Микроскопический механизм неустойчивостей спаривания, зарядовой и спиновой плотности волн во взаимодействующих D-мерных жидкостях Ферми

Основная информация

• ID статьи: 2312.17208
• Название: Microscopic Mechanism of Pair-, Charge- and Spin-Density-Wave Instabilities in Interacting D-Dimensional Fermi Liquids
• Авторы: Dmitry Miserev, Herbert Schoeller, Jelena Klinovaja, Daniel Loss
• Классификация: cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
• Дата публикации: 28 марта 2024 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2312.17208

Аннотация

В данной работе предложена аналитическая теория, раскрывающая микроскопический механизм неустойчивостей во взаимодействующих D-мерных жидкостях Ферми. Модель включает D-мерный электронный газ, подверженный мгновенному электрон-электронному взаимодействию с конечным радиусом действия, превышающим среднее межчастичное расстояние. Магнитная восприимчивость спаривания, заряда и спина оценена с использованием однопетлевой теории ренормализационной группы и метода бозонизации, оба метода дают идентичные результаты. Для отталкивающего взаимодействия выявлена внутренняя неустойчивость жидкости Ферми по отношению к упорядочению волн спиновой/зарядовой плотности при достижении взаимодействием универсального критического значения. При наличии карманов электронов и дырок одинакового размера основное состояние представляет собой экситонный изолятор при произвольно малом отталкивающем взаимодействии. Для притягивающего взаимодействия основное состояние представляет собой синглетный несинглетный сверхпроводник с однородным конденсатом. При одновременном наличии электронной и дырочной поверхностей Ферми предсказана неустойчивость упорядочения волн плотности спаривания между карманами при критической связи.

Исследовательский контекст и мотивация

Проблемный фон

Явления сильных корреляций в различных системах конденсированного вещества давно представляют собой сложную проблему для физики конденсированного состояния. Несмотря на то, что существующие теоретические модели предоставляют ценные сведения об отдельных фазах, отсутствует консенсус относительно микроскопического механизма сильнокоррелированного электронного вещества в реалистичных моделях.

Значимость исследования

1. Теоретический пробел: Надежный микроскопический механизм изолирующих и нетрадиционных сверхпроводящих упорядочений в квантовых материалах с D>1 остается неясным
2. Экспериментальная потребность: Требуется теоретическая база для объяснения квантовых фазовых переходов, наблюдаемых в разнообразных материалах — от сверхчистых полупроводниковых квантовых ям до высокотемпературных сверхпроводников
3. Универсальность: Необходима универсальная микроскопическая модель, не зависящая от конкретного материала

Ограничения существующих подходов

1. Феноменологические рамки, хотя и полезны для исследования различных упорядочений (CDW, SDW, PDW), лишены микроскопического механизма
2. Теория БКШ и её расширения не могут полностью объяснить нетрадиционные сверхпроводящие явления
3. Отсутствует единая теоретическая база для описания различных типов фазовых переходов

Основные вклады

1. Предложена универсальная микроскопическая модель: Установлена универсальная микроскопическая модель, описывающая неустойчивости во взаимодействующих D-мерных жидкостях Ферми
2. Двойная теоретическая верификация: Получены согласованные результаты с использованием однопетлевой теории ренормализационной группы и метода бозонизации
3. Предсказание множественных фазовых переходов:
   • Неустойчивость CDW/SDW при отталкивающем взаимодействии
   • Фазовый переход экситонного изолятора
   • Несинглетная сверхпроводимость
   • Сверхпроводимость волн плотности спаривания (PDW)
4. Определение критической связи: Найдено универсальное критическое значение $\gamma_c = (D-1)/2$
5. Поддержка теории купратов: Предоставлена убедительная теоретическая поддержка механизма PDW в материалах на основе оксидов меди

Подробное описание методов

Постановка модели

Рассматривается нулевая температура, спин-вырожденный D-мерный электронный газ (D>1) с двумя сферическими поверхностями Ферми:

• Карман электронов: радиус $k_e$, центр в импульсе $K$
• Карман дырок: радиус $k_h$, центр в импульсе $-K$

Гамильтониан взаимодействия

Электроны взаимодействуют посредством переднего рассеяния с конечным радиусом действия плотность-плотность взаимодействия:

$U(\tau, r) = \delta(\tau)V(r), \quad \lambda_F \ll r \lesssim R_0$

где $R_0$ — радиус действия взаимодействия, значительно превышающий длину волны Ферми $\lambda_F$.

Определение восприимчивостей

Определены три типа статических восприимчивостей:

• Восприимчивость спаривания: $\chi^{(0)}_{P,ab}(r) = \int_{-\infty}^{\infty} G_a(\tau,r)G_b(\tau,r)d\tau$
• Восприимчивость заряда/спина: $\chi^{(0)}_{C/S,ab}(r) = -2\int_{-\infty}^{\infty} G_a(\tau,r)G_b(-\tau,-r)d\tau$

Анализ ренормализационной группы

Используя мультипликативный метод ренормализационной группы, восприимчивость имеет степенной вид:

$\chi(r) = \chi^{(0)}(r)\left(\frac{r}{R_0}\right)^{\gamma_0}$

где:

• Для восприимчивостей заряда/спина: $\gamma_0 = \gamma_{ab}$
• Для восприимчивости спаривания: $\gamma_0 = -\gamma_{ab}$

Критические показатели

Определены безразмерные константы связи: $\gamma_{ee} = \frac{2V_2}{\pi v_e}, \quad \gamma_{hh} = \frac{2V_2}{\pi v_h}, \quad \gamma_{eh} = \frac{4V_2}{\pi(v_e + v_h)}$

где $V_2 = \int_0^{\infty} V(r)dr$ — матричный элемент взаимодействия.

Технические инновации

Техника редукции размерности

Применена процедура редукции размерности, отображающая D-мерную задачу на эффективную одномерную задачу, что значительно упрощает вычисления диаграмм Фейнмана.

Двойная методологическая верификация

1. Метод ренормализационной группы: Вычисление критических показателей при слабой связи
2. Метод бозонизации: Асимптотически точный в полуклассическом/инфракрасном пределе

Несинглетный механизм

Мгновенный, но конечнодействующий характер взаимодействия приводит к нежидкостному Ферми квантово-критическому состоянию, что контрастирует со стандартной теорией БКШ.

Экспериментальные результаты

Анализ критического поведения

Определено универсальное критическое значение: $\gamma_c = \frac{D-1}{2}$

Для различных размерностей:

• Двумерный случай ($\gamma_c = 1/2$): Логарифмическое расхождение с асимметричной пиковой структурой
• Трехмерный случай ($\gamma_c = 1$): Разрыв при критической точке

Сингулярность восприимчивости

В пространстве импульсов сингулярное поведение восприимчивости имеет вид:

$\chi_{C/S,aa}(\delta Q) = \frac{\cos[\frac{\pi}{2}\delta\gamma_{aa} + \vartheta \text{sgn}(\delta Q)]\Gamma(\delta\gamma_{aa})}{\pi v_a[2R_0\lambda_a]^{\gamma_c}|\delta QR_0|^{\delta\gamma_{aa}}}$

где $\delta\gamma_{ab} = \gamma_{ab} - \gamma_c$.

Предсказание фазовой диаграммы

1. Отталкивающее взаимодействие ($\gamma_{ab} > 0$):
   • $\gamma_{ab} < \gamma_c$: Жидкость Ферми стабильна
   • $\gamma_{ab} > \gamma_c$: Неустойчивость CDW/SDW
2. Притягивающее взаимодействие ($\gamma_{ab} < 0$):
   • Неустойчивость сверхпроводимости при произвольно малой связи
   • Упорядочение PDW в двухкарманной системе

Физическая картина и приложения

Экситонный изолятор

Когда карманы электронов и дырок имеют одинаковый размер ($k_e = k_h$), система становится экситонным изолятором при произвольно малом отталкивающем взаимодействии:

$\chi_{C/S,eh}(q) = \frac{2\pi^{\frac{D}{2}-1}\Gamma(\frac{\gamma_{eh}}{2})}{\Gamma(\frac{D-\gamma_{eh}}{2})(v_e+v_h)\lambda_F^{D-1}}\left|\frac{2}{qR_0}\right|^{\gamma_{eh}}$

Сверхпроводимость волн плотности спаривания

Под воздействием магнитного поля система проявляет:

• Синглетное сверхпроводящее упорядочение с малым волновым вектором $\Delta k_a$
• Упорядочение PDW с большим волновым вектором $Q^+_{eh} = k_e + k_h$

Перспективы применения в материалах

1. Сверхпроводники на основе оксидов меди: Механизм PDW может объяснить высокотемпературную сверхпроводимость
2. Магический угол графена: Сверхпроводимость после реконструкции поверхности Ферми
3. Полупроводниковые квантовые ямы: Переход металл-изолятор при низкой электронной плотности
4. Дихалькогениды переходных металлов: Фазовый переход экситонного изолятора

Теоретическое значение и ограничения

Теоретические преимущества

1. Универсальность: Микроскопический механизм не зависит от конкретного материала
2. Самосогласованность: Два независимых метода дают идентичные результаты
3. Предсказательность: Предоставляет конкретные измеримые величины для экспериментов

Ограничения

1. Температурные эффекты: Конечная температура обрезает все сингулярности
2. Стабильность дальнодействующего упорядочения: Только переднего рассеяния недостаточно для стабилизации дальнодействующего упорядочения при конечной температуре
3. Высшие поправки: Требуются вычисления более высокого порядка для определения полной бета-функции

Заключение и перспективы

В данной работе установлена универсальная микроскопическая теория неустойчивостей во взаимодействующих D-мерных жидкостях Ферми, успешно предсказывающая множественные квантовые фазовые переходы. Эта теория предоставляет прочную теоретическую основу для понимания явлений сильных корреляций в разнообразных квантовых материалах — от полупроводниковых квантовых ям до высокотемпературных сверхпроводников.

Направления будущих исследований

1. Механизмы стабилизации дальнодействующего упорядочения при конечной температуре
2. Квантово-критическое поведение странного металлического состояния
3. Высшие поправки к электронной спектральной функции
4. Расчеты из первых принципов параметров конкретных материалов

Данная работа вносит значительный вклад в теоретическое понимание сильнокоррелированных электронных систем в физике конденсированного состояния, особенно предоставляя убедительную теоретическую поддержку механизму PDW в сверхпроводниках на основе оксидов меди.