2025-11-13T22:58:11.194510

Magnetically Tuned Metal-Insulator Transition in LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ Nanowire Arrays

Ramachandran, Anand, Eom et al.
A wide family of two dimensional (2D) systems, including stripe-phase superconductors, sliding Luttinger liquids, and anisotropic 2D materials, can be modeled by an array of coupled one-dimensional (1D) electron channels or nanowire arrays. Here we report experiments in arrays of conducting nanowires with gate and field tunable interwire coupling, that are programmed at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface. We find a magnetically-tuned metal-to-insulator transition in which the transverse resistance of the nanowire array increases by up to four orders of magnitude. To explain this behavior, we develop a minimal model of a coupled two-wire system which agrees well with observed phenomena. These nanowire arrays can serve as a model systems to understand the origin of exotic behavior in correlated materials via analog quantum simulation.
academic

Магнитно-управляемый переход металл-изолятор в нанопроволочных массивах LaAlO3_3/SrTiO3_3

Основная информация

  • ID статьи: 2410.01937
  • Название: Magnetically Tuned Metal-Insulator Transition in LaAlO3_3/SrTiO3_3 Nanowire Arrays
  • Авторы: Ranjani Ramachandran, Shashank Anand, Kitae Eom, Kyoungjun Lee, Dengyu Yang, Muqing Yu, Sayanwita Biswas, Aditi Nethwewala, Chang-Beom Eom, Erica Carlson, Patrick Irvin, Jeremy Levy
  • Классификация: cond-mat.mes-hall, cond-mat.str-el, cond-mat.supr-con
  • Дата публикации: 3 января 2025 г.
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2410.01937

Аннотация

В данном исследовании на основе интерфейса LaAlO3_3/SrTiO3_3 построены программируемые массивы связанных нанопроволок с управляемой затвором и магнитным полем межпроволочной связью. Обнаружено явление магнитно-управляемого перехода металл-изолятор, при котором поперечное сопротивление нанопроволочного массива может увеличиваться на четыре порядка величины. Для объяснения этого поведения авторы разработали минимальную модель системы связанных двух проволок, которая хорошо согласуется с экспериментальными наблюдениями. Эти нанопроволочные массивы могут служить модельной системой для понимания происхождения необычного поведения в коррелированных материалах посредством аналогового квантового моделирования.

Исследовательский контекст и мотивация

Проблемный фон

  1. Теоретическая важность одномерных систем: Одномерные электронные системы демонстрируют эффекты сильного взаимодействия, такие как спин-зарядовое разделение, дробление заряда и поведение жидкости Латтинджера и другие необычные квантовые явления.
  2. Распространённость связанных квазиодномерных систем: Многие важные двумерные системы, включая полосчатые фазы сверхпроводников, скользящие жидкости Латтинджера и анизотропные двумерные материалы, могут быть смоделированы как массивы связанных одномерных электронных каналов.
  3. Экспериментальные трудности реализации: Экспериментальная реализация контролируемых систем связанных проволок крайне ограничена, что препятствует глубокому пониманию этого важного семейства электронных материалов.

Исследовательская мотивация

  • Мост между теорией и экспериментом: Использование перестраиваемых свойств интерфейса LaAlO3_3/SrTiO3_3 для построения контролируемых систем связанных нанопроволок
  • Аналоговое квантовое моделирование: Предоставление экспериментальной платформы для изучения сложных материалов, таких как высокотемпературные сверхпроводники и органические квазиодномерные проводники
  • Исследование фундаментальной физики: Изучение взаимодействия полосчатых фаз и сверхпроводимости, проверка теоретических предсказаний

Основные вклады

  1. Первая реализация программируемых массивов связанных нанопроволок: На основе интерфейса LaAlO3_3/SrTiO3_3 с использованием ультранизковольтной электронной литографии построена перестраиваемая система нанопроволочных массивов
  2. Обнаружение магнитно-управляемого перехода металл-изолятор: Наблюдение эффекта гигантского магнитосопротивления с увеличением поперечного сопротивления на четыре порядка величины под действием магнитного поля
  3. Разработка теоретической модели: Создана минимальная модель системы связанных двух проволок, успешно объясняющая наблюдаемые экспериментальные явления
  4. Предоставление новой исследовательской платформы: Инструмент для изучения полосчатых фаз, жидкостей Латтинджера и фаз с упорядочением заряда и других необычных квантовых состояний

Методология

Экспериментальная конструкция системы

Подготовка образцов

  • Гетероструктура: Рост 3,4 элементарных ячеек LaAlO3_3 методом импульсного лазерного осаждения на TiO2_2-терминированной подложке STO(001)
  • Изготовление электродов: Использование ионного травления аргоном и стандартной фотолитографии для создания интерфейсных электродов 4 нм Ti/20 нм Au
  • Определение нанопроволок: Определение проводящих нанопроволок при комнатной температуре с использованием ультранизковольтной электронной литографии с ускоряющим напряжением 100 В и линейной дозой 100 пК/см

Геометрия устройства

  • Массив нанопроволок: Параллельные одномерные проводящие нанопроволоки длиной l = 38 мкм
  • Управление расстоянием между проволоками: Постепенное уменьшение от 2 мкм до 250 нм с использованием многоуровневой литографии
  • Конфигурация измерения: Четырёхзондовая конфигурация для отдельного измерения проводимости параллельно (G∥) и перпендикулярно (G⊥) направлению нанопроволок

Теоретическая модель

Модель волновода одиночной проволоки

Используется модель волновода для невзаимодействующих электронов с предположением трансляционной инвариантности вдоль направления нанопроволоки (x):

Hwire=12m(pxeBy)2+py22m+pz22mz+12mωy2y2+12mzωz2z2gμBBsH_{wire} = \frac{1}{2m^*}(p_x - eBy)^2 + \frac{p_y^2}{2m^*} + \frac{p_z^2}{2m^*_z} + \frac{1}{2}m^*\omega_y^2y^2 + \frac{1}{2}m^*_z\omega_z^2z^2 - g\mu_BBs

Собственные энергии имеют вид: En(B)=(ny+1/2)ΩB+((2nz+1)+1/2)ωzgμBBs+2kx2ωy22mΩB2E_n(B) = (n_y + 1/2)\hbar\Omega_B + ((2n_z + 1) + 1/2)\hbar\omega_z - g\mu_BBs + \frac{\hbar^2k_x^2\omega_y^2}{2m^*\Omega_B^2}

где ΩB=ωy2+(eB/m)2\Omega_B = \sqrt{\omega_y^2 + (eB/m^*)^2} — эффективная частота, скорректированная магнитным полем.

Модель межпроволочной связи

Гамильтониан межпроволочного туннелирования: Hinter=12m(pxeB(ypxωcmΩB2))2+py22meVT(yy0)dy0+E0gμBBsH_{inter} = \frac{1}{2m^*}\left(p_x - eB(y - \frac{p_x\omega_c}{m^*\Omega_B^2})\right)^2 + \frac{p_y^2}{2m^*} - eV_T\frac{(y-y_0)}{d-y_0} + E_0 - g\mu_BBs

Условие порога туннелирования: μ=12mωc2(dpxωcmΩB2)2kxωc(dpxωcmΩB2)eV0+E0μBgBs\mu = \frac{1}{2}m^*\omega_c^2\left(d - \frac{p_x\omega_c}{m^*\Omega_B^2}\right)^2 - \hbar k_x\omega_c\left(d - \frac{p_x\omega_c}{m^*\Omega_B^2}\right) - eV_0 + E_0 - \mu_BgBs

Экспериментальная установка

Изготовление устройства

  • Четыре устройства: Эксперименты проведены на четырёх устройствах, демонстрирующих согласованное поведение
  • Среда измерения: В разбавляющем холодильнике при температуре смешивающей камеры 30 мК
  • Диапазон магнитного поля: Магнитное поле, перпендикулярное плоскости образца, до нескольких тесла

Конфигурация измерения

  • Продольная проводимость G∥: Четырёхзондовое измерение проводимости вдоль направления нанопроволоки
  • Поперечная проводимость G⊥: Четырёхзондовое измерение проводимости перпендикулярно направлению нанопроволоки
  • Управление затвором: Регулировка химического потенциала через напряжение затвора VBG_{BG}
  • Диапазон температур: От 30 мК до 4 К

Оценочные показатели

  • Отношение проводимостей: Отношение G∥/G⊥ отражает степень анизотропии
  • Эффект магнитосопротивления: Величина изменения R⊥ в магнитном поле
  • Порог туннелирования V0_0: Пороговое напряжение начала межпроволочной проводимости

Экспериментальные результаты

Основные находки

1. Управляемая затвором анизотропная транспортировка

  • Область независимых нанопроволок (VBG_{BG} < 1 В): G⊥ ≈ 0, нанопроволоки полностью развязаны
  • Область связанных квазиодномерных систем (1 В < VBG_{BG} < 5 В): Появляется управляемое межпроволочное туннелирование
  • Область почти изотропной 2D (VBG_{BG} > 5 В): G∥ ≈ G⊥

2. Эффект гигантского магнитосопротивления

  • Устройство 1: При магнитном поле 1 Т поперечное сопротивление R⊥ увеличивается на два порядка величины, тогда как R∥ изменяется менее чем в 2 раза
  • Устройство 2: При оптимизации VBG_{BG} достигнуто изменение R⊥ более чем на четыре порядка величины
  • Ненасыщающийся характер: Эффект магнитосопротивления не показывает насыщения в измеренном диапазоне магнитных полей

3. Управление порогом туннелирования

  • V0_0 линейно уменьшается с увеличением VBG_{BG}
  • V0_0 увеличивается с понижением температуры
  • G⊥ демонстрирует степенное поведение в диапазоне температур от 100 мК до 4 К

4. Сохранение сверхпроводимости

  • Наблюдается усиление сверхпроводимости при нулевом магнитном поле и T < 50 мК
  • Фазовая когерентность сохраняется в процессе межпроволочного туннелирования

Проверка теоретической модели

Теоретические расчёты G⊥ и вольт-амперных характеристик качественно согласуются с экспериментальными результатами, успешно предсказывая:

  • Взаимодействие VBG_{BG} и VSD_{SD}
  • Влияние магнитного поля на порог туннелирования
  • Температурную зависимость

Связанные работы

Исследования одномерных электронных систем

  • Углеродные нанотрубки: Ранняя экспериментальная проверка поведения жидкости Латтинджера в одномерных системах
  • Краевые состояния квантового эффекта Холла: Исследование дробления и спин-зарядового разделения
  • Органические проводники: Классические примеры квазиодномерного анизотропного транспорта

Полосчатые фазы и сверхпроводимость

  • Медные оксидные сверхпроводники: Нестабильность полосчатых фаз в La2x_{2-x}Srx_xCuO4_4
  • Никелевые оксиды: Образование полосчатых изолирующих нанодоменов в NdNiO3_3
  • Марганцевые оксиды: Влияние упорядочения заряда на магнитный транспорт в La1x_{1-x}Cax_xMnO3_3

Интерфейс LaAlO3_3/SrTiO3_3

  • Двумерная электронная система: Управляемый двумерный электронный газ на интерфейсе
  • Сверхпроводимость: Сверхпроводимость интерфейса с Tc_c ≈ 200-300 мК
  • Перестраиваемость: Определение произвольных паттернов с использованием методов c-AFM и ULV-EBL

Заключение и обсуждение

Основные выводы

  1. Успешное построение контролируемой системы связанных нанопроволок: Достигнута двойная управляемость межпроволочной связи затвором и магнитным полем
  2. Обнаружение нового типа магнитно-управляемого фазового перехода: Наблюдение магнитно-индуцированного перехода металл-изолятор
  3. Разработка эффективной теоретической модели: Модель двух проволок успешно объясняет основные экспериментальные явления
  4. Предоставление новой исследовательской платформы: Открыты новые возможности для аналогового квантового моделирования

Физический механизм

  • Эффект магнитного поля: Усиление внутрипроволочного ограничения, повышение высоты потенциального барьера туннелирования
  • Управление затвором: Контроль порога туннелирования через регулировку химического потенциала
  • Геометрические ограничения: Ширина нанопроволоки и расстояние между ними определяют основные энергетические масштабы

Будущие направления

  1. Волнистые полосчатые фазы: Исследование влияния нанопроволок произвольной формы на волны плотности заряда
  2. Усиление сверхпроводимости: Изучение способствования полосчатых фаз высокотемпературной сверхпроводимости
  3. Многочастичные эффекты: Исследование сильнокоррелированных эффектов и поведения жидкости Латтинджера
  4. Топологические фазы: Использование перестраиваемости для исследования топологических квантовых состояний

Глубокая оценка

Преимущества

  1. Технологические инновации: Первая реализация программируемых массивов связанных нанопроволок с новаторским технологическим подходом
  2. Строгое экспериментальное проектирование: Проверка на нескольких устройствах, систематическое управление параметрами, полное исследование температурной и магнитной зависимостей
  3. Интеграция теории и эксперимента: Тесная связь экспериментальных результатов и теоретической модели, взаимная проверка
  4. Перспективы применения: Предоставление мощной экспериментальной платформы для исследования сложных квантовых материалов

Недостатки

  1. Упрощение модели: Модель двух проволок может не полностью описать сложное поведение многопроволочных массивов
  2. Понимание механизма: Микроскопический механизм гигантского магнитосопротивления требует дальнейшего изучения
  3. Температурные эффекты: Физическое происхождение степенного поведения требует дополнительных исследований
  4. Масштабируемость: Поведение более крупных массивов требует проверки

Влияние

  1. Открытие новых направлений: Создание нового направления аналогового квантового моделирования на основе оксидных интерфейсов
  2. Методологический вклад: Применение технологии ULV-EBL предоставляет новые идеи для изготовления наноустройств
  3. Фундаментальные исследования: Предоставление экспериментальной поддержки для понимания фундаментальных физических явлений, таких как полосчатые фазы и жидкости Латтинджера
  4. Технологические приложения: Эффект магнитосопротивления может иметь применение в датчиках и переключающих устройствах

Применимые сценарии

  1. Фундаментальные исследования: Исследование фундаментальной физики одномерных и квазиодномерных электронных систем
  2. Проектирование материалов: Разработка и оптимизация новых квантовых материалов
  3. Применение в устройствах: Датчики и переключающие устройства на основе эффекта магнитосопротивления
  4. Квантовое моделирование: Моделирование и проверка сложных многочастичных систем

Библиография

Статья цитирует 50 важных работ, охватывающих классические и передовые исследования в области одномерных электронных систем, жидкостей Латтинджера, высокотемпературной сверхпроводимости, оксидных гетероструктур и других областей, обеспечивая прочную теоретическую базу и экспериментальный контекст для исследования.


Общая оценка: Это высококачественная экспериментальная физическая статья, которая вносит значительный вклад в построение контролируемых систем связанных нанопроволок и открытие магнитно-управляемых фазовых переходов. Экспериментальное проектирование строго, теоретический анализ глубок, открывая новые направления в исследовании квантовых материалов. Хотя некоторые теоретические детали требуют дальнейшего совершенствования, инновационность и влияние работы значительны и имеют важное значение для физики конденсированного состояния и нанонауки.