On-chip rewritable phase-change metasurface for programmable diffractive deep neural networks
Zarei
Photonic neural networks capable of rapid programming are indispensable to realize many functionalities. Phase change technology can provide nonvolatile programmability in photonic neural networks. Integrating direct laser writing technique with phase change material (PCM) can potentially enable programming and in-memory computing for on-chip photonic neural networks. Sb2Se3 is a newly introduced ultralow-loss phase change material with a large refractive index contrast over the telecommunication transmission band. Compact, low-loss, rewritable, and nonvolatile on-chip phase-change metasurfaces can be created by using direct laser writing on a Sb2Se3 thin film. Here, by cascading multiple layers of on-chip phase-change metasurfaces, an ultra-compact on-chip programmable diffractive deep neural network is demonstrated at the wavelength of 1.55um and benchmarked on two machine learning tasks of pattern recognition and MNIST (Modified National Institute of Standards and Technology) handwritten digits classification and accuracies comparable to the state of the art are achieved. The proposed on-chip programmable diffractive deep neural network is also advantageous in terms of power consumption because of the ultralow-loss of the Sb2Se3 and its nonvolatility which requires no constant power supply to maintain its programmed state.
academic
Перепрограммируемая фазопеременная метаповерхность на кристалле для программируемых дифракционных глубоких нейронных сетей
В данной работе предложена технология перепрограммируемой метаповерхности на кристалле на основе фазопеременных материалов (ФПМ) для реализации программируемых дифракционных глубоких нейронных сетей. Путём сочетания техники прямого лазерного письма с ультранизкопотерьным фазопеременным материалом Sb₂Se₃ создана компактная, низкопотерьная, перепрограммируемая и энергонезависимая фазопеременная метаповерхность на кристалле. Посредством каскадирования нескольких слоёв фазопеременной метаповерхности реализована сверхкомпактная программируемая дифракционная глубокая нейронная сеть на кристалле на длине волны 1,55 мкм, достигнув точности, сравнимой с существующими методами, в задачах распознавания образов и классификации рукописных цифр MNIST.
Требования: Фотонные нейронные сети требуют быстрого программирования для реализации различных функций, однако существующие решения не обладают эффективной переконфигурируемостью
Технические вызовы: Традиционные фотонные нейронные сети лишены энергонезависимой программируемости и требуют постоянного питания для сохранения состояния
Ограничения материалов: Существующие фазопеременные материалы демонстрируют высокие потери в коммуникационном диапазоне, что ограничивает производительность устройств
Фотонные нейронные сети обладают преимуществами низкого энергопотребления, высокого параллелизма и обработки сигналов на скорости света, являясь кандидатом для платформ вычислений следующего поколения
Программируемость является ключевой технологией для реализации многофункциональных фотонных нейронных сетей
Интеграция на кристалле является необходимым условием для практической реализации фотонных вычислений
Впервые предложена технология перепрограммируемой метаповерхности на кристалле на основе фазопеременного материала Sb₂Se₃ для дифракционных глубоких нейронных сетей
Реализована сверхкомпактная (30 мкм × 40 мкм) программируемая дифракционная глубокая нейронная сеть на кристалле
Подтверждена 100% точность в задаче распознавания образов и 91,86% точность в задаче классификации цифр MNIST
Предоставлено энергонезависимое, низкопотребляющее решение для фотонных нейронных сетей
Установлен метод быстрого перепрограммирования путём сочетания прямого лазерного письма с фазопеременными материалами
Построение перепрограммируемой дифракционной глубокой нейронной сети на кристалле для реализации задач классификации изображений. Входные данные — предварительно обработанные данные изображений, выходные данные — распределение вероятностей результатов классификации.
Техническая осуществимость: Успешно подтверждена осуществимость программируемой дифракционной глубокой нейронной сети на кристалле на основе фазопеременной метаповерхности Sb₂Se₃
Производительность: Достигнута точность, сравнимая с существующими технологиями, в задачах распознавания образов и классификации цифр
Практические преимущества: Реализована энергонезависимость, низкое энергопотребление и перепрограммируемость фотонной нейронной сети
В данной работе цитируются важные работы в области фазопеременной фотоники и фотонных нейронных сетей, включая:
Wu et al. (2024) - Пионерская работа по технике прямого лазерного письма Sb₂Se₃
Delaney et al. (2021) - Первое применение Sb₂Se₃ в фотонных устройствах
Wang et al. (2022) - Важная фундаментальная работа по фотонным нейронным сетям дифракции на кристалле
Fu et al. (2023) - Связанные исследования машинного обучения дифракционной оптики на кристалле
Общая оценка: Это высококачественная техническая статья, внёсшая важный вклад в пересечение областей фазопеременных материалов и фотонных нейронных сетей. Хотя в отношении сложности приложений и теоретического анализа есть пространство для улучшения, её инновационность и практическая ценность делают её важным прогрессом в данной области.