Частичная обратная связь по состоянию, модели пониженного порядка с переключением для систем оптической литографии следующего поколения

Основная информация

• ID статьи: 2402.13928
• Название: Partial State-Feedback Reduced-Order Switching Predictive Models for Next-Generation Optical Lithography Systems
• Авторы: Raaja Ganapathy Subramanian (Технологический университет Эйндховена и ASML NV), Barry Moest (ASML NV), Bart Paarhuis (ASML NV)
• Классификация: math.OC (математическая оптимизация и управление)
• Дата публикации: Препринт, поданный в Control Engineering Practice, 15 октября 2025 г.
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2402.13928

Аннотация

В данной работе предлагается метод частичной обратной связи по состоянию с использованием моделей пониженного порядка и переключающейся логики для поддержки развития технологии оптической литографии следующего поколения. Метод решает проблему компромисса между увеличением количества измерений для повышения точности наложения и связанными с этим вызовами, включая повышенный шум измерений, снижение производительности и ошибки наложения/размещения в условиях неопределённости. Путём минимизации ошибок размещения кристаллов и сокращения ненужных измерений метод повышает производительность системы и пропускную способность. Решение использует упрощённые модели с адаптивной логикой переключения для управления временными неопределённостями, вызванными колебаниями условий эксплуатации. Метод реализован на современном сканере литографии для смягчения пространственно-временной динамики нагрева маски, что служит репрезентативным промышленным приложением. Нагрев маски ухудшается с увеличением производительности, вводя пространственно-временные искажения, которые непосредственно снижают точность размещения кристаллов. Экспериментальные результаты демонстрируют значительные улучшения: ошибка размещения снижена в 2-3 раза, производительность увеличена на 0,3 секунды на пластину.

Научный контекст и мотивация

Предпосылки проблемы

1. Значимость технологии оптической литографии: Литография является критически важной технологией в процессе производства полупроводников, определяющей масштаб производства элементов кристаллов и непосредственно влияющей на качество производства интегральных схем.
2. Технические вызовы:
   • Минимальные размеры элементов от 3 нм до 500 нм требуют точности на уровне субнанометра
   • Противоречие между требованиями высокой производительности и высокой точности
   • Влияние пространственно-временной динамики на производительность системы
3. Ограничения существующих методов:
   • Несоответствие между предположениями моделирования и поведением реальной системы
   • Чувствительность к неопределённостям и внешним возмущениям
   • Сложность обеспечения глобальной замкнутой устойчивости в реальном времени
   • Компромисс между точностью физического моделирования и простотой модели
   • Ограничения модульности, масштабируемости и стоимости реализации

Научная мотивация

Данная работа направлена на преодоление разрыва между теоретическими концепциями управления и практической реализацией в системах литографии, предлагая метод частичной обратной связи по состоянию с использованием моделей пониженного порядка и переключающегося предсказательного управления при сохранении производительности и точности наложения.

Основные вклады

1. Проектирование моделей пониженного порядка: Предложено использование линейных стационарных моделей пониженного порядка, полученных из номинальной динамики крупномасштабных систем (модели конечных элементов), с избирательной развязкой критической пространственно-временной динамики для обеспечения вычислительной эффективности без ущерба для точности модели.
2. Адаптивный механизм переключения: Введена логика переключения для адаптации к неопределённостям, вызванным физическими эффектами, повышающая робастность.
3. Гарантии устойчивости: Доказано, что предложенная стратегия управления обеспечивает глобальную равномерную конечную ограниченность асимптотической устойчивости (GUAS), поддерживаемую теоремой малого усиления для нелинейных систем.
4. Промышленная верификация: Реализация и верификация на современной системе литографии с фокусом на смягчение пространственно-временных искажений, вызванных нагревом маски.

Описание методологии

Определение задачи

Входные данные:

• Состояние системы $x \in \mathbb{R}^n$ (предсказанная полная деформация маски)
• Внешние входы $u_e \in \mathbb{R}^m$ (тепловые источники)
• Данные разреженных датчиков $y \in \mathbb{R}^q$

Выходные данные:

• Выход, связанный с ошибкой размещения $z \in \mathbb{R}^p$

Ограничения:

1. Предсказанное смещение остаётся ограниченным: $\|z\| \leq \varepsilon$ (субнанометровый уровень)
2. Сокращение времени измерения путём избирательного пропуска измерений для некоторых наборов меток

Архитектура модели

Представление в пространстве состояний

Представление системы в пространстве состояний имеет вид:

$\hat{P} := \begin{cases} \dot{x}_i = A_i x_i + B_i u_e + B_f u_f \\ u_f = \Gamma(.)y \\ u_i = C_i x_i \end{cases}$

где:

• $x_i$: состояние внутренней деформации
• $u_e$: внешний профиль нагрева
• $u_f$: сигнал обратной связи от датчиков выравнивания
• $\Gamma(.)$: функция преобразования разреженных измерений обратной связи в соответствующий плотный макет
• $C_i$: отображение выхода от $x_i$ к $u_i$

Четырёхэтапный метод проектирования

Этап 1 - Интеграция планировщика и замкнутая обратная связь: Планировщик $\Phi$ определяется как: $\Phi = \{M_i | I \in R_i, \forall i \in \mathbb{Z}\}$

где $I \in \{y, u_e, u_\Delta\}$ представляет набор исторической информации.

Этап 2 - Номинальная модель пониженного порядка: Использование параметризованного метода редукции на основе моментов Крылова: $M_i := \begin{cases} \dot{x}_i = A_i x_i + B_i u_e \\ u_i = C_i x_i \end{cases}$

Этап 3 - Интеграция частичной обратной связи: Интеграция частичной обратной связи по состоянию в модель пониженного порядка путём явного введения канала входа обратной связи $B_f$.

Этап 4 - Обработка неопределённости: Использование центрированного подхода для представления модели в виде: $\hat{P}(\Phi|I) = M_n + M_\Delta = M_n + \Delta_m(\Phi|I)$

Технические инновации

1. Стратегия переключения, управляемая исторической информацией: В отличие от управления с переменным усилением, основанного только на амплитуде сигнала обратной связи, данный метод использует исторические данные $I$ для направления выбора модели.
2. Сохранение физической интерпретируемости: Метод моментов Крылова сохраняет исходную физическую интерпретацию модели пониженного порядка.
3. Структура системы типа Люре: Преобразование системы в систему типа Люре, объединяющую линейную динамическую часть и нелинейную/неопределённую часть.

Экспериментальная установка

Экспериментальная платформа

• Оборудование: Современный сканер литографии ASML Twinscan
• Сценарий применения: Смягчение нагрева маски
• Условия тестирования: 2 партии, по 16 пластин в каждой партии

Показатели оценки

1. Ошибка размещения: Ошибка наложения в направлениях x-y
2. Увеличение производительности: Экономия времени на пластину
3. Устойчивость: Согласованность производительности при различных условиях эксплуатации

Методы сравнения

1. Традиционный метод: Текущий стандартный метод на основе датчиков
2. Линейный метод: Линейная версия, использующая только номинальную модель $M_n$

Детали реализации

• Использование 3 моментов для описания номинальной и неопределённой моделей нагрева маски
• Пропуск краевых меток выравнивания, использование только верхних и нижних меток
• Экономия примерно 0,3 секунды на пластину при каждом измерении

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Улучшение ошибки размещения:
   • Ошибка размещения в направлениях x-y снижена в 2-3 раза по сравнению с традиционным методом
   • Производительность в направлениях x-y улучшена в 2 раза для первых 2 пластин
   • Сохранение стабильной и улучшенной точности при номинальных и неопределённых условиях
2. Увеличение производительности:
   • Экономия 0,3 секунды на пластину
   • Возможность увеличения производительности на до 7 пластин в час
3. Верификация робастности:
   • Производительность линейного метода снижается в 3 раза при неопределённых условиях
   • Предложенный метод сохраняет согласованную производительность при различных областях изображения

Верификация в различных областях изображения

В экспериментах с меньшей областью экспозиции:

• Предложенный метод показывает улучшение производительности в 3 раза при номинальных и неопределённых условиях
• Производительность линейного метода снижается в 2-3 раза
• Подтверждение робастности и адаптивности метода

Анализ устойчивости

Доказана глобальная равномерная конечная ограниченность асимптотической устойчивости (GUAS) с использованием теоремы малого усиления, удовлетворяющая:

• Физические характеристики нагрева маски обеспечивают ограниченную динамику
• Как номинальная, так и неопределённая модели удовлетворяют условиям устойчивости
• Точка равновесия $x^*$ (где $\|z\| = 0$) является GUAS

Связанные работы

Управление системами литографии

• Традиционные методы линейного предсказательного управления ограничены "эффектом водяной кровати"
• Нелинейные методы включают управление с переменным усилением, фильтрацию и переключающиеся контроллеры
• Существующие методы часто игнорируют пространственно-временную динамику

Методы редукции моделей

• Сбалансированное усечение, методы подпространства Крылова, разложение по собственным ортогональным модам (POD)
• Существующие методы снижают размерность, но теряют физическую интерпретируемость
• Предложенный метод сохраняет физическую интерпретацию при достижении вычислительной эффективности

Управление переключающимися системами

• Стратегии переключения на основе исторической информации
• Методы управления, управляемые событиями
• Теория устойчивости систем типа Люре

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Успешная разработка метода частичной обратной связи по состоянию с использованием моделей пониженного порядка и переключающегося предсказательного управления
2. Достижение одновременного повышения точности и производительности
3. Верификация робастности при неопределённых условиях эксплуатации
4. Предоставление теоретических гарантий устойчивости

Ограничения

1. Применимость метода зависит от специфических характеристик физической системы
2. Проектирование логики переключения требует специализированных знаний в предметной области
3. Редукция модели может влиять на точность в некоторых экстремальных условиях

Направления будущих исследований

1. Унифицированная предсказательная структура: Расширение на пространственные и временные вариации всей системы
2. Интеллектуальная оптимизация измерений: Интеграция предсказания, обучения и интеллектуальных методов для сокращения ненужных измерений
3. Верификация практических предположений: Сокращение разрыва между теоретическими концепциями и практическим применением

Глубокая оценка

Преимущества

1. Высокая промышленная релевантность: Прямое решение практических проблем в производстве полупроводников
2. Прочная теоретическая база: Обеспечение строгого анализа устойчивости
3. Достаточная экспериментальная верификация: Верификация на реальной промышленной системе
4. Методологическая инновативность: Новый подход, объединяющий редукцию моделей, переключающееся управление и частичную обратную связь
5. Высокая практическая ценность: Одновременное повышение точности и производительности с прямой экономической ценностью

Недостатки

1. Ограничения применимости: Основной фокус на проблеме нагрева маски, обобщаемость на другие приложения требует проверки
2. Управление сложностью: Проектирование и настройка логики переключения может требовать значительных специализированных знаний
3. Сравнительные эксперименты: Отсутствие глубокого сравнения с другими передовыми методами управления
4. Долгосрочная устойчивость: Недостаточное обсуждение деградации производительности при длительной эксплуатации

Влияние

1. Академическая ценность: Предоставление новой теоретической структуры для управления пространственно-временными системами
2. Промышленная ценность: Прямое применение к оборудованию стоимостью в десятки миллиардов долларов в полупроводниковой промышленности
3. Технологическое распространение: Возможность расширения метода на другие системы точного производства
4. Воспроизводимость: Предоставление четких этапов реализации и теоретической базы

Сценарии применения

1. Системы точного производства: Производственные процессы, требующие точности на уровне субнанометра
2. Приложения управления теплом: Системы, связанные с управлением тепловой деформацией
3. Требования высокой производительности: Сценарии, требующие повышения эффективности при сохранении точности
4. Промышленные системы с неопределённостью: Системы с частыми изменениями условий эксплуатации

Список литературы

Статья цитирует 45 соответствующих источников, охватывающих теорию управления, технологию литографии, редукцию моделей и идентификацию систем, обеспечивая прочную теоретическую базу и технический контекст для исследования.

Общая оценка: Это высококачественная инженерная статья, успешно применившая передовую теорию управления к практической промышленной проблеме, достигнув хорошего баланса между теоретической строгостью и практической ценностью. Вклад статьи заключается не только в технологических инновациях, но и в предоставлении практически реализуемого решения для критически важной отрасли производства полупроводников.