2025-11-13T06:22:10.659187

Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function

Garrard, Hardy, daCunha et al.
Physically Unclonable Functions (PUFs) are a promising solution for identity verification and asymmetric encryption. In this paper, a new Resistive Random Access Memory (ReRAM) PUF-based protocol is presented to create a physical ReRAM PUF with a large challenge space. This protocol uses differential reads from unformed ReRAM as the method for response generation. Lastly, this paper also provides an experimental hardware demonstration of this protocol on a Physical ReRAM device, along with providing notable results as a PUF, with excellent performance characteristics.
academic

사전 형성된 저항성 랜덤 액세스 메모리를 사용한 강력한 물리적 복제 불가능 함수 생성

기본 정보

  • 논문 ID: 2510.02643
  • 제목: Using Preformed Resistive Random Access Memory to Create a Strong Physically Unclonable Function
  • 저자: Jack Garrard, John F. Hardy II, Carlo daCunha, Mayank Bakshi (Northern Arizona University)
  • 분류: cs.CR (암호화 및 보안)
  • 발표 시간: 2025년 10월 6일 (IEEE ACCESS)
  • 논문 링크: https://arxiv.org/abs/2510.02643

초록

물리적 복제 불가능 함수(PUF)는 인증 및 비대칭 암호화를 위한 유망한 솔루션입니다. 본 논문은 광범위한 도전 공간을 가진 물리적 ReRAM PUF를 생성하기 위한 저항성 랜덤 액세스 메모리(ReRAM) 기반 PUF의 새로운 프로토콜을 제안합니다. 이 프로토콜은 사전 형성되지 않은 ReRAM의 차분 읽기를 응답 생성 방법으로 사용합니다. 논문은 또한 물리적 ReRAM 장치에서의 실험적 하드웨어 시연을 제공하며, PUF로서의 우수한 성능 특성을 보여줍니다.

연구 배경 및 동기

문제 정의

현대 보안 통신은 신뢰할 수 있는 인증 및 암호화 메커니즘을 필요로 합니다. 기존의 공개키 암호 시스템은 개인 키의 안전한 배포 및 저장에 의존하지만, 디지털 키는 복사되기 쉽고 유출 위협에 취약하며, 유출되면 재발급이 어렵습니다.

연구 동기

  1. 디지털 키의 취약성: 기존 키는 디지털 형식이므로 복사 가능하고 유출 위협에 노출됨
  2. SRAM PUF의 한계:
    • 도전 공간이 선형으로 확장되어 규모가 제한됨
    • 원본 응답에서 직접 비밀 정보 유출
    • 전체 응답 공간을 저장해야 하며, 모델링으로 등록 크기 감소 불가
  3. 양자 후 암호화 필요성: 양자 알고리즘에 저항하는 난수 데이터 소스 필요

기존 방법의 한계

SRAM PUF는 현재 주류 솔루션으로서 다음과 같은 문제가 있습니다:

  • 도전 공간과 메모리 셀 수량의 선형 관계로 확장성 부족
  • 원본 응답이 기저 무작위성을 직접 노출
  • 등록 프로세스가 전체 응답 공간을 포함해야 함
  • 차분 공격에 취약

핵심 기여

  1. 새로운 ReRAM PUF 프로토콜 제안: 사전 형성되지 않은 ReRAM 셀을 PUF 요소로 사용하는 새로운 프로토콜
  2. 하드웨어 실험 검증 구현: 물리적 ReRAM 장치에서의 완전한 하드웨어 시연
  3. 도전 공간 대폭 확대: 도전 공간이 셀 수량과 이차 관계로 확장
  4. 우수한 성능 지표: 극저 비트 오류율(<0.03%) 및 우수한 PUF 특성 달성
  5. 맞춤형 제조 불필요: 기존 제조 공정을 사용하여 형성 단계를 건너뛰고 구현 가능

방법 상세 설명

작업 정의

광범위한 도전 공간, 낮은 비트 오류율 및 강력한 보안성을 갖춘 ReRAM 기반 강력한 PUF 시스템을 설계합니다. 입력은 도전 바이트 스트림이고 출력은 해당하는 고유한 응답 바이트 스트림입니다.

ReRAM 기술 기초

ReRAM 구조 및 원리

ReRAM은 금속-절연체-금속 박막 스택 구조를 채택합니다:

  • 도전 필라멘트(CF)의 형성 및 단절을 통해 저항 상태 변경
  • 형성 프로세스: 양의 편향 전압을 적용하여 산소 공공 경로 형성
  • 리셋/셋 프로세스: 고저항 상태(HRS)와 저저항 상태(LRS) 간 전환

사전 형성되지 않은 ReRAM 특성

본 연구는 형성되지 않은 ReRAM 셀을 사용합니다:

  • 저항 상태가 극히 안정적이며 측정이 용이함
  • 산소 확산으로 인한 시간 의존적 완화 문제 회피
  • 제조 변동성이 천연 무작위성 소스 제공

핵심 프로토콜 아키텍처

1. 도전 생성 프로토콜

도전 생성 흐름:
1. 난수 바이트 및 암호를 사용하여 SHA256으로 초기 데이터 생성
2. 주소 쌍 풀로 파싱(목표 키 크기의 약 1.5배)
3. 높은 표준편차 셀 필터링
4. 셀 쌍의 차이가 반복 가능한 응답을 생성하기에 충분한지 검증
5. 불안정한 셀을 표시하는 안정성 마스크 생성

2. 응답 생성 메커니즘

응답 생성 흐름:
1. 난수 바이트 및 안정성 마스크 수신
2. 주소 쌍을 재생성하고 마스크 필터 적용
3. 이중 ReRAM 칩에서 차분 읽기 수행
4. 아날로그 회로를 통해 신호 조정 및 오프셋 제공
5. 아날로그 비교기가 단일 비트 응답 생성
6. 모든 비트를 연결하고 해시하여 반환

기술 혁신 포인트

1. 차분 읽기 메커니즘

  • 절대 측정이 아닌 두 개의 ReRAM 칩을 사용한 비교
  • 직접 저항값이 아닌 저항 비교를 기반으로 응답 생성
  • 기저 아날로그 측정 정보를 효과적으로 격리

2. 이차 도전 공간 확장

도전 공간 계산: 4096 × 4096 × 8 × (1-0.33) × (1-0.12) ≈ 80,000,000개 셀 쌍 최종 CRP 수량: 약 (8×10^7)^256

3. 적응형 필터링 전략

  • 셀 수준 필터링: 표준편차 임계값 30 ADC 카운트
  • 쌍 수준 필터링: 차이가 표준편차 합의 2배 이상
  • 동적 안정성 마스크 생성

실험 설정

하드웨어 플랫폼

  • ReRAM 칩: CrossBar Al/Al2O3/W 1R1T 구성
  • 어레이 사양: 1kb×4 셀 테스트 어레이, 32 워드라인, 128 비트
  • 전류 범위: 105-793 nA (8개 사전 선택 값)
  • 전압 제한: 의도하지 않은 형성 방지를 위한 1.5V 최대값
  • 맞춤형 PCB: 신호 조정 및 아날로그 비교

평가 지표

  1. 비트 오류율(BER): 등록 응답과 실제 응답의 해밍 거리
  2. 신뢰성: 동일 도전의 반복 응답 일관성
  3. 고유성: 서로 다른 PUF 간 응답의 무작위성(이상적 값 50%)
  4. 확산성: 동일 PUF의 서로 다른 도전 간 무작위성
  5. 균일성: 응답의 0과 1 분포 균형

실험 매개변수

  • 등록 샘플: 셀당 50회 샘플링
  • 테스트 규모: 7개 칩, 8개 전류값, 1000개 CRP
  • 필터링 매개변수: 셀 표준편차 임계값 30, 쌍 배수 임계값 2

실험 결과

주요 성능 지표

지표결과이상적 값표준편차
비트 오류율(BER)3.23×10^-2%0%0.11%
신뢰성5.78×10^-2%0%0.15%
고유성50.02%50%2.28%
확산성50.02%50%2.21%
균일성49.93%50%3.25%

전류 의존성 분석

서로 다른 전류에서의 BER 성능:

  • 105 nA: 2.563×10^-4
  • 793 nA: 4.055×10^-4
  • 추세: 전류 증가 시 BER이 약간 상승하지만 여전히 극저 수준 유지

전력 소비 분석

  • 도전당 응답 생성 전력 소비: 마이크로와트 수준
  • 단일 전압 읽기: <40 nW
  • 총 전력 소비: <1 mW, 클라이언트 장치에 적합

다른 PUF 기술과의 비교

PUF 유형도전 공간BER신뢰성고유성
본 논문 ReRAMN²3.23×10^-25.78×10^-250.02±2.28
참고 ReRAM132N10^-6250±3
STT-MRAM272²ᴺ-0.98±0.5649.96±7.40

관련 연구

PUF 기술 발전

  1. SRAM PUF: 현재 주류이지만 도전 공간이 선형으로 증가
  2. ReRAM PUF 변형:
    • 형성된 ReRAM PUF: 신뢰성 및 확산성 문제
    • 참조 셀 프로토콜: 선형 도전 공간, 칩 활용률 낮음
  3. 기타 메모리 PUF: STT-MRAM 등 신흥 기술

본 논문의 장점

  1. 도전 공간: 이차 증가 vs 선형 증가
  2. 제조 호환성: 맞춤형 공정 불필요
  3. 보안성: 간접 측정으로 정보 유출 방지
  4. 에너지 효율: IoT 애플리케이션에 적합한 극저 전력

결론 및 논의

주요 결론

  1. 사전 형성되지 않은 ReRAM 기반 강력한 PUF 프로토콜을 성공적으로 구현
  2. 우수한 성능 지표 달성: BER < 0.03%, 모든 PUF 특성이 이상적 값에 근접
  3. 이차 도전 공간 확장 구현으로 기존 SRAM PUF보다 현저히 우수
  4. 맞춤형 제조 공정 불필요로 실용화 가능성 보유

한계

  1. 하드웨어 의존성: 전용 ReRAM 칩 및 아날로그 회로 필요
  2. 온도 민감성: 사전 형성되지 않은 ReRAM이 상대적으로 안정적이지만 추가 검증 필요
  3. 규모 검증: 현재 실험은 상대적으로 작은 어레이 규모 기반
  4. 장기 안정성: 더 긴 기간의 안정성 테스트 필요

향후 방향

  1. 진정한 난수 생성기: 높은 표준편차 셀을 활용한 연속 난수 비트 생성
  2. 개선된 모델링: ReRAM 셀과 전류 관계의 정확한 모델 개발
  3. 소형화 설계: 실제 애플리케이션을 위한 토큰화 장치 생성
  4. 신경망 통합: ReRAM 기반 하드웨어 신경망과의 결합

심층 평가

장점

  1. 기술 혁신성 강함: 사전 형성되지 않은 ReRAM을 사용한 강력한 PUF의 첫 체계적 구현
  2. 실험 검증 충분: 완전한 하드웨어 구현 및 포괄적 성능 평가
  3. 실용적 가치 높음: SRAM PUF의 핵심 한계 해결
  4. 보안성 설계 우수: 차분 읽기 메커니즘이 정보 유출을 효과적으로 방지

부족한 점

  1. 비용 고려 부족: ReRAM 칩 비용이 SRAM보다 높을 수 있음
  2. 환경 적응성: 다양한 환경 조건에서의 안정성 테스트 부족
  3. 공격 모델 분석: 고급 공격 방법에 대한 저항성 분석 미흡
  4. 표준화 수준: 기존 PUF 표준과의 호환성 분석 부족

영향력 평가

  1. 학술 기여: PUF 분야에 새로운 기술 경로 제공
  2. 산업 가치: ReRAM의 보안 칩 응용 추진 가능성
  3. 재현성: 상세한 실험 설정으로 다른 연구자의 재현 용이
  4. 응용 전망: 특히 IoT 장치 및 하드웨어 신경망 애플리케이션에 적합

적용 시나리오

  1. IoT 장치 인증: 저전력 특성이 자원 제한 장치에 적합
  2. 하드웨어 보안 모듈: 보안 칩에 통합 가능
  3. 엣지 컴퓨팅: ReRAM 신경망과 협력 작동
  4. 공급망 보안: 장치 지문 인식 및 위조 방지

참고문헌

본 논문은 PUF 기술, ReRAM 장치, 암호화 프로토콜 등 여러 분야의 중요한 연구를 포함한 28개의 관련 문헌을 인용하여 견고한 이론적 기초를 제공합니다.

종합 평가: 이것은 혁신적인 ReRAM PUF 솔루션을 제안하고 완전한 하드웨어 실험을 통해 방법의 효과성을 검증한 고품질의 하드웨어 보안 연구 논문입니다. 논문은 기술 혁신, 실험 검증 및 실용적 가치 측면에서 모두 우수한 성능을 보이며, PUF 기술의 발전에 중요한 기여를 합니다.