Атомно-слойное травление SiO$_2$ с использованием последовательного воздействия газа SF$_6$ и плазмы Ar

Основная информация

• ID статьи: 2412.20653
• Название: Atomic layer etching of SiO$_2$ using sequential SF$_6$ gas and Ar plasma
• Авторы: Jun Peng, Rakshith Venugopal, Robert Blick, Robert Zierold
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci (физика конденсированного состояния - материаловедение)
• Учреждения: Центр гибридных наноструктур Гамбургского университета, Немецкий электронный синхротрон (DESY)
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2412.20653

Аннотация

С развитием полупроводниковых технологий возникла необходимость в процессах атомного слоя, которые играют важную роль в непрерывной миниатюризации устройств. Среди них атомно-слойное травление (АСТ) привлекает всё большее внимание благодаря точному контролю удаления материала на атомном уровне. Хотя некоторые термические АСТ достигли субнанометрового контроля травления, практические процессы АСТ с участием плазмы в настоящее время страдают от чрезмерной скорости травления из-за отсутствия высокосинергичных полуреакций АСТ. Для преодоления этого ограничения в данном исследовании разработан процесс АСТ для травления диоксида кремния (SiO$_2$) на кремниевых пластинах с использованием последовательного воздействия газа гексафторида серы (SF$_6$) и плазмы аргона (Ar) вблизи комнатной температуры, достигающий стабильной скорости травления около 1,4 Å/цикл. В этом процессе обе полуреакции цикла отдельно не производят травления, травление происходит только при их последовательном повторении, что означает 100% синергетический эффект.

Научный контекст и мотивация

Определение проблемы

1. Основная проблема: Существующие процессы плазменного атомно-слойного травления характеризуются чрезмерной скоростью травления и недостаточным синергетическим эффектом, что затрудняет достижение атомного уровня точности.
2. Значимость:
   • По мере приближения закона Мура к пределам полупроводниковое производство требует более точных технологий обработки на атомном уровне
   • АСТ уже применяется в логических устройствах технологического узла 10 нм
   • Новые наноэлектронные устройства, такие как квантовые устройства, предъявляют растущие требования к точному травлению
3. Ограничения существующих методов:
   • Термическое АСТ, хотя и обеспечивает субнанометровый контроль, ограничено изотропными характеристиками травления
   • Плазменное АСТ обладает хорошей направленностью, но слабым синергетическим эффектом (~80%) и чрезмерной скоростью травления
   • Отсутствуют высокосинергичные полуреакции АСТ
4. Научная мотивация: Разработать процесс травления SiO$_2$, сочетающий точность термического АСТ и направленность плазменного АСТ, достигая 100% синергетического эффекта и атомного уровня контроля.

Основные вклады

1. Разработка нового процесса АСТ: Предложен метод атомно-слойного травления SiO$_2$ с использованием газа SF$_6$ и плазмы Ar, достигающий стабильной скорости травления 1,4 Å/цикл
2. Достижение 100% синергетического эффекта: Доказано, что отдельные полуреакции не производят травления, эффективное травление происходит только при последовательном сочетании, достигая идеальной синергичности
3. Определение окна процесса: Выявлены температурное окно (комнатная температура~40°C) и окно мощности плазмы (50-100 Вт), обеспечивающие руководство для оптимизации процесса
4. Верификация направленного травления: Посредством морфологической характеризации микро- и наноколонн и отверстий доказаны хорошие характеристики направленного травления данного процесса
5. Предоставление масштабируемого решения: Использование коммерческого оборудования RIE и стандартных газов обеспечивает хорошую масштабируемость и практическую применимость

Подробное описание методики

Определение процесса

Входные данные: Пластина SiO$_2$/Si Выходные данные: Поверхность SiO$_2$ с атомно-точным травлением Ограничения: Работа при комнатной температуре, контроль травления на субнанометровом уровне

Архитектура процесса

Четырёхэтапный циклический процесс

1. Этап модификации поверхности: Молекулы SF$_6$ адсорбируются саморегулирующимся образом на открытой поверхности подложки
2. Этап очистки: Удаление избыточных молекул, оставляя тонкий слой SF$_6$ на поверхности SiO$_2$
3. Этап удаления: Активация плазмой Ar, генерирующей ионы Ar$^+$ и свободные электроны
4. Этап очистки: Повторная очистка реакционной камеры, оставляя новую поверхность SiO$_2$

Механизм реакции

• Плазма SF$_6$ генерирует активные вещества: SF$_5^+$, SF$_4^{2+}$, F-радикалы
• F-радикалы реагируют с SiO$_2$, образуя летучие побочные продукты SiF$_4$
• Саморегулирующаяся адсорбция SF$_6$ обеспечивает травление только одного слоя поверхности

Технические инновации

1. Уникальное сочетание газов: Первое использование комбинации чистого газа SF$_6$ и плазмы Ar, избегающее сложности традиционных фторуглеродных соединений
2. Совершенный синергетический дизайн:
   • α (вклад только SF$_6$) = 0
   • β (вклад только плазмы Ar) = 0
   • Синергетический эффект S = 100%
3. Работа при комнатной температуре: В отличие от других процессов АСТ, требующих высоких температур, данный метод эффективен вблизи комнатной температуры
4. Саморегулирующиеся характеристики: При дозе SF$_6$ 25 sccm·s достигается насыщение, подтверждающее саморегулирующуюся адсорбцию

Экспериментальная установка

Подготовка образцов

• Подложка: 4-дюймовые пластины SiO$_2$(300 нм)/Si, нарезанные на образцы 1×1 см
• Очистка: Промывка ацетоном, изопропанолом и деионизированной водой
• Оборудование: Коммерческая система реактивного ионного травления (SenTech SI 500)

Стандартные параметры процесса

• Температура: Постоянная температура 23°C
• Давление: Рабочее давление 1 Па
• Расход газа: Непрерывный поток Ar 100 sccm, импульс SF$_6$ 20 sccm в течение 5 секунд
• Плазма: Мощность ICP 100 Вт, 60 секунд
• Время очистки: 30 секунд

Методы характеризации

• Измерение толщины: Эллипсометр (SenTech), использующий модель Коши
• Характеризация морфологии: Сканирующая электронная микроскопия (Zeiss Crossbeam 550)
• Измерение шероховатости: Атомно-силовая микроскопия (AFM, Dimension)
• Изготовление структур: Система электронно-лучевой литографии (Raith)

Показатели оценки

• Травление за цикл (EPC): Å/цикл
• Синергетический эффект: S = (EPC-(α+β))/EPC × 100%
• Шероховатость поверхности: Значение Ra
• Однородность: Стандартное отклонение в пределах пластины

Экспериментальные результаты

Основные результаты

Характеристики травления

• EPC: 1,4 Å/цикл, линейная аппроксимация R² ≈ 0,999
• Синергетический эффект: S = 100% (α = 0, β = 0)
• Однородность: Стандартное отклонение ~0,5 нм в области 4×4 см
• Качество поверхности: Ra ≈ 0,7 нм, сохранение низкой шероховатости

Сравнение с существующими технологиями

EPC данного процесса (1,4 Å/цикл) значительно превосходит методы плазменного АСТ, описанные за последнее десятилетие:

• Плазма C$_4$F$_8$/Ar: 1,9-20 Å/цикл
• Плазма CHF$_3$/Ar: 4,0-15 Å/цикл
• Точность данного процесса приближается к уровню термического АСТ (0,027-0,52 Å/цикл)

Характеризация окна процесса

Температурное окно

• Стабильный диапазон: Комнатная температура~40°C, EPC остаётся стабильным
• Спад при высокой температуре: При >40°C EPC постепенно снижается, возможно, из-за термической десорбции молекул SF$_6$

Окно мощности

• Эффективный диапазон: Мощность ICP 50-100 Вт
• Низкая мощность: При <50 Вт недостаточно энергии, EPC снижается
• Высокая мощность: При >100 Вт EPC аномально снижается, возможно, из-за разбавления концентрации F-радикалов и упругого рассеяния

Верификация направленного травления

Эксперимент с микроколоннами

• Диаметр колонны: 600 нм, высота ~91 нм
• Результат травления: После 450 циклов высота колонны остаётся неизменной (89,6±1,00 нм), диаметр не меняется
• Вертикальное травление: Общая толщина травления 62 нм, анизотропное соотношение >27:1

Эксперимент со структурами отверстий

• Диаметр отверстия: 0,6 мкм и 1,2 мкм
• Результат: Диаметр отверстия остаётся неизменным в процессе травления, подтверждая направленные характеристики

Абляционные эксперименты

Тестирование отдельных этапов

1. Только воздействие SF$_6$: EPC ≈ 0, без эффекта травления
2. Только плазма Ar: EPC ≈ 0, без физического распыления
3. Комбинированный процесс: EPC = 1,4 Å/цикл

Зависимость от дозы

• Доза SF$_6$: Насыщение при 25 sccm·s, подтверждающее саморегулирующиеся характеристики
• Время плазмы: 60 секунд - оптимальный параметр

Связанные работы

Развитие технологии АСТ

1. История: АСТ впервые предложена в 1988 году для травления алмаза
2. Термическое АСТ: В 2015 году Lee и George сообщили о первом термическом АСТ Al$_2$O$_3$
3. Плазменное АСТ: Широко применяется, но синергетический эффект неидеален

Современное состояние исследований АСТ SiO$_2$

1. Методы термического АСТ: Использование триметилалюминия в качестве предшественника, EPC <1 Å/цикл
2. Плазменные методы: Использование фторуглеродных соединений для модификации поверхности, EPC 2-20 Å/цикл
3. Инфракрасное термическое травление: Методы АСТ, сочетающие тепловые эффекты

Преимущества данной работы

1. Более высокая точность: Достижение в плазменном АСТ точности уровня термического АСТ
2. Лучшая синергичность: 100% против традиционных ~80%
3. Более простой процесс: Избежание сложной фторуглеродной химии
4. Работа при комнатной температуре: Снижение сложности процесса

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Успешно разработан процесс АСТ SiO$_2$ с использованием SF$_6$/плазмы Ar, достигающий стабильного травления 1,4 Å/цикл
2. Достигнут 100% синергетический эффект, подтверждающий высокую чистоту процесса
3. Определены температурное окно вблизи комнатной температуры и окно мощности 50-100 Вт
4. Верифицированы хорошие характеристики направленного травления и качество поверхности

Ограничения

1. Ограничение материалов: В настоящее время верифицировано только для SiO$_2$, требуется дальнейшее исследование других материалов
2. Зависимость от оборудования: Требуется система RIE с точным управлением
3. Скорость травления: По сравнению с традиционным RIE скорость АСТ ниже, влияя на производительность
4. Рассмотрение стоимости: Точное управление увеличивает стоимость процесса

Направления будущих исследований

1. Расширение материалов: Изучение применения данного метода к другим диэлектрическим материалам
2. Оптимизация процесса: Дальнейшее повышение скорости травления и селективности
3. Исследование механизма: Глубокое понимание механизма реакции плазмы SF$_6$/Ar
4. Промышленное применение: Разработка параметров процесса, подходящих для крупномасштабного производства

Глубокая оценка

Преимущества

1. Сильная техническая инновационность: Первое достижение 100% синергетического АСТ с использованием SF$_6$/плазмы Ar
2. Строгий экспериментальный дизайн: Систематическая верификация синергетического эффекта и характеризация окна процесса
3. Убедительные результаты: Линейная зависимость R²≈0,999, хорошая воспроизводимость
4. Высокая практическая ценность: Использование коммерческого оборудования и стандартных газов облегчает распространение

Недостатки

1. Недостаточно глубокое объяснение механизма: Объяснение снижения EPC при высокой мощности носит предположительный характер
2. Отсутствие исследования селективности: Не рассмотрена селективность травления различных материалов
3. Долгосрочная стабильность: Отсутствуют данные о долгосрочной стабильности циклического процесса
4. Ограниченный температурный диапазон: Окно процесса относительно узко

Влияние

1. Научный вклад: Предоставляет новый маршрут процесса для области АСТ
2. Промышленная ценность: Обеспечивает решение точного травления для передовых полупроводниковых производств
3. Воспроизводимость: Подробные экспериментальные параметры облегчают воспроизведение другими исследовательскими группами

Применимые сценарии

1. Производство квантовых устройств: Квантовые структуры, требующие атомно-точного травления
2. Передовые логические устройства: Точная обработка технологических узлов 10 нм и ниже
3. Устройства МЭМС: Микромеханические системы, требующие высокоточной обработки поверхности
4. Оптоэлектронные устройства: Оптические элементы с экстремальными требованиями к качеству поверхности

Список литературы

Данная работа цитирует 37 связанных источников, охватывающих историю развития технологии АСТ, методы травления SiO$_2$ и плазменную химию, обеспечивая прочную теоретическую базу для исследования.

Общая оценка: Это высококачественная научная работа в области материаловедения, вносящая важный вклад в область атомно-слойного травления. Данная работа не только достигает технологического прорыва, но и обладает хорошей практической ценностью и перспективами промышленного применения.