Электрически накачиваемое однофотонное излучение h-BN в гетероструктуре Ван-дер-Ваальса

Основная информация

• ID статьи: 2407.14070
• Название: Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure
• Авторы: Mihyang Yu, Jeonghan Lee, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Jieun Lee
• Классификация: quant-ph cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
• Дата публикации: июль 2024
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2407.14070

Аннотация

В данной работе сообщается об электрически накачиваемом однофотонном излучении дефектов гексагонального нитрида бора (h-BN) в гетероструктуре Ван-дер-Ваальса. Путём создания структуры устройства с атомно-тонким слоем h-BN, зажатым между электродами из графена и NbSe₂, достигнуто неклассическое оптическое излучение, управляемое туннельным током, индуцированным дефектами. Энергия излучаемых фотонов находится в диапазоне 1,4–2,9 эВ, что свидетельствует об электрическом возбуждении различных атомных дефектов. Путём анализа ориентации дипольной оси излучателей подтверждена кристаллографическая природа дефектных структур в кристалле h-BN.

Исследовательский контекст и мотивация

1. Решаемые проблемы:
   • Традиционные однофотонные источники в основном полагаются на оптическую накачку, что имеет ограничения при интеграции квантовых устройств
   • Электрически накачиваемые однофотонные источники обеспечивают лучшую интеграцию и управление устройством, но ещё не реализованы в двумерных материалах
   • Широкие проводящие каналы снижают эффективность инжекции носителей заряда в каждый дефектный центр
2. Значимость проблемы:
   • Однофотонные источники являются ключевыми устройствами для квантовой коммуникации, квантовых вычислений и квантового зондирования
   • Электрически управляемые однофотонные источники обеспечивают лучшую масштабируемость и степень интеграции
   • h-BN как двумерный материал обладает уникальными квантово-оптическими свойствами
3. Ограничения существующих методов:
   • Хотя цветные центры в алмазе и карбиде кремния позволяют реализовать электрическую накачку, толщина материала ограничивает миниатюризацию устройств
   • Оптическая накачка требует лазерного источника, что усложняет систему и создаёт фоновый сигнал
   • Отсутствует точный контроль над конкретными дефектными центрами
4. Исследовательская мотивация:
   • Использование атомной точности гетероструктур Ван-дер-Ваальса для создания электрически накачиваемых однофотонных устройств
   • Реализация прямого электрического возбуждения дефектов h-BN
   • Предоставление миниатюризированного и интегрированного решения для приложений квантовой фотоэлектроники

Основные вклады

1. Впервые реализовано электрически накачиваемое однофотонное излучение дефектов h-BN, преодолев ограничения традиционной оптической накачки
2. Разработана новая конструкция устройства на основе гетероструктуры Ван-дер-Ваальса с асимметричной конфигурацией электродов графен/h-BN/NbSe₂
3. Доказана прямая корреляция между туннельным током, индуцированным дефектами, и излучением фотонов, с линейной зависимостью интенсивности излучения от тока
4. Наблюдено однофотонное излучение в широком диапазоне энергий (1,4–2,9 эВ), раскрывающее электрическое возбуждение различных типов дефектов
5. Путём анализа поляризации подтверждена кристаллографическая структура излучателей и их классификация на три различные группы дефектов
6. Предложен новый технологический путь для миниатюризации и интеграции устройств квантовой фотоэлектроники

Подробное описание методики

Определение задачи

Задача данного исследования заключается в реализации электрически накачиваемого однофотонного излучения дефектов h-BN в гетероструктуре Ван-дер-Ваальса. Входными параметрами является напряжение, приложенное к концам устройства, выходными параметрами является однофотонное излучение. Ограничивающие условия включают необходимость работы при низкой температуре (6,5 К) для получения стабильного квантового излучения.

Архитектура устройства

1. Общая конструкция:
   • Трёхслойная структура NbSe₂ (верхний электрод)/h-BN/графен (нижний электрод)
   • Слой h-BN включает оптически активный слой (5 нм) и изолирующий слой (2 нм)
   • Края электродов выровнены для ограничения пути туннельного тока
2. Принципы выбора материалов:
   • NbSe₂: дырочный материал Ван-дер-Ваальса, работа выхода 5,9 эВ
   • Графен: электронный электрод, работа выхода 4,5 эВ
   • h-BN: двумерный материал с широкой запрещённой зоной, содержащий оптически активные дефекты
3. Механизм работы:
   • Разница в работе выхода создаёт встроенное электрическое поле
   • Приложенное напряжение управляет туннелированием носителей через дефекты
   • Рекомбинация электронно-дырочных пар производит однофотонное излучение

Технические инновации

1. Асимметричная конструкция электродов:
   • Использование разницы в работе выхода NbSe₂ и графена для эффективной инжекции носителей
   • При прямом смещении NbSe₂ поставляет дырки, графен поставляет электроны
2. Инженерия дефектов:
   • Создание оптически активных дефектов путём высокотемпературного отжига в атмосфере O₂
   • Плотность и тип дефектов контролируются условиями отжига
3. Стратегия ограничения тока:
   • Выравнивание краёв электродов снижает количество дефектов, участвующих в проводимости
   • Повышает эффективность инжекции носителей в отдельные дефекты

Экспериментальная установка

Изготовление устройства

1. Подготовка материалов: Высокочистые кристаллы h-BN подвергаются высокотемпературному отжигу в атмосфере O₂
2. Изготовление устройства: Послойное наложение гетероструктуры Ван-дер-Ваальса с использованием техники сухого переноса
3. Изготовление электродов: Электронно-лучевая литография и вакуумное напыление металла для создания контактов Au

Измерительная система

1. Оптическая система: Самодельная конфокальная микроскопическая система с числовой апертурой объектива 0,65
2. Спектрометр: Детектор CCD для пространственной визуализации и спектральных измерений
3. Корреляционные измерения: Интерферометр Ханбери Брауна–Твисса для измерения функции второго порядка корреляции
4. Контроль окружающей среды: Криостат с рабочей температурой 6,5 К

Оценочные показатели

1. Характеристики однофотонного излучения: функция второго порядка корреляции g²(0) < 0,5
2. Стабильность излучения: временная и спектральная стабильность
3. Электрооптическое преобразование: линейная зависимость интенсивности излучения от тока
4. Спектральные характеристики: положение нулевой фононной линии, ширина линии, фононные боковые полосы

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Подтверждение однофотонного излучения:
   • Для излучателя E1 g²(0) = 0,25 ± 0,21, что явно подтверждает однофотонный характер
   • Ширина функции корреляции 18,2 ± 7,2 нс отражает уникальный процесс переходов при электрическом возбуждении
2. Электрооптическая корреляция:
   • Интенсивность излучения линейно зависит от туннельного тока (наклон ≈ 1,31)
   • Пороговое напряжение примерно 26 В, при токе ~6 нА скорость счёта фотонов ~700 cps
3. Спектральные характеристики:
   • Наблюдаются нулевые фононные линии при 1,5, 2,8 и 2,9 эВ
   • Излучатель при 2,8 эВ имеет фононную боковую полосу 160 мэВ, соответствующую продольному оптическому фонону h-BN
   • При увеличении напряжения наблюдаются штарковский сдвиг и уширение спектральной линии

Анализ классификации дефектов

На основе энергии излучения и характеристик поляризации наблюдаемые излучатели разделены на три класса:

1. Группа 1 (1,4–1,7 эВ):
   • Острая нулевая фононная линия, слабая фононная боковая полоса
   • Случайное распределение оси поляризации
   • Возможно соответствует дефектам, связанным с кислородом
2. Группа 2 (1,9–2,4 эВ):
   • Значительные вариации в форме спектра и распределении поляризации
   • Смешанные типы дефектов в среднем диапазоне энергий
3. Группа 3 (2,4–3,0 эВ):
   • Явная фононная боковая полоса 160 мэВ
   • Оси поляризации в основном ориентированы вдоль кристаллографических направлений с интервалом 60°
   • Возможно соответствует дефектам, связанным с углеродом

Зависимость от полярности напряжения

• Прямое смещение: количество излучателей значительно превышает количество при обратном смещении, высокоэнергетические излучатели в основном наблюдаются при прямом смещении
• Обратное смещение: меньше излучателей, в основном низкоэнергетические
• Это согласуется с асимметричной инжекцией носителей, вызванной разницей в работе выхода NbSe₂ и графена

Связанные работы

1. Твёрдотельные однофотонные источники: электрическая накачка NV-центров в алмазе и дефектов в SiC уже реализована, но толщина материала ограничивает миниатюризацию
2. Квантовое излучение двумерных материалов: излучение экситонов в WSe₂, MoSe₂ и других материалах, но в основном с оптической накачкой
3. Исследование дефектов h-BN: однофотонные источники h-BN с оптической накачкой широко изучены, но электрическая накачка ранее не была реализована
4. Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса: широко применяются в электронном транспорте и фотоэлектрических устройствах, но приложения в квантовой оптике ограничены

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Успешно реализован первый электрически накачиваемый однофотонный излучатель в h-BN, что доказывает потенциал гетероструктур Ван-дер-Ваальса в устройствах квантовой оптики
2. Механизм туннельного тока, индуцированного дефектами, предоставляет новый подход к электрической накачке в двумерных материалах
3. Одновременное возбуждение различных типов дефектов демонстрирует универсальность данного метода
4. Атомная тонкость устройства открывает новые возможности для миниатюризации квантовой фотоэлектроники

Ограничения

1. Рабочая температура: в настоящее время требуется работа при низкой температуре (6,5 К), что ограничивает практическое применение
2. Пороговое напряжение: относительно высокое пороговое напряжение (~26 В) может затруднить интеграцию устройства
3. Эффективность излучения: относительно низкая скорость счёта фотонов требует дальнейшей оптимизации
4. Стабильность: некоторые излучатели демонстрируют мерцание, влияющее на долгосрочную стабильность

Направления будущих исследований

1. Работа при комнатной температуре: реализация однофотонного излучения при комнатной температуре путём инженерии дефектов и оптимизации устройства
2. Снижение порогового напряжения: улучшение качества интерфейса и контактного сопротивления для снижения рабочего напряжения
3. Усиление излучения: повышение эффективности излучения и сбора путём интеграции с оптическими микрорезонаторами
4. Детерминированное изготовление: разработка контролируемой технологии создания дефектов для реализации однофотонных источников по требованию

Глубокая оценка

Преимущества

1. Новаторский вклад: впервые реализовано электрически накачиваемое однофотонное излучение в h-BN, заполняя пробел в данной области
2. Умная конструкция устройства: комбинация асимметричной конфигурации электродов и инженерии дефектов отражает глубокое физическое понимание
3. Полные экспериментальные исследования: всесторонняя характеризация от однофотонных характеристик до классификации дефектов
4. Значительное технологическое значение: предоставляет новый путь для миниатюризации и интеграции квантовых устройств

Недостатки

1. Объяснение механизма: физический механизм различий между электрическим и оптическим возбуждением требует более глубокого анализа
2. Воспроизводимость: согласованность и воспроизводимость между различными устройствами требуют дополнительной проверки
3. Ограничения применения: работа при низкой температуре и относительно низкая эффективность ограничивают практические перспективы

Влияние

1. Академическое влияние: открывает новое направление исследований в области электрически накачиваемой квантовой оптики двумерных материалов
2. Технологический прогресс: предоставляет новый технологический выбор для устройств квантовой коммуникации и квантовых вычислений
3. Промышленные перспективы: хотя в настоящее время находится на этапе фундаментальных исследований, закладывает основу для будущей коммерциализации квантовых устройств

Применимые сценарии

1. Интегрированная квантовая оптика: подходит для построения интегрированных квантово-оптических схем
2. Квантовая коммуникация: может применяться как миниатюризированный однофотонный источник в системах квантового распределения ключей
3. Фундаментальные исследования: предоставляет новый инструмент для исследования квантовых явлений в двумерных материалах

Библиография

Статья цитирует 59 важных источников, охватывающих ключевые работы в области твёрдотельных однофотонных источников, физики двумерных материалов и гетероструктур Ван-дер-Ваальса, обеспечивая прочную теоретическую и экспериментальную базу для исследования.

Данная работа имеет важное значение на пересечении квантовой оптики и двумерных материалов. Хотя в настоящее время существуют некоторые технические вызовы, она открывает новые направления для развития будущих квантовых устройств. С дальнейшим развитием технологии ожидается реализация более эффективных и стабильных электрически накачиваемых однофотонных источников.