Улучшенные оптические характеристики микро-светодиодов GaN с одиночным пористым слоем

Основная информация

• ID статьи: 2501.00455
• Название: Enhanced optical performance of GaN Micro-light-emitting diodes with a single porous layer
• Авторы: Ziwen Yan, Xianfei Zhang, Yuyin Li, Zili Xie, Xiangqian Xiu, Dunjun Chen, Ping Han, Yi Shi, Rong Zhang, Youdou Zheng, and Peng Chen
• Учреждение: Школа электроники и инженерии Нанкинского университета, Ключевая лаборатория передовых фотонных и электронных материалов провинции Цзянсу
• Классификация: physics.optics physics.app-ph
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2501.00455

Аннотация

Высокоэффективные микро-светодиоды (Micro-LEDs) являются ключевыми устройствами для технологий дисплеев следующего поколения. Однако при уменьшении размера меза до десятков микрометров или меньше светоотдача ограничена "эффектом размера-эффективности". В данном исследовании подробно описывается изготовление Micro-LEDs на основе нитрида галлия (GaN) с различными формами меза и одиночным пористым слоем под активной областью. Пористый слой создается путем электрохимического травления в сочетании с улучшенной структурой зеленого светодиода и слоями n-GaN с различной степенью легирования. Сильное ограничение света, достигаемое пористым слоем и многоугольной мезой, значительно усиливает спонтанное излучение. Интенсивность излучения Micro-LEDs с пористым слоем примерно в 22 раза выше, чем у устройств без пористого слоя. В многоугольных устройствах наблюдается значительное уменьшение минимальной полной ширины на половине максимума (FWHM), указывающее на изменение механизма излучения. Исследовано влияние различных геометрических форм устройств на характеристики излучения. Экспериментальные результаты показывают, что квадратные и шестиугольные пористые Micro-LEDs, в отличие от круглых пористых Micro-LEDs, демонстрируют более выраженное резонансное излучение.

Научная база и мотивация

Выявленные проблемы

1. Проблема "эффекта размера-эффективности": При уменьшении размера Micro-LED до десятков микрометров или меньше пиковая эффективность значительно снижается
2. Поверхностная безизлучательная рекомбинация: С уменьшением размера устройства отношение площади поверхности к объему увеличивается, что приводит к увеличению безизлучательной рекомбинации на боковых поверхностях
3. Ограничения существующих решений: Традиционные структуры распределенных брэгговских отражателей (DBRs) требуют сложных методов изготовления и точного эпитаксиального роста

Значимость исследования

• Micro-LEDs являются основными устройствами для технологий дисплеев следующего поколения с растущим спросом в высокоразрешающихся дисплеях, AR/VR и медицинских приложениях
• Постоянно растет спрос на устройства Micro-LED с высокой яркостью и узкой линией
• Решение проблемы эффективности устройств малого размера имеет решающее значение для реализации высокопроизводительных технологий дисплеев

Ограничения существующих методов

• Структуры DBRs сложны в изготовлении и требуют точного эпитаксиального роста
• Многослойные структуры усложняют производство и повышают стоимость
• Могут оказывать неблагоприятное влияние на вертикальную проводимость тока

Основные вклады

1. Предложена структура с одиночным пористым слоем: По сравнению со сложными структурами DBRs, одиночный пористый слой GaN проще в изготовлении и благоприятен для вертикальной проводимости тока
2. Достигнуто значительное увеличение интенсивности излучения: Интенсивность излучения пористых Micro-LEDs в 22 раза выше, чем у традиционных устройств
3. Обнаружен зависящий от формы резонансный эффект: Квадратные и шестиугольные пористые Micro-LEDs демонстрируют более выраженное резонансное излучение по сравнению с круглыми устройствами
4. Предоставлен полный технологический процесс: Подробно описан полный процесс от эпитаксиального роста до изготовления устройства
5. Достигнуто излучение с узкой линией: Минимальная FWHM составляет примерно 5,9 нм, что указывает на изменение механизма излучения

Подробное описание методов

Определение задачи

Разработка и изготовление Micro-LEDs на основе GaN с одиночным пористым слоем для повышения оптических характеристик устройства посредством эффекта ограничения света и исследование влияния различных геометрических форм на резонансное излучение.

Проектирование структуры устройства

Эпитаксиальная структура

• Подложка: (111)Si подложка
• Буферный слой: Буферный слой AlN/AlGaN
• Проводящий слой: 1 мкм нелегированного GaN (u-GaN)
• n-тип слой:
  • 1 мкм слабо легированного n-GaN (Si: 1,5×10¹⁸/см³)
  • 1 мкм сильно легированного n-GaN (Si: 8,5×10¹⁸/см³) - преобразуется в пористый слой
• Защитный слой: 100 нм слой u-GaN
• Активная область: 150 нм InGaN/GaN многоквантовых ям (MQWs)
• p-тип слой: 100 нм толщины p-GaN слой

Технологический процесс изготовления

1. Передача рисунка: Осаждение слоя SiO₂ методом PECVD для передачи рисунка
2. Травление меза: ICP травление для формирования меза Micro-LED, травление до слабо легированного слоя n-GaN
3. Электрохимическое травление: Преобразование сильно легированного слоя n-GaN в пористую структуру
4. Пассивация: Удаление поверхностного SiO₂ раствором BOE, повторное осаждение слоя SiO₂ для пассивации
5. Металлизация: Осаждение многослойного металла Cr/Al/Ni/Au в качестве p-типа и n-типа контактов

Технические инновации

Конструкция одиночного пористого слоя

• Регулирование эффективного показателя преломления: Эффективный показатель преломления пористого слоя изменяется в зависимости от диаметра отверстия, снижаясь с 2,39 до 1,87
• Механизм ограничения света: Увеличение разницы показателей преломления между активной областью и окружающей средой, усиление удержания фотонов в активной области
• Оптимизация проводимости тока: По сравнению с многослойной структурой DBRs, одиночный слой благоприятен для вертикальной проводимости тока

Оптимизация геометрической формы

• Круглая форма: Поддерживает в основном режимы шепчущей галереи (WGM) на краю
• Квадратная и шестиугольная формы: Режимы равномерно распределены по всему устройству, резонансный эффект более выражен

Модель анализа сопротивления

Установлена модель эффективного отношения сопротивления пористой структуры:

rS = (S₀ - Shole) / S₀ = 1 - n·π·rhole²/π·r²
rR = 1/rS

где n - количество отверстий, определяемое геометрическими размерами устройства и расстоянием между отверстиями.

Экспериментальная установка

Параметры устройства

• Форма устройства: Круглая (диаметр 60 мкм), квадратная (сторона 50 мкм), шестиугольная (сторона 30 мкм)
• Параметры пористого слоя: Диаметр отверстия 20-60 нм, регулируемое расстояние
• Температура тестирования: Комнатная температура

Методы тестирования

• Наблюдение морфологии: Оптический микроскоп
• Электрические характеристики: Измерение I-V характеристик с использованием источника питания Keithley 2601A
• Оптические характеристики: Система микро-фотолюминесценции Renishaw inVia Reflex для измерения спектров электролюминесценции (EL)
• Сравнительный анализ: Прямое сравнение пористых и обычных устройств, изготовленных на одном образце

Показатели оценки

• Интенсивность излучения: Сравнение интенсивности EL при одинаковом токе инжекции
• Ширина линии: Полная ширина на половине максимума (FWHM)
• Пиковая длина волны: Изменение в зависимости от плотности тока
• Электрические характеристики: Кривые J-V

Экспериментальные результаты

Основные результаты

Электрические характеристики

• Хорошие характеристики проводимости: Все устройства демонстрируют хорошее напряжение включения и быстрое нарастание плотности тока
• Управляемое влияние сопротивления: При максимальном диаметре отверстия (60 нм) эффективное сопротивление составляет всего в 2 раза больше, чем у обычного устройства, что остается приемлемым
• Проводимость тока: Пористый слой не оказывает значительного влияния на способность устройства проводить ток

Улучшение оптических характеристик

1. Значительное увеличение интенсивности излучения:
   • Круглый пористый Micro-LED: увеличение в 2,64 раза
   • Квадратный пористый Micro-LED: увеличение в 4,86 раза
   • Шестиугольный пористый Micro-LED: увеличение в 22 раза
2. Значительное уменьшение ширины линии:
   • Минимальная FWHM составляет примерно 5,9 нм
   • Многоугольные устройства демонстрируют явные резонансные пики
3. Изменение механизма излучения:
   • Обычные устройства в основном демонстрируют спонтанное излучение
   • Пористые устройства показывают острый пик при 510 нм, отличающийся от спонтанного излучения

Зависящий от формы резонансный эффект

Круглое устройство

• Демонстрирует в основном спонтанное излучение
• При 510 нм появляется только небольшой острый пик
• Режимы шепчущей галереи расположены в основном на краю устройства, легко повреждаются при сухом травлении

Квадратное устройство

• С увеличением тока инжекции постепенно появляются несколько резонансных пиков
• Резонансные режимы равномерно распределены по всему устройству
• Точка перегиба плотности тока: 320 А/см²

Шестиугольное устройство

• Показывает острый пик при 510 нм, ширина линии постепенно сужается
• Наиболее выраженный эффект резонансного излучения
• Точка перегиба плотности тока: 213 А/см² (наименьшая)

Характеристики пиковой длины волны

• Пористые устройства: Пиковая длина волны смещается в синюю область с 535 нм на 510 нм и остается стабильной
• Обычные устройства: Также демонстрируют смещение в синюю область, но с небольшими непрерывными колебаниями
• Стабильность: Пористые устройства показывают более стабильную длину волны при высоких токах

Связанные работы

Традиционные решения

1. Структуры DBRs: Использование TiO₂/SiO₂ или металлических зеркал для построения резонансной полости
2. Многослойные пористые структуры: Верхние и нижние пористые GaN DBRs
3. Гибридные структуры: Комбинация пористого GaN с диэлектрическими DBRs

Преимущества данной работы

• Простота изготовления: Одиночный слой проще в изготовлении, чем многослойные DBRs
• Хорошая проводимость: Благоприятна для вертикальной проводимости тока
• Превосходные характеристики: Достигнуто более высокое увеличение интенсивности излучения
• Высокая регулируемость: Различные резонансные характеристики достигаются путем изменения геометрической формы

Выводы и обсуждение

Основные выводы

1. Успешная проверка концепции одиночного пористого слоя: Доказано, что одиночная пористая структура может эффективно повысить производительность Micro-LED
2. Достигнуто значительное улучшение характеристик: Максимальное увеличение интенсивности излучения в 22 раза и узкая линия 5,9 нм
3. Обнаружен эффект, зависящий от формы: Многоугольные устройства демонстрируют более сильный резонансный эффект, чем круглые устройства
4. Предоставлен практический метод изготовления: Полный технологический процесс подходит для практического применения

Физический механизм

• Усиленное ограничение света: Пористый слой снижает эффективный показатель преломления, усиливая удержание фотонов в активной области
• Эффект резонансной полости: Одиночный пористый слой образует эффективную оптическую резонансную полость
• Оптимизация распределения режимов: Геометрическая форма влияет на распределение резонансных режимов и распространение света

Ограничения

1. Увеличение сопротивления: Хотя управляемо, пористая структура все еще увеличивает сопротивление устройства
2. Сложность изготовления: Требуется точный контроль процесса электрохимического травления
3. Зависимость от размера: Эффект может быть связан с конкретным размером устройства
4. Долгосрочная стабильность: Долгосрочная стабильность пористой структуры требует дальнейшей проверки

Будущие направления

1. Оптимизация пористой структуры: Дальнейшая оптимизация параметров, таких как диаметр отверстия и расстояние
2. Расширение применения: Применение к другим длинам волн и размерам устройств
3. Лазерные приложения: Исследование потенциала применения в лазерах
4. Массовое производство: Разработка технологических процессов, подходящих для крупномасштабного производства

Глубокая оценка

Преимущества

1. Высокая инновационность: Концепция одиночного пористого слоя упрощает традиционный метод DBRs
2. Полные эксперименты: Систематическое исследование производительности при различных формах и условиях тока
3. Теоретическая поддержка: Предоставлен теоретический анализ эффективного показателя преломления и сопротивления
4. Высокая практическая ценность: Относительно простой процесс подходит для практического применения
5. Надежные данные: Увеличение производительности в 22 раза имеет высокую убедительность

Недостатки

1. Глубина анализа механизма: Теоретический анализ резонансных режимов может быть более глубоким
2. Долгосрочная стабильность: Отсутствуют данные о долгосрочной стабильности работы устройства
3. Температурные характеристики: Не исследованы характеристики производительности при различных температурах
4. Согласованность при массовом производстве: Отсутствуют статистические данные о согласованности устройств при крупномасштабном производстве

Влияние

1. Академическая ценность: Предоставляет новые идеи для повышения производительности Micro-LED
2. Промышленное значение: Предоставляет практическое решение для технологий дисплеев следующего поколения
3. Продвижение технологии: Относительно простой процесс способствует продвижению и применению технологии
4. Вдохновляющее значение: Может вдохновить больше исследований оптоэлектронных устройств на основе пористых структур

Применимые сценарии

1. Высокопроизводительные дисплеи: Приложения высокоразрешающихся и высокояркостных дисплеев
2. Устройства AR/VR: Приложения, требующие высокопроизводительных источников света малого размера
3. Профессиональное освещение: Профессиональное освещение, требующее узкой линии и высокой яркости
4. Оптическая коммуникация: Возможное применение в системах видимой световой коммуникации
5. Лазеры: Предоставляет технологическую базу для микролазеров

Список литературы

Статья цитирует 36 соответствующих работ, охватывающих в основном:

• Развитие технологии GaN-базированных Micro-LED
• Исследования резонансных полостей LED и лазеров
• Изготовление и применение пористых структур GaN
• Теория микрополостной оптики и резонансных режимов

Общая оценка: Это высококачественная статья по прикладной физике, предлагающая инновационную концепцию одиночного пористого слоя для повышения производительности Micro-LED с разумным экспериментальным дизайном и впечатляющими результатами. Увеличение производительности в 22 раза и упрощенный технологический процесс придают ей важную академическую ценность и перспективы применения. Статья предоставляет практическое и эффективное решение проблемы "эффекта размера-эффективности" Micro-LED.