2025-11-13T06:22:10.659187

Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function

Garrard, Hardy, daCunha et al.

Physically Unclonable Functions (PUFs) are a promising solution for identity verification and asymmetric encryption. In this paper, a new Resistive Random Access Memory (ReRAM) PUF-based protocol is presented to create a physical ReRAM PUF with a large challenge space. This protocol uses differential reads from unformed ReRAM as the method for response generation. Lastly, this paper also provides an experimental hardware demonstration of this protocol on a Physical ReRAM device, along with providing notable results as a PUF, with excellent performance characteristics.

academic

사전 형성된 저항성 랜덤 액세스 메모리를 사용한 강력한 물리적 복제 불가능 함수 생성

기본 정보

논문 ID: 2510.02643
제목: Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function
저자: Jack Garrard, John F. Hardy II, Carlo daCunha, Mayank Bakshi (Northern Arizona University)
분류: cs.CR (암호화 및 보안)
발표 시간: 2025년 10월 6일 (IEEE ACCESS)
논문 링크: https://arxiv.org/abs/2510.02643

초록

물리적 복제 불가능 함수(PUF)는 인증 및 비대칭 암호화를 위한 유망한 솔루션입니다. 본 논문은 광범위한 도전 공간을 가진 물리적 ReRAM PUF를 생성하기 위한 저항성 랜덤 액세스 메모리(ReRAM) 기반 PUF의 새로운 프로토콜을 제안합니다. 이 프로토콜은 사전 형성되지 않은 ReRAM의 차분 읽기를 응답 생성 방법으로 사용합니다. 논문은 또한 물리적 ReRAM 장치에서의 실험적 하드웨어 시연을 제공하며, PUF로서의 우수한 성능 특성을 보여줍니다.

연구 배경 및 동기

문제 정의

현대 보안 통신은 신뢰할 수 있는 인증 및 암호화 메커니즘을 필요로 합니다. 기존의 공개키 암호 시스템은 개인 키의 안전한 배포 및 저장에 의존하지만, 디지털 키는 복사되기 쉽고 유출 위협에 취약하며, 유출되면 재발급이 어렵습니다.

연구 동기

디지털 키의 취약성: 기존 키는 디지털 형식이므로 복사 가능하고 유출 위협에 노출됨
SRAM PUF의 한계:
- 도전 공간이 선형으로 확장되어 규모가 제한됨
- 원본 응답에서 직접 비밀 정보 유출
- 전체 응답 공간을 저장해야 하며, 모델링으로 등록 크기 감소 불가
양자 후 암호화 필요성: 양자 알고리즘에 저항하는 난수 데이터 소스 필요

기존 방법의 한계

SRAM PUF는 현재 주류 솔루션으로서 다음과 같은 문제가 있습니다:

도전 공간과 메모리 셀 수량의 선형 관계로 확장성 부족
원본 응답이 기저 무작위성을 직접 노출
등록 프로세스가 전체 응답 공간을 포함해야 함
차분 공격에 취약

핵심 기여

새로운 ReRAM PUF 프로토콜 제안: 사전 형성되지 않은 ReRAM 셀을 PUF 요소로 사용하는 새로운 프로토콜
하드웨어 실험 검증 구현: 물리적 ReRAM 장치에서의 완전한 하드웨어 시연
도전 공간 대폭 확대: 도전 공간이 셀 수량과 이차 관계로 확장
우수한 성능 지표: 극저 비트 오류율(<0.03%) 및 우수한 PUF 특성 달성
맞춤형 제조 불필요: 기존 제조 공정을 사용하여 형성 단계를 건너뛰고 구현 가능

방법 상세 설명

작업 정의

광범위한 도전 공간, 낮은 비트 오류율 및 강력한 보안성을 갖춘 ReRAM 기반 강력한 PUF 시스템을 설계합니다. 입력은 도전 바이트 스트림이고 출력은 해당하는 고유한 응답 바이트 스트림입니다.

ReRAM 기술 기초

ReRAM 구조 및 원리

ReRAM은 금속-절연체-금속 박막 스택 구조를 채택합니다:

도전 필라멘트(CF)의 형성 및 단절을 통해 저항 상태 변경
형성 프로세스: 양의 편향 전압을 적용하여 산소 공공 경로 형성
리셋/셋 프로세스: 고저항 상태(HRS)와 저저항 상태(LRS) 간 전환

사전 형성되지 않은 ReRAM 특성

본 연구는 형성되지 않은 ReRAM 셀을 사용합니다:

저항 상태가 극히 안정적이며 측정이 용이함
산소 확산으로 인한 시간 의존적 완화 문제 회피
제조 변동성이 천연 무작위성 소스 제공

핵심 프로토콜 아키텍처

1. 도전 생성 프로토콜

도전 생성 흐름:
1. 난수 바이트 및 암호를 사용하여 SHA256으로 초기 데이터 생성
2. 주소 쌍 풀로 파싱(목표 키 크기의 약 1.5배)
3. 높은 표준편차 셀 필터링
4. 셀 쌍의 차이가 반복 가능한 응답을 생성하기에 충분한지 검증
5. 불안정한 셀을 표시하는 안정성 마스크 생성

2. 응답 생성 메커니즘

응답 생성 흐름:
1. 난수 바이트 및 안정성 마스크 수신
2. 주소 쌍을 재생성하고 마스크 필터 적용
3. 이중 ReRAM 칩에서 차분 읽기 수행
4. 아날로그 회로를 통해 신호 조정 및 오프셋 제공
5. 아날로그 비교기가 단일 비트 응답 생성
6. 모든 비트를 연결하고 해시하여 반환

기술 혁신 포인트

1. 차분 읽기 메커니즘

절대 측정이 아닌 두 개의 ReRAM 칩을 사용한 비교
직접 저항값이 아닌 저항 비교를 기반으로 응답 생성
기저 아날로그 측정 정보를 효과적으로 격리

2. 이차 도전 공간 확장

도전 공간 계산: 4096 × 4096 × 8 × (1-0.33) × (1-0.12) ≈ 80,000,000개 셀 쌍 최종 CRP 수량: 약 (8×10^7)^256

3. 적응형 필터링 전략

셀 수준 필터링: 표준편차 임계값 30 ADC 카운트
쌍 수준 필터링: 차이가 표준편차 합의 2배 이상
동적 안정성 마스크 생성

실험 설정

하드웨어 플랫폼

ReRAM 칩: CrossBar Al/Al2O3/W 1R1T 구성
어레이 사양: 1kb×4 셀 테스트 어레이, 32 워드라인, 128 비트
전류 범위: 105-793 nA (8개 사전 선택 값)
전압 제한: 의도하지 않은 형성 방지를 위한 1.5V 최대값
맞춤형 PCB: 신호 조정 및 아날로그 비교

평가 지표

비트 오류율(BER): 등록 응답과 실제 응답의 해밍 거리
신뢰성: 동일 도전의 반복 응답 일관성
고유성: 서로 다른 PUF 간 응답의 무작위성(이상적 값 50%)
확산성: 동일 PUF의 서로 다른 도전 간 무작위성
균일성: 응답의 0과 1 분포 균형

실험 매개변수

등록 샘플: 셀당 50회 샘플링
테스트 규모: 7개 칩, 8개 전류값, 1000개 CRP
필터링 매개변수: 셀 표준편차 임계값 30, 쌍 배수 임계값 2

실험 결과

주요 성능 지표

지표	결과	이상적 값	표준편차
비트 오류율(BER)	3.23×10^-2%	0%	0.11%
신뢰성	5.78×10^-2%	0%	0.15%
고유성	50.02%	50%	2.28%
확산성	50.02%	50%	2.21%
균일성	49.93%	50%	3.25%

전류 의존성 분석

서로 다른 전류에서의 BER 성능:

105 nA: 2.563×10^-4
793 nA: 4.055×10^-4
추세: 전류 증가 시 BER이 약간 상승하지만 여전히 극저 수준 유지

전력 소비 분석

도전당 응답 생성 전력 소비: 마이크로와트 수준
단일 전압 읽기: <40 nW
총 전력 소비: <1 mW, 클라이언트 장치에 적합

다른 PUF 기술과의 비교

PUF 유형	도전 공간	BER	신뢰성	고유성
본 논문 ReRAM	N²	3.23×10^-2	5.78×10^-2	50.02±2.28
참고 ReRAM13	2N	10^-6	2	50±3
STT-MRAM27	2²ᴺ	-	0.98±0.56	49.96±7.40

결론 및 논의

주요 결론

사전 형성되지 않은 ReRAM 기반 강력한 PUF 프로토콜을 성공적으로 구현
우수한 성능 지표 달성: BER < 0.03%, 모든 PUF 특성이 이상적 값에 근접
이차 도전 공간 확장 구현으로 기존 SRAM PUF보다 현저히 우수
맞춤형 제조 공정 불필요로 실용화 가능성 보유

한계

하드웨어 의존성: 전용 ReRAM 칩 및 아날로그 회로 필요
온도 민감성: 사전 형성되지 않은 ReRAM이 상대적으로 안정적이지만 추가 검증 필요
규모 검증: 현재 실험은 상대적으로 작은 어레이 규모 기반
장기 안정성: 더 긴 기간의 안정성 테스트 필요

향후 방향

진정한 난수 생성기: 높은 표준편차 셀을 활용한 연속 난수 비트 생성
개선된 모델링: ReRAM 셀과 전류 관계의 정확한 모델 개발
소형화 설계: 실제 애플리케이션을 위한 토큰화 장치 생성
신경망 통합: ReRAM 기반 하드웨어 신경망과의 결합

심층 평가

장점

기술 혁신성 강함: 사전 형성되지 않은 ReRAM을 사용한 강력한 PUF의 첫 체계적 구현
실험 검증 충분: 완전한 하드웨어 구현 및 포괄적 성능 평가
실용적 가치 높음: SRAM PUF의 핵심 한계 해결
보안성 설계 우수: 차분 읽기 메커니즘이 정보 유출을 효과적으로 방지

부족한 점

비용 고려 부족: ReRAM 칩 비용이 SRAM보다 높을 수 있음
환경 적응성: 다양한 환경 조건에서의 안정성 테스트 부족
공격 모델 분석: 고급 공격 방법에 대한 저항성 분석 미흡
표준화 수준: 기존 PUF 표준과의 호환성 분석 부족

영향력 평가

학술 기여: PUF 분야에 새로운 기술 경로 제공
산업 가치: ReRAM의 보안 칩 응용 추진 가능성
재현성: 상세한 실험 설정으로 다른 연구자의 재현 용이
응용 전망: 특히 IoT 장치 및 하드웨어 신경망 애플리케이션에 적합

적용 시나리오

IoT 장치 인증: 저전력 특성이 자원 제한 장치에 적합
하드웨어 보안 모듈: 보안 칩에 통합 가능
엣지 컴퓨팅: ReRAM 신경망과 협력 작동
공급망 보안: 장치 지문 인식 및 위조 방지

참고문헌

본 논문은 PUF 기술, ReRAM 장치, 암호화 프로토콜 등 여러 분야의 중요한 연구를 포함한 28개의 관련 문헌을 인용하여 견고한 이론적 기초를 제공합니다.

종합 평가: 이것은 혁신적인 ReRAM PUF 솔루션을 제안하고 완전한 하드웨어 실험을 통해 방법의 효과성을 검증한 고품질의 하드웨어 보안 연구 논문입니다. 논문은 기술 혁신, 실험 검증 및 실용적 가치 측면에서 모두 우수한 성능을 보이며, PUF 기술의 발전에 중요한 기여를 합니다.