2025-11-22T11:10:16.744134

Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation

Onder, Gaggl, Burin et al.

We present the design and simulation of a 30 $\mathrm{Î¼m}$ thick 4H-SiC Low Gain Avalanche Diode (LGAD) optimized for high-voltage operation. A 2.4 $\mathrm{Î¼m}$ thick epitaxially grown gain layer enables controlled internal amplification up to 1 kV reverse bias, while maintaining full depletion below 500 V. Electrical characteristics, including I-V, C-V, and gain behavior, were simulated in Synopsys Sentaurus Technology Computer-Aided Design (TCAD) using a quasi-1D geometry and verified across process-related variations in gain layer parameters. To ensure high-voltage stability and proper edge termination, a guard structure combining deep etched trenches and deep $p^+$ junction termination extension (JTE) implants was designed. TCAD simulations varying the guard structure dimensions yielded an optimized design with a breakdown voltage above 2.4 kV. A corresponding wafer run is currently processed at IMB-CNM, Barcelona.

academic

트렌치 격리를 이용한 4H-SiC 저이득 애벌란시 다이오드의 설계 및 시뮬레이션

기본 정보

논문 ID: 2510.14531
제목: Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation
저자: Sebastian Onder, Philipp Gaggl, Jürgen Burin, Andreas Gsponer, Matthias Knopf, Simon Waid, Neil Moffat, Giulio Pellegrini, Thomas Bergauer
분류: physics.ins-det
발표 시간: 2025년 10월 16일
논문 링크: https://arxiv.org/abs/2510.14531v1

초록

본 논문은 고압 동작에 최적화된 30 μm 두께의 4H-SiC 저이득 애벌란시 다이오드(LGAD)의 설계 및 시뮬레이션을 제시한다. 2.4 μm 두께의 에피택셜 성장 이득층은 최대 1 kV 역방향 편압에서 제어 가능한 내부 증폭을 실현하면서 500 V 이하에서 완전 고갈을 유지한다. Synopsys Sentaurus TCAD 소프트웨어를 이용하여 준일차원 기하학 구조에서 I-V, C-V 및 이득 특성을 시뮬레이션했으며, 이득층 매개변수의 공정 관련 변화 범위 내에서 검증했다. 고압 안정성과 적절한 가장자리 종단을 보장하기 위해 깊은 식각 트렌치와 깊은 p+ 결 종단 확장(JTE) 주입을 결합한 보호 구조를 설계했다. 보호 구조 크기 변화의 TCAD 시뮬레이션을 통해 2.4 kV 이상의 항복 전압을 갖는 최적화된 설계를 얻었다. 해당 웨이퍼 제조는 바르셀로나 IMB-CNM에서 진행 중이다.

연구 배경 및 동기

문제 정의

기존 실리콘 검출기의 한계: 실리콘 기반 검출기는 고방사선 환경에서 성능 저하가 심각하며, 고온에서 암전류가 크다
SiC 재료의 응용 과제: 4H-SiC는 우수한 방사선 내성과 낮은 암전류를 갖지만, 더 높은 전자-정공 쌍 생성 에너지(~7.8 eV vs Si의 3.6 eV)로 인해 신호 진폭이 작아 고에너지 물리 실험에서의 응용이 제한된다
고압 동작 요구사항: 기존의 에피택셜 성장 기술은 일반적으로 높은 도핑 농도(≥10¹⁴ cm⁻³)를 생성하여 큰 고갈 전압을 초래하고 두꺼운 활성 영역의 실현을 제한한다