2025-11-20T06:58:14.569326

Magnetically controllable nonlinear valley Hall effect in centrosymmetric ferromagnets

Fang, Zhang, Zhou et al.

Valley Hall effect is fundamental to valleytronics and provides a promising avenue for advancing information technology. While conventional valley Hall effect requires the inversion symmetry breaking, the recently proposed nonlinear valley Hall (NVH) effect removes the symmetry constraint, and broaden material choices. However, existing studies are limited to nonmagnetic materials without spin involvement and rely on external strain to break rotational symmetry. Here, to address these limitations, we design a magnetically controllable NVH effect in centrosymmetric ferromagnets, by the tight-binding model and first-principles calculations. The model calculations demonstrate nonvanishing NVH conductivities can emerge in pristine hexagonal lattice without external strain, with the magnitude, sign, and spin polarization of the conductivities being all dependent on the magnetization orientation. The effect thus generates various spin-polarized valley Hall currents, characterized by distinct combinations of current direction and spin polarization. First-principle results on a ferromagnetic VSi$_2$N$_4$ bilayer confirm considerable NVH conductivities and their dependence on the magnetization. The magnetically controllable NVH effect unlocks the potential of centrosymmetric magnets for valleytronics, and offer opportunities for novel spintronic and valleytronic devices.

academic

중심대칭 강자성체에서의 자기제어 비선형 밸리 홀 효과

기본 정보

논문 ID: 2510.13457
제목: 중심대칭 강자성체에서의 자기제어 비선형 밸리 홀 효과
저자: Ruijing Fang, Jie Zhang, Zhichao Zhou, Xiao Li (난징사범대학교)
분류: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
발표 시간: 2024년 10월 15일 (arXiv 사전인쇄본)
논문 링크: https://arxiv.org/abs/2510.13457

초록

밸리 홀 효과는 밸리트로닉스의 기초로서 정보기술 발전을 위한 유망한 경로를 제공한다. 기존의 밸리 홀 효과는 반전 대칭성 파괴를 요구하는 반면, 최근 제안된 비선형 밸리 홀(NVH) 효과는 대칭성 제약을 제거하여 재료 선택의 폭을 확대했다. 그러나 기존 연구는 자기 특성이 없는 비자성 재료에 국한되어 있으며 회전 대칭성을 파괴하기 위해 외부 변형에 의존한다. 이러한 제한을 해결하기 위해 본 논문은 타이트 바인딩 모델과 제1원리 계산을 통해 중심대칭 강자성체에서 자기제어 NVH 효과를 설계했다. 모델 계산은 외부 변형이 없는 원래의 육각형 격자에서 0이 아닌 NVH 전도도가 나타날 수 있음을 보여주며, 그 크기, 부호 및 스핀 편극은 모두 자기화 방향에 의존한다. 이 효과는 다양한 스핀 편극을 가진 밸리 홀 전류를 생성하며, 서로 다른 전류 방향과 스핀 편극 조합 특성을 갖는다. 강자성 VSi₂N₄ 이중층에 대한 제1원리 계산은 상당한 NVH 전도도와 그 자기화 의존성을 확인했다.

연구 배경 및 동기

문제 배경

기존 밸리 홀 효과의 한계:
- 기존의 선형 밸리 홀 효과는 결정 반전 대칭성 파괴를 요구하며, 이는 많은 중심대칭 재료의 밸리트로닉스 응용을 배제한다.
기존 NVH 효과의 제한성:
- 비자성 재료에만 국한되어 스핀 자유도의 참여가 부족함
- 회전 대칭성을 파괴하기 위해 외부 변형에 의존하며, 변형 전달 효율이 낮고 분포가 불균일함
- 정확도와 재현성이 제한됨
연구 필요성: 스핀을 효과적으로 도입하고 향상된 제어성을 제공하는 새로운 메커니즘을 개발하여 다중 전자 자유도의 협력적 제어를 실현할 필요가 있다.

연구 동기

본 논문은 기존 NVH 효과 연구에서 스핀 자유도 결핍과 외부 변형 필요성의 결함을 극복하기 위해 강자성 순서를 도입하여 다음을 동시에 실현하는 것을 목표로 한다:

시간 반전 대칭성을 파괴하고 스핀 편극 도입
스핀-궤도 결합을 통해 결정 회전 대칭성 파괴
자기장 제어 가능한 밸리트로닉스 효과 실현

핵심 기여

자기제어 NVH 효과 제안: 중심대칭 강자성체에서 외부 변형 없이 비선형 밸리 홀 효과를 처음으로 실현
이론 모델 구축: 스핀-궤도 결합과 강자성 교환 상호작용을 포함하는 3-궤도 타이트 바인딩 모델 수립
다중 조절성 실현: 자기화 방향을 통해 NVH 전도도의 크기, 부호 및 스핀 편극 방향 제어
재료 검증: VSi₂N₄ 이중층에서 이론 예측 검증, 상당한 NVH 전도도 확인
장치 응용 전망: 밸리 및 스핀 자유도 제어 기반의 새로운 스핀트로닉스 및 밸리트로닉스 장치 설계를 위한 플랫폼 제공

방법 상세 설명

작업 정의

중심대칭 강자성체에서의 비선형 밸리 홀 효과 연구, 여기서:

입력: 면내 전기장 E_b, E_c
출력: 횡방향 밸리 홀 전류 J^NVH_a = J^v1_a - J^v2_a ∝ E_b E_c
제약: 중심대칭성 유지, 자기화 방향을 통한 제어

이론 프레임워크

1. 타이트 바인딩 모델

공간군 P3̄m1을 가진 중심대칭 강자성체 모델 구축, 포함 내용:

3개의 d-궤도: d_z², d_xz, d_yz
원위치 스핀-궤도 결합
조절 가능한 자기화 방향의 강자성 교환 상호작용

2. NVH 전도도 계산

베리 연결 편극률(BCP)의 본질적 기여 기반:

$\chi^{NVH}_{abc} = e^3 \int_{BZ} \tau \frac{dk}{(2\pi)^2} \Lambda_{abc}(k)$

여기서: $\Lambda_{abc}(k) = \sum_n \lambda^n_{abc}(k) \frac{\partial f(\varepsilon_{nk})}{\partial \varepsilon_{nk}}$

$\lambda^n_{abc}(k) = v^n_a G^n_{bc}(k) - v^n_b G^n_{ac}(k)$

3. 베리 연결 편극률

$G^n_{ab}(k) = 2Re \sum_{m \neq n} \frac{A^{nm}_a(k) A^{mn}_b(k)}{\varepsilon_{nk} - \varepsilon_{mk}}$

$A^{nm}_a(k) = \frac{i\hbar \langle u_{nk}|\hat{v}_a|u_{mk}\rangle}{\varepsilon_{mk} - \varepsilon_{nk}}$

기술 혁신점

대칭성 분석:
- P 대칭성을 이용하여 K± 점 에너지 축퇴 보장
- 면내 자기화 성분을 통해 C₃ 대칭성 파괴
- C₂ₓ 및 Mₓ 대칭성이 0이 아닌 NVH 전도도 성분 결정
자기제어 메커니즘:
- 자기화 방향을 방위각 φ 및 기울기각 θ로 매개변수화
- χ^NVH_xyy 및 χ^NVH_yxx는 각각 코사인 및 사인 함수 의존성 준수
- 전도도 크기, 부호 및 스핀 편극의 독립적 제어 실현
스핀 편극 특성:
- 서로 다른 자기화 방향이 다양한 스핀 편극 조합 생성
- 스핀 방향 주기는 2π, 전도도 주기는 π
- 스핀이 전류에 평행 및 수직인 다양한 모드 실현 가능