무수동화 Ga극성 AlGaN/GaN 함몰게이트 HEMT on 사파이어 기판: 94 GHz에서 2.8 W/mm POUT 및 26.8% PAE 달성

기본 정보

• 논문 ID: 2510.08933
• 제목: Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz
• 저자: Ruixin Bai, Swarnav Mukhopadhyay, Michael Elliott, Ryan Gilbert, Jiahao Chen, Rafael A. Choudhury, Kyudong Kim, Yu-Chun Wang, Ahmad E. Islam, Andrew J. Green, Shubhra S. Pasayat, Chirag Gupta
• 소속 기관: University of Wisconsin-Madison, KBR, Air Force Research Laboratory
• 분류: physics.app-ph
• 논문 링크: https://arxiv.org/abs/2510.08933

초록

본 연구는 W대역 응용을 위해 설계된 사파이어 기판 기반의 무수동화 Ga극성 함몰게이트 AlGaN/GaN HEMT 소자를 제시한다. 소자는 게이트 하부에 5.5 nm Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N 배리어층과 게이트 접근 영역에 31 nm Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N 배리어층을 채용한다. 소자는 1.8 A/mm의 드레인 전류 밀도, 750 mS/mm의 최대 상호컨덕턴스, 그리고 10⁷의 높은 스위칭비를 달성한다. 소신호 특성화는 127 GHz의 전류이득 차단 주파수와 203 GHz의 최대 발진 주파수를 보여준다. 94 GHz 연속파 로드풀 측정에서 소자는 2.8 W/mm의 출력 전력 밀도와 26.8%의 전력 부가 효율(PAE)을 나타내며, 이는 사파이어 기판 위의 Ga극성 GaN HEMT에서 보고된 최고 값이며 SiC 기판 위의 고급 Ga극성 GaN HEMT 성능과 동등하다.

연구 배경 및 동기

문제 정의

W대역(75-110 GHz)은 고분해능 레이더, 위성 통신 및 신흥 무선 시스템에서 중요한 역할을 한다. 기존 GaN HEMT 소자는 고주파 동작과 효과적인 분산 제어를 동시에 달성하는 데 어려움을 겪고 있으며, 주요 문제는 다음과 같다:

1. 두꺼운 수동화층으로 인한 기생 캐패시턴스 문제: 기존 GaN HEMT의 두꺼운 수동화층은 높은 기생 캐패시턴스를 야기하여 고작동 주파수와 효과적인 분산 제어의 동시 달성을 방해한다
2. 기판 비용 문제: SiC 기판의 높은 비용은 대규모 응용을 제한한다
3. N극성 소자의 복잡성: N극성 GaN HEMT는 우수한 성능을 보이지만, 성장 및 제조 공정이 기존 Ga극성 소자보다 더 복잡하다

연구 동기

1. 비용 절감: 고가의 SiC 기판을 저비용 사파이어 기판으로 대체
2. 공정 단순화: Ga극성 구조는 N극성 대비 더 간단한 에피택시 설계 및 제조 공정 제공
3. 성능 혁신: 사파이어 기판 위에서 SiC 기판과 동등한 W대역 성능 달성

핵심 기여

1. 최초 시연: 사파이어 기판 기반 무수동화 Ga극성 함몰게이트 AlGaN/GaN HEMT의 W대역 우수 성능
2. 혁신적 에피택시 구조 설계: 31 nm 두께의 Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N 배리어층을 채용하여 얇은층 저항 증가 없이 깊은 함몰게이트 구조 실현
3. 기록적 성능 지표: 94 GHz에서 2.8 W/mm 출력 전력 밀도 및 26.8% PAE 달성, 사파이어 기판 Ga극성 GaN HEMT의 최고값
4. 무수동화 설계: 깊은 함몰 구조를 통해 합리적인 분산 제어 달성, 추가 유전층의 기생 캐패시턴스 회피

방법론 상세

소자 구조 설계

에피택시층 구조

• 기판: 사파이어 기판 위의 철 도핑 반절연 GaN 버퍼층
• 채널층: 1 μm 비의도 도핑(UID) GaN
• 중간층: 0.7 nm AlN
• 배리어층: 31 nm Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N

소자 기하학적 매개변수

• 소스-드레인 간격(Lsd): 0.5 μm
• 소스-게이트 간격(Lsg): 100 nm
• 게이트 길이(Lg): 90 nm
• 함몰 후 배리어 두께: ~5.5 nm

제조 공정 흐름

1. n+ 오믹 영역 재성장: 저저항 오믹 접촉 형성
2. 메사 격리: BCl₃/Cl₂ 반응성 이온 식각(RIE) 사용
3. 하드 마스크 증착: 200 nm SiO₂를 하드 마스크로 사용
4. 게이트 정의: 전자빔 리소그래피(EBL)로 게이트 정의
5. 배리어 함몰: 저전력 BCl₃/Cl₂ RIE로 5.5 nm 두께까지 식각
6. 게이트 유전층: 4 nm HfO₂ 원자층 증착(ALD), 250°C
7. 게이트 금속: 50 nm TiN, 275°C ALD 증착
8. T형 게이트 헤드: Cr/Au 전자빔 증발
9. 하드 마스크 제거: 완충 산화물 식각(BOE)
10. 오믹 접촉: Ti/Au 전자빔 증발

기술 혁신점

깊은 함몰 구조 설계

원래 31 nm의 배리어층을 5.5 nm까지 식각함으로써 다음을 실현:

• 게이트 길이와 게이트-채널 거리의 종횡비 향상
• 게이트 제어 능력 개선
• 게이트 영역과 게이트 접근 영역 사이의 임계 전압 차이 생성, 가상 게이트 효과 보상

무수동화 설계의 장점

• 추가 유전층의 기생 캐패시턴스 제거
• 주어진 게이트 길이에서 더 높은 차단 주파수 달성
• 제조 공정 단순화

실험 설정

측정 조건

• DC 특성 측정: 표준 I-V 특성 측정
• 펄스 I-V 측정: 펄스폭 50 μs, 듀티사이클 1%, 정적 바이어스 Vgsq=-3V, Vdsq=5V
• S 파라미터 측정: 100 MHz ~ 43.5 GHz, SOLT 캘리브레이션
• 로드풀 측정: 94 GHz 연속파, TRL 캘리브레이션

평가 지표

• 드레인 전류 밀도(ID)
• 최대 상호컨덕턴스(gm)
• 스위칭비(Ion/Ioff)
• 전류이득 차단 주파수(ft)
• 최대 발진 주파수(fmax)
• 출력 전력 밀도(POUT)
• 전력 부가 효율(PAE)

실험 결과

DC 특성 성능

• 최대 드레인 전류 밀도: ~1.8 A/mm
• 온 저항: 0.41 Ω·mm
• 접촉 저항: ~0.1 Ω·mm (재성장 오믹 접촉으로 달성)
• 최대 상호컨덕턴스: 0.75 S/mm
• 스위칭비: ~10⁷

얇은층 저항 분석

함몰 영역의 얇은층 저항은 ~250 Ω/□에서 ~320 Ω/□로 증가하며, 증가폭은 적당하고 허용 범위 내이다.

분산 제어 성능

펄스 I-V 측정은 다음을 보여준다:

• 경미한 무릎점 드리프트만 관찰
• 현저한 전류 붕괴 없음
• 낮은 드레인 바이어스에서 경미한 전류 감소(~15%), 하지만 Vds 증가에 따라 감소

고주파 특성

Vgs=-3V, Vds=6V 조건에서:

• 전류이득 차단 주파수(ft): 127 GHz
• 최대 발진 주파수(fmax): 203 GHz

W대역 전력 성능

94 GHz 연속파 로드풀 측정 결과:

성능 비교 분석

83-95 GHz 범위의 보고된 GaN HEMT 소자와의 비교:

• 초기 사파이어 기판 N극성 소자 초월
• 일부 SiC 기판 Ga극성 소자와 성능 동등
• 사파이어 기판 Ga극성 GaN HEMT의 최고 성능

관련 연구

N극성 GaN HEMT 발전

• SiC 기판: 8.84 W/mm 출력 전력, 27% PAE
• 사파이어 기판: 5.8 W/mm 출력 전력, 38% PAE
• 하지만 제조 복잡도 높음, 산소 친화성 강함

Ga극성 GaN HEMT 현황

• SiC 기판 위의 우수한 성능:
  • 사전 매칭 구배 채널 HEMT: 2.94 W/mm, 37% PAE
  • ScAlN 배리어 HEMT: 3.57 W/mm, 24.3% PAE
• 사파이어 기판 위의 비교 가능한 결과 부족

함몰게이트 구조의 과제

기존 Ga극성 소자에서 GaN 캡층은 얇은층 저항을 증가시켜 RF 성능에 영향을 미치는데, 본 연구는 두꺼운 배리어층 설계를 통해 이 문제를 해결했다.

결론 및 토론

주요 결론

1. 사파이어 기판 기반 무수동화 Ga극성 함몰게이트 AlGaN/GaN HEMT의 성공적 시연
2. 94 GHz에서 2.8 W/mm 출력 전력 밀도 및 26.8% PAE의 기록적 성능 달성
3. 무수동화 조건에서 깊은 함몰 구조의 효과적인 분산 제어 능력 입증

제한사항

1. 최신 N극성 소자와의 성능 격차: 최신 N극성 사파이어 기판 소자의 성능이 여전히 더 우수함
2. 자체 발열 효과: 사파이어 기판의 열전도도 제한으로 인해 정적 드레인 전류를 제어하여 자체 발열 완화 필요
3. 단채널 효과: 소자에 단채널 효과가 존재하여 성능에 영향

향후 방향

1. 제조 공정 최적화: 제조 공정을 추가로 최적화하여 SiC 기판 소자와의 성능 격차 축소
2. 열 관리 개선: 소자의 잠재력을 충분히 발휘하기 위한 더 나은 열 관리 기술 개발
3. 구조 최적화: 에피택시 구조 및 소자 기하학적 매개변수의 지속적 최적화

심층 평가

장점

1. 기술 혁신성 강함: 사파이어 기판 위에서 이러한 높은 Ga극성 GaN HEMT W대역 성능을 최초로 달성
2. 실용 가치 높음: 저비용 기판 + 단순화된 공정으로 강한 산업화 전망
3. 실험 설계 완전함: DC에서 고주파, 소신호에서 대신호까지의 포괄적 특성화
4. 비교 분석 충분함: 기존 기술과의 상세한 비교 분석

부족점

1. 이론 분석 깊이 제한: 깊은 함몰 구조의 분산 제어 메커니즘에 대한 이론 분석을 더 심화할 수 있음
2. 장기 신뢰성 부재: 소자의 장기 신뢰성 및 안정성 데이터 부족
3. 공정 세부사항 불충분: 일부 핵심 제조 공정 매개변수 설명이 충분하지 않음

영향력

1. 학술 기여: 저비용 고성능 밀리미터파 소자를 위한 새로운 경로 개척
2. 산업 가치: 상용 밀리미터파 응용을 위한 비용 효율적 솔루션 제공
3. 기술 영감: 합리적 설계를 통해 저비용 기판에서 고성능 달성 가능 입증

적용 시나리오

1. 상용 밀리미터파 통신 시스템: 비용 민감한 대규모 응용
2. 레이더 시스템: 높은 전력 밀도가 필요한 응용
3. 위성 통신: W대역 전력 증폭기 응용

참고문헌

논문은 29편의 관련 문헌을 인용하며, 주로 다음을 포함한다:

• GaN HEMT 기초 연구1
• N극성 GaN 기술 발전2-8
• W대역 전력 소자9-29
• 소자 물리 및 제조 공정 관련 연구

종합 평가: 이는 기술 혁신과 실용 가치 측면에서 모두 중요한 기여를 하는 고품질의 응용 물리 연구 논문이다. 영리한 구조 설계와 공정 최적화를 통해 저비용 기판 위에서 고비용 기판과 동등한 성능을 달성함으로써 밀리미터파 소자의 산업화 발전에 중요한 참고 자료를 제공한다.