해 모드 분산에 주의 필요
- 제한된 장치 수: 두 가지 두께 구성의 결과만 제시
- 장기 안정성: 장치 장기 안정성 및 신뢰성 데이터 미제공
- 전력 처리 능력: 전력 처리 장점이 언급되었으나 구체적 시험 데이터 미제공
- 분야 진전: 하이브리드 SAW/BAW 공진기 분야에 중요한 실험적 검증 제공
- 재료 응용: AlScN 재료의 고주파 공진기 응용 확대
- 설계 방법론: 이러한 유형 장치의 설계 방법론 기초 수립
- 5G 응용 잠재력: 5G 및 미래 통신 시스템을 위한 새로운 공진기 솔루션 제공
- 제조 타당성: 단순화된 공정 흐름은 상용화 생산에 유리
- 성능 균형: 주파수, 품질 계수 및 제조 복잡도 간의 양호한 균형 달성
- 고주파 통신 시스템: GHz 대역 공진기가 필요한 RF 프론트엔드에 적용
- 전력 처리 응용: 우수한 열 방산 성능이 필요한 고전력 응용에 적합
- 집적 회로: 기존 반도체 공정과 호환 가능한 공진기 솔루션
- AlScN-on-SiC 하이브리드 공진기에서 레일리 모드 억제의 성공적 입증
- 층 두께 최적화를 통한 모드 엔지니어링의 타당성 검증
- 이러한 유형 장치의 설계 및 제조 방법론 수립
- 재료 최적화: 초박형 AlScN층의 증착 품질 개선으로 결합 계수 향상
- 장치 최적화: 성능 추가 향상을 위한 다양한 IDT 설계 탐색
- 응용 확대: 기술을 더 높은 주파수 및 더 큰 전력 응용으로 확장
- 신뢰성 연구: 장기 안정성 및 신뢰성 평가 수행
본 연구는 하이브리드 SAW/BAW 공진기 기술 발전에 중요한 기여를 하였으며, 특히 재료 선택, 장치 설계 및 제조 공정 측면에서 귀중한 통찰력을 제공하여 향후 고성능 RF 장치 개발의 기초를 마련했다.