2025-11-15T22:22:12.185809

Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems

Zhuang, Sun
The superconducting diode effect (SDE) refers to the nonreciprocity of superconducting critical currents for the metal-superconductor transition. Generally, the SDE has a positive and a negative critical current $j_{c\pm}$ corresponding to two opposite directions whose amplitudes are unequal. It is demonstrated that an extreme nonreciprocity where two critical currents can become both positive (or negative) has been observed in a recent experiment. In this work, we theoretically propose a possible mechanism to realize an extreme nonreciprocal SDE. Based on a microscopic theory and a simple valley-polarized model, we demonstrate that depairing currents required to dissolve Cooper pairs can be remodulated under the interplay between the valley polarization and the applied current. Near the disappearance of the superconductivity, the remodulation is shown to induce the extreme nonreciprocity and also the current-induced re-entrant superconductivity where the system has two different critical current intervals. Our study may provide new horizons for understanding the coexistence of superconductivity and spontaneous ferromagnetism and pave a new way to designing the SDE with 100% efficiency.
academic

Индуцированная током переходная сверхпроводимость и экстремальный нереципрокный эффект сверхпроводящего диода в системах с поляризацией долины

Основная информация

  • ID статьи: 2501.00835
  • Название: Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems
  • Авторы: Yu-Chen Zhuang, Qing-Feng Sun
  • Категория: cond-mat.supr-con
  • Дата публикации: 1 января 2025 г.
  • Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2501.00835

Аннотация

Эффект сверхпроводящего диода (SDE) характеризуется нереципрокностью критического тока сверхпроводимости при переходе металл-сверхпроводник. Обычно SDE имеет соответствующие положительные и отрицательные критические токи jc±j_{c\pm} в противоположных направлениях с неравными амплитудами. Недавно были экспериментально наблюдены экстремальные нереципрокные явления, при которых оба критических тока могут быть одновременно положительными (или отрицательными). В данной работе теоретически предложен возможный механизм реализации экстремального нереципрокного SDE. На основе микроскопической теории и простой модели поляризации долины авторы доказывают, что ток разрушения куперовских пар может быть переомодулирован под действием взаимодействия поляризации долины с внешним током. Вблизи исчезновения сверхпроводимости эта переомодуляция индуцирует экстремальную нереципрокность и переходную сверхпроводимость, индуцированную током, при которой система имеет два различных интервала критических токов.

Исследовательский контекст и мотивация

  1. Основная проблема: Эффект сверхпроводящего диода (SDE) — это недавно открытое явление сверхпроводимости, проявляющееся в нереципрокности неассоциативного сверхтока. Эффективность традиционного SDE η обычно составляет только несколько десятков процентов, тогда как недавно в трёхслойном графене с малым углом скручивания наблюдалась экстремальная нереципрокность с эффективностью 100%.
  2. Значимость проблемы: SDE не только раскрывает потенциальные характеристики экзотических сверхпроводящих систем, но также может использоваться в неассоциативных схемах с важными приложениями в сверхпроводящей электронике, сверхпроводящей спинтронике, квантовой информации и технологиях коммуникации.
  3. Существующие ограничения: Хотя экстремальная нереципрокность уже наблюдалась экспериментально, её физический механизм остаётся неясным. Существующие теоретические исследования показывают, что это значительное усиление может происходить из-за связи параметра порядка с нарушением симметрии и сверхтока, или из-за диссипации, индуцированной внеплоскостным электрическим полем.
  4. Исследовательская мотивация: В системах скрученного графена постоянный ток может модулировать и даже переключать поляризацию долины. Учитывая важную роль спонтанной поляризации долины в SDE скрученного трёхслойного графена, необходимо исследовать связь между экстремальным нереципрокным SDE и модуляцией поляризации долины, индуцированной током.

Основные вклады

  1. Теоретический механизм: Предложен теоретический механизм реализации экстремальной нереципрокности на основе модуляции поляризации долины, индуцированной током
  2. Построение модели: Разработана простая модель системы с поляризацией долины, содержащая s-волновую сверхпроводимость с междолинным спариванием
  3. Открытие новых явлений: Предсказана переходная сверхпроводимость, индуцированная током, при которой система имеет два различных интервала критических токов
  4. SDE с эффективностью 100%: Предложен новый путь для проектирования SDE со 100% эффективностью
  5. Физическая картина: Уточнен физический механизм переомодуляции внутреннего тока разрушения в фактический критический ток

Методология

Определение задачи

Исследование того, как внешний ток в системе с поляризацией долины влияет на критический ток сверхпроводимости путём модуляции поляризации долины, тем самым реализуя экстремальный нереципрокный эффект сверхпроводящего диода.

Архитектура модели

1. Модель поляризации долины, индуцированная взаимодействием

Построение двухполосного гамильтониана с междолинным взаимодействием: Hv=k,τ(ϵk,τμ)ck,τck,τ+UvVk,kck,+ck,+ck,ck,H_v = \sum_{k,\tau} (\epsilon_{k,\tau} - \mu)c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \frac{U_v}{V}\sum_{k,k'} c^\dagger_{k,+}c_{k,+}c^\dagger_{k',-}c_{k',-}

где τ = ± обозначает индекс долины K, K', а Uv>0U_v > 0 представляет отталкивающее междолинное взаимодействие.

2. Модуляция поляризации долины, индуцированная током

В рамках неравновесного баллистического квантового транспорта при приложенном смещении V уровни Ферми электронов с положительной (отрицательной) скоростью повышаются (понижаются) на eV/2eV/2 относительно равновесного уровня Ферми. Из-за нарушения инверсионной симметрии внутри долины число заполнения электронов в каждой долине изменяется как: nτ=nτ0+ατjextn_\tau = n^0_\tau + \alpha_\tau j_{ext}

где ατ\alpha_\tau — коэффициент, зависящий от модифицированного химического потенциала и поля расщепления долины.

3. Гамильтониан Боголюбова-де Жена

Добавление s-волнового междолинного спаривающего члена: H(q)=k,τEk,τck,τck,τ+kΔ(q)ck+q,+ck+q,+H.c.H(q) = \sum_{k,\tau} E_{k,\tau} c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \sum_k \Delta(q)c^\dagger_{k+q,+}c^\dagger_{-k+q,-} + H.c.

где 2q представляет импульс центра масс куперовской пары, отражающий спиральное состояние или состояние FFLO.

Технические инновации

  1. Инновация физического механизма: Впервые предложен механизм, при котором модуляция поляризации долины, индуцированная током, может переомодулировать ток разрушения
  2. Упрощение модели: Использование простой модели Стонера для захвата существенных характеристик поляризации долины
  3. Самосогласованные вычисления: Полная фазовая диаграмма получена путём самосогласованного решения уравнения щели и уравнения поляризации долины
  4. Переходное явление: Предсказано новое явление переходной сверхпроводимости, индуцированной током

Экспериментальная установка

Набор данных

Численные расчёты проводились с использованием одномерной модели:

  • Размер системы: V = Na, периодические граничные условия, N = 2000
  • Единица энергии: t = 1
  • Единица тока: e/ℏ·t = 1
  • Единица длины: a = 1
  • Установка параметров: Uv=2.8U_v = 2.8, Us=1.86U_s = 1.86, температура T = 0.1

Показатели оценки

  1. Эффективность диода: η=jc+jcjc++jc\eta = \frac{j_{c+} - |j_{c-}|}{j_{c+} + |j_{c-}|}
  2. Критический ток: jc±j_{c\pm} соответствует критическому значению при переходе металл-сверхпроводник
  3. Поле расщепления долины: hv=Uv2Vmh_v = \frac{U_v}{2V}m, где m — поляризация долины

Методы сравнения

  • Традиционная теория SDE (без модуляции поляризации долины, индуцированной током)
  • Модель сверхпроводника Рашба-Зеемана
  • Аналогия с моделью Стонера-Вольфарта магнетизма

Экспериментальные результаты

Основные результаты

1. Фазовая диаграмма с четырьмя различными областями

  • Область I: Отсутствие SDE, поскольку hv0=0h^0_v = 0
  • Область II: Традиционный SDE, jc+jcj_{c+} \neq |j_{c-}|
  • Область III: Переходная сверхпроводимость, наличие четырёх критических токов
  • Область IV: Экстремальная нереципрокность, только два положительных критических тока

2. Численные результаты критических токов

При оценке узкой полосы пропускания 4t = 10 мэВ:

  • Единица энергии: t = 2.5 мэВ
  • Единица тока: ≈ 96.6 нА
  • Амплитуда критического тока: диапазон 0-34 нА
  • Температура: примерно 2.9 К

3. Эффект модуляции магнитным полем

Внешнее магнитное поле B может связываться с долиной через эффект Зеемана, создавая дополнительное поле расщепления долины hBBh_B \propto B, тем самым модулируя тип и полярность SDE.

Абляционные исследования

  1. Влияние асимметрии полосы: Более асимметричная энергетическая полоса приводит к большему коэффициенту α+α\alpha_+ - \alpha_-, облегчая реализацию экстремальной нереципрокности
  2. Сходимость размера системы: При фиксированном коэффициенте заполнения критический ток сходится с изменением размера системы N
  3. Температурные эффекты: Эффект более выражен при низких температурах

Анализ конкретных случаев

На рисунке 3 показана эволюция критических токов при четырёх различных электронных заполнениях n:

  • n = 640: отсутствие SDE
  • n = 560: традиционный SDE
  • n = 510: переходная сверхпроводимость
  • n = 480: экстремальная нереципрокность

Связанные работы

Основные направления исследований

  1. Экспериментальные наблюдения SDE: Искусственные сверхрешётки Nb/V/Tan, объёмные материалы, переходы Джозефсона и др.
  2. Теоретические механизмы: Магнитная киральная анизотропия, спаривание Купера с конечным импульсом
  3. Скрученный графен: Поляризация долины, спин-орбитальная связь, коррелированные эффекты

Преимущества данной работы

  1. Впервые связана модуляция поляризации долины, индуцированная током, с SDE
  2. Предсказано новое явление переходной сверхпроводимости
  3. Предложен теоретический путь к SDE со 100% эффективностью
  4. Получены количественные численные результаты и оценки параметров

Заключение и обсуждение

Основные выводы

  1. Модуляция поляризации долины, индуцированная током, может переомодулировать ток разрушения, реализуя экстремальный нереципрокный SDE
  2. Экстремальная нереципрокность легко возникает вблизи исчезновения сверхпроводимости
  3. Система может проявлять переходную сверхпроводимость, индуцированную током
  4. Внешнее магнитное поле может модулировать тип и полярность SDE

Ограничения

  1. Линейное приближение действительно только в диапазоне малых токов
  2. Игнорируется экранирование напряжения в сверхпроводящем состоянии
  3. Возможное магнитное гистерезисное поведение недостаточно учтено
  4. Модель относительно упрощена, реальные системы более сложны

Будущие направления

  1. Более точные самосогласованные вычисления, включающие нелинейные эффекты
  2. Рассмотрение динамики поляризации долины в сверхпроводящем состоянии
  3. Экспериментальная проверка теоретических предсказаний
  4. Расширение на другие двумерные материальные системы

Глубокая оценка

Преимущества

  1. Сильная теоретическая новизна: Впервые предложен механизм SDE с модуляцией поляризации долины, индуцированной током
  2. Ясная физическая картина: Простая модель раскрывает суть сложного явления
  3. Достаточные численные расчёты: Систематическое исследование пространства параметров и внешних полей
  4. Высокая экспериментальная релевантность: Высокая корреляция с экспериментами на скрученном графене
  5. Большая прогностическая ценность: Предсказание новых явлений переходной сверхпроводимости

Недостатки

  1. Чрезмерное упрощение модели: Игнорирование спиновой степени свободы и более сложных механизмов спаривания
  2. Недостаточная самосогласованность: Ограниченный диапазон применимости линейного приближения
  3. Отсутствие экспериментальной проверки: Недостаток прямых экспериментальных доказательств
  4. Ограниченная количественная точность: Грубые оценки параметров

Влияние

  1. Академическое влияние: Предоставляет новую теоретическую базу для понимания экстремального SDE
  2. Перспективы применения: Руководство по проектированию высокоэффективных сверхпроводящих диодов
  3. Вдохновляющее значение: Может быть распространено на другие системы с долинной электроникой

Применимые сценарии

  1. Системы сверхпроводимости скрученного графена
  2. Другие двумерные материалы с долинной степенью свободы
  3. Системы с сосуществованием поляризации долины и сверхпроводимости
  4. Приложения устройств, требующие высокоэффективных сверхпроводящих диодов

Библиография

В данной работе цитируется 66 соответствующих источников, охватывающих экспериментальные наблюдения SDE, теоретические механизмы, физику скрученного графена и другие аспекты, обеспечивая прочную основу для исследования. Важные ссылки включают первоначальное наблюдение SDE 7, экспериментальные исследования экстремальной нереципрокности в скрученном графене 12 и соответствующие теоретические работы 33, 34 и др.