2025-11-20T19:10:15.875436

Atomic layer etching of SiO$_2$ using sequential SF$_6$ gas and Ar plasma

Peng, Venugopal, Blick et al.

In the relentless pursuit of advancing semiconductor technologies, the demand for atomic layer processes has given rise to innovative processes, which have already played a significant role in the continued miniaturization features. Among these, atomic layer etching (ALE) is gaining increasing attention, offering precise control over material removal at the atomic level. Despite some thermal ALE achieved sub-nm etching controllability, the currently practical ALE processes that involve plasmas steps often suffer from high etch rates due to the scarcity of highly synergistic ALE half-reactions. To overcome this limitation, we developed an ALE process of silicon dioxide (SiO$_2$) on a silicon wafer using sequential pure sulfur hexafluoride (SF6$_6$ gas exposure and argon (Ar) plasma etching near room temperature, achieving a stable and consistent etching rate of approximately 1.4 Ã/cycle. In this process, neither of the two half-cycle reactions alone produces etching effects, and etching only occurs when the two are repeated in sequence, which means a 100% synergy. The identification of temperature and plasma power windows further substantiates the high synergy of our ALE process. Moreover, detailed morphology characterization over multiple cycles reveals a directional etching effect. This study provides a reliable, reproducible, and highly controllable ALE process for SiO$_2$ etching, which is promising for nanofabrication processes.

academic

SiO $_2$ 의 순차적 SF $_6$ 가스 및 Ar 플라즈마를 이용한 원자층 식각

기본 정보

논문ID: 2412.20653
제목: Atomic layer etching of SiO $_2$ using sequential SF $_6$ gas and Ar plasma
저자: Jun Peng, Rakshith Venugopal, Robert Blick, Robert Zierold
분류: cond-mat.mtrl-sci (응축물질물리학-재료과학)
기관: 함부르크 대학교 하이브리드 나노구조 센터, 독일 전자 동기가속기 연구소(DESY)
논문 링크: https://arxiv.org/abs/2412.20653

초록

반도체 기술의 지속적인 발전에 따라 원자층 공정에 대한 수요가 증가하고 있으며, 이러한 공정들은 지속적인 소자 소형화에 중요한 역할을 하고 있습니다. 특히 원자층 식각(ALE)은 원자 수준에서의 정밀한 물질 제거 제어로 인해 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다. 일부 열 ALE가 준나노미터 수준의 식각 제어를 달성했지만, 현재 플라즈마 단계를 포함하는 실용적인 ALE 공정은 높은 협동성을 가진 ALE 반반응의 부족으로 인해 과도한 식각 속도 문제를 겪고 있습니다. 이러한 제한을 극복하기 위해 본 연구는 실리콘 웨이퍼 위의 이산화규소(SiO $_2$ )를 연속적인 육불화황(SF $_6$ ) 가스 노출과 아르곤(Ar) 플라즈마를 이용하여 실온 근처에서 식각하는 ALE 공정을 개발했으며, 약 1.4 Å/사이클의 안정적이고 일관된 식각 속도를 달성했습니다. 이 공정에서 두 개의 반사이클 반응은 단독으로는 식각 효과를 생성하지 않으며, 두 반응이 순차적으로 반복될 때만 식각이 발생하므로 100%의 협동 효과를 의미합니다.

연구 배경 및 동기

문제 정의

핵심 문제: 기존의 플라즈마 보조 원자층 식각(ALE) 공정은 과도한 식각 속도와 불충분한 협동 효과로 인해 원자 수준의 정밀한 제어를 달성하기 어렵습니다.
중요성:
- 무어의 법칙이 한계에 접근함에 따라 반도체 제조는 더욱 정밀한 원자 수준의 가공 기술이 필요합니다
- ALE는 10nm 기술 노드의 논리 소자에 이미 적용되고 있습니다
- 양자 소자 등 신흥 나노전자 소자는 정밀 식각에 대한 수요가 증가하고 있습니다
기존 방법의 한계:
- 열 ALE는 준나노미터 수준의 제어를 달성할 수 있지만, 등방성 식각 특성이 응용을 제한합니다
- 플라즈마 ALE는 우수한 방향성을 가지지만 협동 효과가 약합니다(~80%), 식각 속도가 과도합니다
- 높은 협동성을 가진 ALE 반반응이 부족합니다
연구 동기: 열 ALE의 정밀성과 플라즈마 ALE의 방향성을 모두 갖춘 SiO $_2$ 식각 공정을 개발하여 100%의 협동 효과와 원자 수준의 제어를 달성합니다.

핵심 기여

새로운 ALE 공정 개발: 연속적인 SF $_6$ 가스와 Ar 플라즈마를 사용하는 SiO $_2$ 원자층 식각 방법을 제안하여 1.4 Å/사이클의 안정적인 식각 속도를 달성했습니다
100% 협동 효과 달성: 단독 반반응은 식각을 생성하지 않으며 순차적 조합만 효과적임을 증명하여 완벽한 협동성을 달성했습니다
공정 윈도우 결정: 온도 윈도우(실온~40°C)와 플라즈마 전력 윈도우(50-100W)를 식별하여 공정 최적화를 위한 지침을 제공했습니다
방향성 식각 검증: 미세 기둥 및 구멍 구조의 형태 특성화를 통해 이 공정이 우수한 방향성 식각 특성을 가짐을 증명했습니다
확장 가능한 솔루션 제공: 상용 RIE 장비와 일반적인 가스를 사용하여 우수한 확장성과 실용성을 갖추고 있습니다