Phase stabilization continues to be a critical issue in hafnium oxide (HfO$_2$) due to the interdependence of various contributing factors. Using first-principles calculations, we analyze the effects of strain and doping on stabilizing the ferroelectric phase. We found that combining Y-doping, O-vacancy, and compressive biaxial strain, particularly in the (111) orientation, offers an optimal pathway for stabilizing the ferroelectric phase of HfO$_2$. Analysis of structural coordination reveals how compressive strain affects phase competition. Crystallography analysis provides insights into the advantage of the (111) strain orientation compared to the (001) orientation. The impact of dopants is discussed in the context of these findings.
- ID статьи: 2501.00132
- Название: Roles of Structural Coordination and Strain Orientation in the Phase Stability of Ferroelectric HfO2
- Авторы: Adedamola D. Aladese, Xiao Shen (Университет Мемфиса)
- Классификация: cond-mat.mtrl-sci (физика конденсированного состояния - материаловедение)
- Дата публикации: Январь 2025
- Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2501.00132
Стабилизация фазовых переходов остаётся ключевой проблемой в оксиде гафния (HfO2) из-за взаимозависимости различных факторов. В данном исследовании с использованием расчётов из первых принципов анализируется влияние деформации и легирования на стабилизацию сегнетоэлектрической фазы. Исследование показывает, что комбинация легирования иттрием, кислородных вакансий и двухосной сжимающей деформации, особенно при ориентации (111), обеспечивает оптимальный путь стабилизации сегнетоэлектрической фазы HfO2. Анализ структурной координации выявил, как сжимающая деформация влияет на конкуренцию фаз. Кристаллографический анализ предоставил понимание преимуществ ориентации (111) по сравнению с ориентацией (001).
- Технологический драйвер: С миниатюризацией кремниевых технологий и вызовами закона Мура возникает необходимость поиска альтернативных материалов для архитектур следующего поколения
- Преимущества материала: HfO2 уже используется в кремниевой промышленности для приложений с высокой диэлектрической проницаемостью, а открытие его сегнетоэлектрических свойств создаёт новые возможности для полупроводниковой промышленности
- Эффекты размера: В отличие от традиционных перовскитных материалов, HfO2 сохраняет сильные сегнетоэлектрические свойства при уменьшении толщины
- Совместимость с технологией: Простота интеграции с технологией CMOS делает сегнетоэлектрическую память на основе HfO2 сильным кандидатом для будущих электронных устройств
- Стабильность фаз: HfO2 имеет множество полиморфных форм, включая наиболее стабильную моноклинную фазу (P21/c), тетрагональную, кубическую и ортогональную фазы
- Сегнетоэлектрическая фаза: Наблюдаемое сегнетоэлектрическое поведение приписывается образованию полярной ортогональной фазы Pca21
- Многофакторное взаимодействие: Стабилизация метастабильной фазы Pca21 требует синергетического действия нескольких внешних факторов: деформации, электрического поля, кислородных вакансий и легирующих добавок
- Неясный механизм: Природа сегнетоэлектричества в HfO2 полностью не понята, и результаты различных исследовательских групп расходятся
- Оптимальный путь стабилизации: Определена комбинация легирования иттрием, кислородных вакансий и двухосной сжимающей деформации при ориентации (111) как оптимальный путь стабилизации сегнетоэлектрической фазы
- Механизм ориентации деформации: Выявлены кристаллографические причины, по которым ориентация (111) более эффективна, чем ориентация (001)
- Анализ структурной координации: Уточнен механизм, посредством которого сжимающая деформация влияет на конкуренцию фаз через воздействие на гибкость окружения трёхкоординированных кислородных атомов
- Механизм действия легирующей добавки: Предложен новый механизм, согласно которому легирующие добавки способствуют сегнетоэлектричеству путём повышения гибкости локального окружения трёхкоординированных кислородных атомов
Расчёты теории функционала плотности (DFT) из первых принципов:
- Использование пакета Vienna Ab Initio Simulation Package (VASP)
- Проекционные дополненные волны (PAW)
- Обменно-корреляционный функционал Perdew-Burke-Ernzerhof
- Энергетический предел плоских волн: 500 эВ
- Критерии сходимости: электронный шаг 10−6 эВ, ионный шаг 10−5 эВ
Конструкция суперячейки:
- Объёмный HfO2: k-точки Монкхорста-Пака 6×6×6
- Тонкая плёнка ориентации (001): суперячейка из 192 атомов, k-точки (¼,¼,¼)
- Тонкая плёнка ориентации (111): суперячейка из 288 атомов, k-точки (¼,¼,¼)
Конфигурации легирования:
- Легирование иттрием: замена 2 атомов Hf на 2 атома Y
- Кислородные вакансии: удаление 1 кислородного атома, ближайшего к легирующей добавке, для компенсации заряда
- Ориентация (001): 3,125% легирования Y + 1,56% кислородных вакансий
- Ориентация (111): 2,08% легирования Y + 1,04% кислородных вакансий
- Систематический анализ деформации: Первый систематический анализ влияния двух ориентаций деформации (001) и (111) на стабильность фаз
- Анализ координационного окружения: Глубокий анализ изменений длин связей для трёхкоординированных (OI) и четырёхкоординированных (OII) кислородных атомов
- Кристаллографический эффект плотности: Предложено новое понимание того, как различия в атомной плотности приводят к различиям в эффектах деформации
- Количественная оценка синергетических эффектов: Количественный анализ синергетического механизма взаимодействия деформации и легирования
Две основные кристаллические структуры:
- Моноклинная фаза P21/c: Основное состояние при окружающих условиях, несегнетоэлектрическая
- Ортогональная фаза Pca21: Сегнетоэлектрическая фаза с самопроизвольной поляризацией
Координационное окружение:
- Атомы Hf: семикоординированные
- Атомы кислорода: трёхкоординированные (OI, чёрные) и четырёхкоординированные (OII, красные)
- Источник сегнетоэлектричества: расположение атомов OI создаёт самопроизвольную поляризацию
Диапазон деформации: двухосная деформация от -6% до +2%
Критерии длины связи:
- Связь Hf-O: < 2,41 Å
- Связь Y-O: < 2,56 Å
Ключевые находки:
- Сжимающая деформация способствует переходу из моноклинной фазы P21/c в ортогональную фазу Pca21
- Ориентация деформации (111) более эффективна, чем (001)
- При ориентации (111) минимум энергии сегнетоэлектрической фазы находится вне кривой моноклинной фазы, что указывает на более сильную стабильность
Значения напряжения перехода σt (мэВ/Å2):
| Ориентация деформации | Чистый HfO2 | Кислородные вакансии | Легирование Y | Y + вакансии |
|---|
| (001) | -49,78 | -59,09 | -57,10 | -50,16 |
| (111) | -23,97 | -23,23 | -23,37 | -19,99 |
Напряжение перехода при ориентации (111) значительно меньше; совместное легирование Y и вакансиями показывает лучший эффект
Сегнетоэлектрическое смещение при -3% деформации (Å):
| Ориентация деформации | Чистый HfO2 | Кислородные вакансии | Легирование Y | Y + вакансии |
|---|
| (001) | 0,54 | 0,74 | 0,71 | 0,73 |
| (111) | 0,60 | 0,72 | 0,73 | 0,76 |
Совместное легирование Y и вакансиями при ориентации (111) создаёт максимальное сегнетоэлектрическое смещение
Поведение связей Hf-OI:
- Связи I и II уменьшаются при сжимающей деформации
- Связь III в фазе Pca21 увеличивается при сжимающей деформации, в фазе P21/c изменяется незначительно
- Удлинение связи III отражает более гибкое локальное окружение атома OI
Характеристики связей Hf-OII:
- Средняя длина связи в фазе Pca21 короче и более сжимаема
- Эффективное использование пространства обеспечивает больше места вокруг атомов OI
- Способствует адаптивным перестройкам при сжимающей деформации
Преимущества ориентации (111):
- Более высокая плотность атомных плоскостей: 8,8 Hf/нм2 против 7,0 Hf/нм2 для (001)
- Некоторые атомы OI расположены в плоскостях атомов Hf
- Усиливает внутриплоскостные ограничения, увеличивая эффект сжимающей деформации
- Инженерия деформации: Liu и соавторы показали, что двухосная деформация при ориентации (111) стабилизирует фазу Pca21, но Zhang и соавторы получили противоположные результаты
- Эффекты легирования: Трёхвалентные легирующие добавки способствуют фазовым переходам и стабильности путём компенсации кислородных вакансий
- Синергетическое взаимодействие нескольких факторов: Batra и соавторы предложили, что комбинация двухосной деформации и электрического поля более эффективна, чем отдельные факторы
- Систематическое сравнение: Первое систематическое сравнение эффектов различных ориентаций деформации
- Микроскопический механизм: Предоставляет детальное понимание на атомном уровне
- Количественный анализ: Даёт количественные данные по напряжению перехода и сегнетоэлектрическому смещению
- Оптимальные условия: Комбинация легирования иттрием, кислородных вакансий и двухосной сжимающей деформации при ориентации (111) обеспечивает лучший путь стабилизации сегнетоэлектрической фазы
- Механизм деформации: Сжимающая деформация способствует образованию сегнетоэлектрической фазы путём повышения гибкости окружения трёхкоординированных кислородных атомов
- Эффект ориентации: Ориентация (111) более эффективна благодаря более высокой атомной плотности и специальному расположению кислородных атомов
- Действие легирующей добавки: Совместное легирование дополнительно повышает локальную гибкость путём увеличения длины связей Hf-OI
- Теоретические расчёты: Основано на расчётах DFT, требует экспериментальной проверки
- Эффекты температуры: Не учитывает стабильность фаз при конечной температуре
- Динамика процессов: Не охватывает кинетику фазовых переходов
- Взаимодействие дефектов: Относительно упрощённый подход к обработке сложных взаимодействий дефектов
- Экспериментальная проверка: Необходимы соответствующие экспериментальные исследования для проверки теоретических предсказаний
- Исследование динамики: Изучение кинетики фазовых переходов и энергии активации
- Применение в устройствах: Исследование потенциала применения в реальных устройствах
- Другие легирующие элементы: Изучение эффектов других легирующих элементов
- Строгая методология: Использование зрелых методов расчётов из первых принципов с разумными параметрами
- Глубокий анализ: Раскрытие механизмов действия деформации и легирования на атомном уровне
- Систематические результаты: Систематическое сравнение стабильности фаз при различных условиях
- Ясный механизм: Предоставляет ясную физическую картину и количественный анализ
- Отсутствие экспериментов: Чисто теоретическое исследование, лишённое экспериментальной проверки
- Упрощение модели: Модель суперячейки может не полностью отражать сложность реальных тонких плёнок
- Эффекты температуры: Не учитывает температурную зависимость в практических приложениях
- Эффекты интерфейса: Не охватывает влияние интерфейса плёнка-подложка
- Научная ценность: Предоставляет важную теоретическую основу для понимания сегнетоэлектричества в HfO2
- Перспективы применения: Предоставляет руководство для проектирования высокопроизводительных сегнетоэлектрических устройств на основе HfO2
- Методологическое значение: Демонстрирует эффективность синергетической оптимизации нескольких факторов
- Развитие области: Способствует углублению понимания сегнетоэлектрического HfO2
- Проектирование материалов: Руководство по проектированию и оптимизации сегнетоэлектрических материалов на основе HfO2
- Инженерия устройств: Предоставляет принципы проектирования для сегнетоэлектрической памяти и логических устройств
- Оптимизация технологии: Руководство по росту тонких плёнок и инженерии деформации
- Фундаментальные исследования: Основа для дальнейших теоретических и экспериментальных исследований
Данная работа цитирует 30 важных источников, охватывающих открытие сегнетоэлектрических свойств HfO2, исследования стабильности фаз, инженерию деформации, эффекты легирования и другие ключевые области, предоставляя прочную теоретическую основу для исследования.
Общая оценка: Это высококачественная теоретическая исследовательская работа, систематически изучающая влияние ориентации деформации и легирования на стабильность сегнетоэлектрической фазы HfO2, предоставляющая ясный физический механизм и количественный анализ. Несмотря на отсутствие экспериментальной проверки, она предоставляет важное теоретическое руководство для дальнейшего развития этой области.