Disorder-assisted Spin-Filtering at Metal/Ferromagnet Interfaces: An Alternative Route to Anisotropic Magnetoresistance
Iorsh, Titov
We introduce a minimal interface-scattering mechanism that produces a sizable anisotropic magnetoresistance (AMR) in metal/ferromagnet bilayers (e.g., Pt/YIG) without invoking bulk spin or orbital Hall currents. In a $δ$-layer model with interfacial exchange and Rashba spin-orbit coupling, charge transfer at a high-quality interface creates a spin-selective phase condition (interfacial spin filtering) that suppresses backscattering for one spin projection while enhancing momentum relaxation for the other. The resulting resistance anisotropy peaks at an optimal metal thickness of a few nanometers, quantitatively reproducing the thickness and angular dependences typically attributed to spin Hall magnetoresistance (SMR), as well as its characteristic magnitude. Remarkably, the maximal AMR scales linearly with the smaller of the two coupling strengths - exchange or spin-orbit, highlighting a mechanism fundamentally distinct from SMR. Our scattering formulation maps onto Boltzmann boundary conditions and predicts other clear discriminants from SMR, including strong sensitivity to interfacial charge transfer and disorder.
본 논문은 Pt/YIG와 같은 금속/강자성체 이중층에서 체적 스핀 또는 궤도 홀 전류에 의존하지 않고도 현저한 이방성 자기저항(AMR)을 생성할 수 있는 전혀 새로운 계면 산란 메커니즘을 제안한다. 계면 교환 및 Rashba 스핀-궤도 결합을 포함하는 δ층 모델을 통해, 고품질 계면에서의 전하 이동이 스핀 선택적 위상 조건(계면 스핀 필터링)을 생성하여, 한 종류의 스핀 투영의 역산란을 억제하면서 다른 종류의 운동량 완화를 증강한다. 결과적인 저항 이방성은 수 나노미터의 최적 금속 두께에서 최댓값에 도달하며, 일반적으로 스핀 홀 자기저항(SMR)에 귀속되는 두께 및 각도 의존성과 특성 진폭을 정량적으로 재현한다.
본 논문이 해결하고자 하는 핵심 문제는 중금속/강자성체 이종 구조에서의 이방성 자기저항(AMR) 현상의 물리적 메커니즘이다. 전통적으로 이 현상은 스핀 홀 효과(SHE)와 궤도 홀 효과(OHE)에 광범위하게 귀속되어 왔지만, 이러한 설명들은 개념적 모호성에 직면해 있다.