2025-11-13T21:22:10.753620

Optically induced orbital polarization in bulk germanium

Scali, Finazzi, Bottegoni et al.

Optical orientation has been proven as a powerful tool to inject spin-polarized electron and hole populations in III-V and group-IV semiconductors. In particular, the absorption of circularly-polarized light in bulk Ge generates a spin-oriented population of electrons in the conduction band with a spin-polarization up to 50%, whereas the hole spin-polarization, opposite to the electron one, can even reach values up to 83%. In this letter, we theoretically investigate the optical injection of orbital polarization by means of circularly-polarized light in bulk Ge and we show that the latter considerably exceeds 100% for holes and photon energies close to the direct Ge gap. These results suggest that Ge is a convenient platform for future development of orbitronics and opto-orbitronic devices.

academic

벌크 게르마늄에서 광학적으로 유도된 궤도 편극화

기본 정보

논문 ID: 2510.09525
제목: Optically induced orbital polarization in bulk germanium
저자: F. Scali, M. Finazzi, F. Bottegoni, C. Zucchetti (Politecnico di Milano)
분류: cond-mat.mtrl-sci (응축물질물리-재료과학)
발표 시간: 2025년 10월 13일
논문 링크: https://arxiv.org/abs/2510.09525

초록

광학 배향 기술은 III-V족 및 IV족 반도체에서 스핀 편극화된 전자 및 정공을 주입하는 효과적인 도구로 입증되었습니다. 특히, 벌크 게르마늄에서 원편광의 흡수는 도전대에서 스핀 배향된 전자 집단을 생성하며, 스핀 편극화율은 최대 50%에 달하고, 정공의 스핀 편극화율(전자와 반대)은 최대 83%에 이릅니다. 본 논문은 원편광을 통해 벌크 게르마늄에서 광학적으로 주입된 궤도 각운동량 편극화를 이론적으로 연구했으며, 게르마늄 직접 밴드갭에 가까운 광자 에너지에서 정공의 궤도 편극화율이 100%를 크게 초과함을 보여줍니다. 이러한 결과는 게르마늄이 향후 궤도 전자공학 및 광-궤도 전자공학 소자 개발을 위한 이상적인 플랫폼임을 시사합니다.

연구 배경 및 동기

문제 배경

스핀 전자공학의 과제: 스핀 전달 토크 및 스핀-궤도 토크 MRAM이 메모리 소자에서 성공을 거두었지만, 스핀 조작은 여전히 어려운 문제입니다. 캐리어의 스핀 수명이 극히 짧아 견고한 전기적 스핀 스위칭 아키텍처 구현을 방해합니다.
궤도 전자공학의 부상: 궤도 전자공학은 전자 또는 정공의 궤도 각운동량을 상태 변수로 활용하는 신흥 연구 분야로, 스핀 전자공학에 비해 잠재적 이점을 가집니다. 궤도 홀 효과(OHE)는 횡방향 궤도 전류를 생성하여 궤도 전류의 생성, 검출 및 조작을 위한 새로운 경로를 제공합니다.
광학 배향 기술의 잠재력: 광학 배향 기술은 III-V족 및 IV족 반도체에서 스핀 편극화 캐리어 주입에 성공했지만, 궤도 각운동량 편극화 측면에서의 응용은 아직 충분히 탐색되지 않았습니다.

연구 동기

본 연구는 광학 배향 기술을 이용하여 벌크 게르마늄에서 궤도 각운동량 축적을 생성할 가능성을 이론적으로 탐색하여 궤도 전자공학 소자를 위한 새로운 물리적 기초를 제공하는 것을 목표로 합니다.

핵심 기여

최초 이론 연구: 원편광이 벌크 게르마늄에서 궤도 각운동량 편극화를 유도하는 물리 메커니즘을 최초로 체계적으로 이론 연구
완전한 이론 프레임워크 구축: 30밴드 k·p 방법과 선형 응답 이론을 기반으로 캐리어, 스핀 및 궤도 주입율의 완전한 계산 프레임워크 구축
초고 궤도 편극화 발견: 게르마늄 직접 밴드갭에 가까운 광자 에너지에서 정공 궤도 편극화율이 약 160%(ℏ/2 단위)에 달함을 발견
원자 물리 이미지 제공: 원자 궤도 관점에서 궤도 편극화의 물리 메커니즘 설명
응용 전망 제시: 게르마늄이 궤도 전자공학 소자 플랫폼으로서의 거대한 잠재력 입증

방법론 상세 설명

이론 프레임워크

본 연구는 k·p 이론과 선형 응답 이론을 기반으로 한 완전한 양자역학 프레임워크를 채택합니다:

1. 에너지 밴드 구조 계산

s-, p- 및 d-(eg) 유형을 포함한 30밴드 k·p 모델 사용
전체 브릴루앙 영역의 에너지 밴드 구조 계산
실온에서의 실험 데이터로부터 매개변수 추출

2. 캐리어 주입 텐서

캐리어 주입 텐서의 일반 성분 표현:

ξ^αβ(ω) = (2πe²/(ℏω)²) Σ_{c,v} ∫ dk/(8π³) v̂^α*_{cv}(k)v̂^β_{cv}(k)δ[ω_{cv}(k) - ω]

여기서 α,β는 결정 입방축 방향, c(v)는 도전대(가전대) 상태 합, v̂^α_는 속도 연산자 행렬 요소입니다.

3. 스핀 주입 의사 텐서

전자 및 정공의 스핀 주입 의사 텐서는 각각:

ζ^xyz_e(ω) = (ℏ/2)(πe²/(ℏω)²) Σ_{c,c̄,v} ∫ dk/(8π³) Ŝ^x_{cc̄}(k)v̂^y*_{cv}(k)v̂^z_{c̄v}(k) × [δ[ω_{cv}(k) - ω] + δ[ω_{c̄v}(k) - ω]]

4. 궤도 각운동량 주입 의사 텐서

스핀 연산자 Ŝ^x를 궤도 각운동량 연산자 L̂^x로 대체하여 궤도 주입 의사 텐서 η^xyz(ω)를 획득합니다.

궤도 각운동량 연산자

p 궤도의 경우, 궤도 각운동량 연산자의 행렬 형태:

L̂^x_(p) = ℏ [0  0   0 ]
              [0  0  -i ]
              [0  i   0 ]

|p_x⟩, |p_y⟩, |p_z⟩를 기저 상태로 합니다.

편극화도 계산

스핀 편극화도: DSP_{e(h)} = Ṡ^x_{e(h)}/ṅ
궤도 편극화도: DOP_{e(h)} = L̇^x_{e(h)}/ṅ

계산 설정

계산 매개변수

온도: 실온(열 에너지 26 meV로 설정)
k점 적분: 에너지 보존을 보장하기 위해 사면체 적분 방법 채택
축퇴 상태 처리: ℏω_{cc̄(vv̄)} < k_BT인 축퇴 또는 준축퇴 상태 쌍에 대한 간섭성 고려

광학 조건

광원: 단색 원편광
광자 에너지 범위: ℏω ≥ ε_(게르마늄 직접 밴드갭)
편극화 유형: 좌원편광 및 우원편광

실험 결과

캐리어 주입 특성

총 캐리어 주입율: 광자 에너지 증가에 따라 증가하며, 3.0 eV 근처에서 약 3.0×10^14 V^-2 s^-1 Å^-1에 도달
에너지 밴드 기여: 중정공(HH), 경정공(LH) 및 분할 궤도(SO) 밴드의 상대 기여는 광자 에너지에 따라 변함

스핀 편극화 결과

전자 스핀 편극화:
- 직접 밴드갭 근처에서 약 50%에 도달
- 광자 에너지 증가에 따라 점진적으로 감소
정공 스핀 편극화:
- 직접 밴드갭 근처에서 약 -83%에 도달
- 전자 스핀 편극화 방향과 반대

궤도 편극화의 획기적 발견

전자 궤도 편극화:
- 전체 광자 에너지 범위에서 1% 이하로 유지
- 도전대가 주로 s 궤도로 구성(l=0)되기 때문
정공 궤도 편극화:
- 직접 밴드갭 근처에서 약 160%에 도달
- ℏω < 2.2 eV 범위에서 40% 이상 유지
- 본 연구의 가장 중요한 발견