Управление магнитной анизотропией и обращением намагниченности под действием деформации и напряжения в пленках и мезоструктурах иттрий-железного граната, замещенного висмутом

Основная информация

• ID статьи: 2501.00980
• Название: Strain Mediated Voltage Control of Magnetic Anisotropy and Magnetization Reversal in Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Films and Meso-structures
• Авторы: Walid Al Misba, Miela Josephine Gross, Kensuke Hayashi, Daniel B. Gopman, Caroline A. Ross, Jayasimha Atulasimha
• Классификация: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
• Научные учреждения: Политехнический институт Виргинии, Массачусетский технологический институт, Университет Нагои, Национальный институт стандартов и технологий США
• Ссылка на статью: https://arxiv.org/abs/2501.00980

Аннотация

В данном исследовании сообщается о модуляции магнитной анизотропии путем электрически индуцированной деформации в пленках иттрий-железного граната, замещенного висмутом (Bi-YIG), и мезоструктурах, осажденных на подложки PMN-PT. Исследование выбрало определенное содержание Bi для достижения более низкой коэрцитивной силы по сравнению с YIG и повышенной магнитострикции, что приводит к значительным изменениям в магнитных петлях гистерезиса посредством магнитоупругого эффекта. Путем приложения напряжения к гетероструктуре PMN-PT/SiO₂/Bi-YIG/Pt пьезоэлектрическая подложка поляризуется вдоль направления толщины (011 направление). Микроскопия магнитооптического эффекта Керра (MOKE) in situ продемонстрировала модуляцию магнитной анизотропии под действием электрически индуцированной деформации. При фиксированном магнитном поле электрическое управление состоянием магнитных доменов пленки Bi-YIG обеспечивает переключение оси легкого намагничивания на 90°. Магнитоэлектрический коэффициент гетероструктуры составляет 1,05×10⁻⁷ с/м, что сопоставимо с характеристиками других тонких пленок ферромагнитных оксидов на ферроэлектрических подложках. Электрически управляемое поле обращения намагниченности в точечных структурах и структурах типа «беговая дорожка» Bi-YIG шириной 5-30 микрометров демонстрирует потенциал применения в энергоэффективных энергонезависимых запоминающих устройствах и нейроморфных вычислительных приборах.

Научный контекст и мотивация

Проблемный фон

1. Проблема энергопотребления: Современная магнитная оперативная память требует плотности тока примерно 10¹¹ А/м² для записи с энергопотреблением около 10 фДж, тогда как многоферроидные устройства требуют только 1-100 аДж
2. Требование магнитоэлектрического взаимодействия: Необходимо управление намагниченностью электрическим полем для реализации высокоплотных магнитных запоминающих устройств с низким энергопотреблением
3. Ограничения материалов: Хотя однофазные многоферроидные материалы непосредственно демонстрируют магнитоэлектрическое взаимодействие, композитные гетероструктуры обеспечивают магнитоэлектрическое взаимодействие на 3-4 порядка более сильное

Научная мотивация

1. Механизм передачи деформации: Использование механизма передачи деформации в композитных гетероструктурах ферроэлектрик-ферромагнетик для достижения низкой тепловой диссипации и высокого магнитоэлектрического коэффициента
2. Преимущества материала: Bi-YIG обладает низким тангенсом угла потерь, высокой скоростью доменных стенок, низким затуханием Гильберта и магнитооптической активностью
3. Технологические вызовы: Решение проблемы несоответствия кристаллических решеток при росте ферромагнитных гранатов на пьезоэлектрических соединениях

Основные вклады

1. Первая реализация электрически управляемого переключения оси легкого намагничивания на 90° в гетероструктуре Bi-YIG/PMN-PT
2. Разработка технологии буферного слоя SiO₂, решающей проблему кристаллического соответствия гранатов на пьезоэлектрических подложках
3. Достижение магнитоэлектрического коэффициента 1,05×10⁻⁷ с/м, сопоставимого с другими оксидными ферромагнитными/ферроэлектрическими системами
4. Реализация электрически управляемого обращения намагниченности в микронных структурах, демонстрирующая потенциал применения в запоминающих устройствах и нейроморфных приборах
5. Осуществление наблюдения динамики магнитных доменов in situ с помощью микроскопии MOKE

Подробное описание методов

Подготовка материалов

1. Обработка подложки: Напыление 2,4 нм аморфного буферного слоя SiO₂ методом радиочастотного магнетронного распыления на подложку PMN-PT толщиной 0,5 мм с ориентацией (011)
2. Рост пленки: Использование импульсного лазерного осаждения (PLD) для совместного осаждения мишеней YIG и BFO при комнатной температуре, получение пленки Bi-YIG толщиной 45,6 нм с составом Bi₂,₁₃Y₁,₄₀Fe₅Oₓ
3. Постобработка: Отжиг в печи при 600°C в течение 72 часов для кристаллизации структуры граната

Конструкция гетероструктуры

Гетероструктура имеет конфигурацию PMN-PT/SiO₂/Bi-YIG/Pt, где:

• PMN-PT: пьезоэлектрическая подложка, поляризованная вдоль направления 011
• SiO₂: буферный слой толщиной 2,4 нм, предотвращающий образование ферритовой структуры при эпитаксиальном росте
• Bi-YIG: ферромагнитный слой толщиной 45,6 нм
• Pt: верхний электрод

Модель магнитоупругой энергии

Выражение для магнитоупругой энергии: $F_{me} = -\frac{3}{2}\lambda_s\frac{Y}{1+\nu}\varepsilon_{xx}\sin^2\theta\cos^2\varphi - \frac{3}{2}\lambda_s\frac{Y}{1+\nu}\varepsilon_{yy}\sin^2\theta\sin^2\varphi$

где $\lambda_s \approx -4×10^{-6}$ — коэффициент отрицательной магнитострикции, $\varepsilon_{xx}$ и $\varepsilon_{yy}$ — компоненты деформации.

Экспериментальная установка

Методы характеризации

1. Структурная характеризация: Рентгеновская дифракция при скользящем падении (GIXD) и рентгеновская рефлектометрия (XRR)
2. Магнитные измерения: Измерение петель магнитного гистерезиса в плоскости и перпендикулярно плоскости с помощью вибрирующего образца магнитометра (VSM)
3. Наблюдение морфологии: Сканирующая электронная микроскопия (SEM) для наблюдения структуры зерен
4. Наблюдение магнитных доменов: Микроскопия магнитооптического эффекта Керра (MOKE) для наблюдения in situ

Технология структурирования

Использование фотолитографии и ионного пучкового травления для подготовки эллиптических и «беговых дорожек» структур с минимальным размером 5 мкм

Условия эксперимента

• Напряжение поляризации: 450 В, продолжительность 90 минут
• Диапазон тестового напряжения: 0-450 В, шаг 50 В
• Источник света MOKE: синий свет (λ ≈ 465 нм)
• Диапазон магнитного поля: ±88 мТ

Экспериментальные результаты

Структурная и магнитная характеризация

1. Кристаллическая структура: GIXD показывает характеристические пики поликристаллического граната без сильной текстуры
2. Магнитные свойства: Намагниченность насыщения 101±5 кА/м, коэрцитивная сила в плоскости 10±5 мТ
3. Микроструктура: Размер зерен 1-3 мкм с небольшими аморфными областями

Модуляция магнитной анизотропии

1. Эффект деформации: При увеличении сжимающей деформации вдоль направления x̂ коэрцитивная сила увеличивается с 25±2 мТ до 27±2 мТ
2. Переключение оси легкого намагничивания: С увеличением напряжения ось легкого намагничивания переходит от направления ŷ к направлению x̂
3. Изменение квадратности: Квадратность в направлении x̂ увеличивается с напряжением, в направлении ŷ — уменьшается

Магнитоэлектрический коэффициент

Вычисленный магнитоэлектрический коэффициент αₑ = 1,05×10⁻⁷ с/м, максимальное значение достигается при изменении напряжения от 0 В до -50 В.

Производительность микроструктурных устройств

1. Эллиптические структуры: При снижении напряжения с 450 В до 0 В поле переключения снижается с высокого значения до 8 мТ
2. Структуры «беговая дорожка»: Поле распространения доменной стенки снижается с 7 мТ (0 В) до 6 мТ (450 В)

Связанные работы

Механизмы магнитоэлектрического взаимодействия

1. Передача деформации: Механическая передача деформации на границе раздела ферроэлектрик-ферромагнетик
2. Поверхностные эффекты: Модуляция плотности спиновых состояний
3. Миграция ионов: Электрически управляемая миграция кислородных ионов

Сравнение материальных систем

Преимущества по сравнению с другими системами:

• Более сильное магнитоэлектрическое взаимодействие по сравнению с однофазными многоферроидными материалами
• Более низкое затухание и более быстрое управление намагниченностью по сравнению с металлическими ферромагнитными материалами
• Решение проблемы роста гранатов на пьезоэлектрических подложках

Заключение и обсуждение

Основные выводы

1. Успешно реализовано электрически управляемое переключение оси легкого намагничивания на 90° в пленке Bi-YIG
2. Технология буферного слоя SiO₂ эффективно решает проблему кристаллического соответствия
3. Магнитоэлектрический коэффициент сопоставим с другими оксидными системами, демонстрируя хорошие перспективы применения
4. Микронные устройства демонстрируют потенциал применения в запоминающих устройствах и нейроморфных вычислениях

Ограничения

1. Большая ширина линии: Ширина линии ферромагнитного резонанса поликристаллической пленки составляет примерно 200 мТ, что значительно превышает 5 мТ для монокристаллических пленок
2. Влияние напряжений: Высокие напряжения в пленке влияют на магнитные свойства
3. Оптимизация технологии: Требуется дальнейшая оптимизация параметров процесса и состава

Будущие направления

1. Оптимизация технологии роста пленок для снижения ширины линии
2. Исследование резонансных эффектов для усиления магнитоэлектрического отклика
3. Разработка практических прототипов устройств на основе данной технологии

Глубокая оценка

Преимущества

1. Технологическая инновация: Первая реализация переключения оси легкого намагничивания на 90° в системе Bi-YIG/PMN-PT
2. Технологический прорыв: Технология буферного слоя SiO₂ открывает новые возможности для гетероструктур гранат/пьезоэлектрик
3. Систематическое исследование: Полная цепь исследований от пленок к структурированным структурам
4. Практическая ценность: Демонстрация потенциала применения в устройствах низкопотребляющей памяти

Недостатки

1. Ограничения производительности: Поликристаллическая структура приводит к более широкой линии, ограничивающей производительность устройства
2. Анализ механизмов: Теоретический анализ динамики магнитных доменов относительно простой
3. Интеграция устройств: Отсутствует обсуждение совместимости с существующими полупроводниковыми технологиями

Влияние

1. Научный вклад: Предоставляет новую материальную систему и технологические методы для области магнитоэлектрических композитных материалов
2. Перспективы применения: Обеспечивает технологическую основу для устройств магнитной памяти следующего поколения с низким энергопотреблением
3. Технологическая ценность: Технология буферного слоя SiO₂ может быть расширена на другие компоненты гранатов и материалы подложек

Применимые сценарии

1. Устройства магнитной памяти: Магнитная оперативная память (MRAM)
2. Нейроморфные вычисления: Нейросинаптические устройства на основе динамики доменных стенок
3. Спинтроника: Устройства спиновых волн и магнитооптические устройства
4. Датчики: Датчики тока и датчики магнитного поля

Библиография

Статья цитирует 60 связанных работ, охватывающих множество областей, включая многоферроидные материалы, магнитоэлектрическое взаимодействие, рост тонких пленок гранатов и спинтронику, обеспечивая прочную теоретическую основу и технологический контекст для данного исследования.

Резюме технических ключевых моментов:

• Инновационное решение проблемы роста гранатов на пьезоэлектрических подложках
• Реализация электрически управляемого переключения оси легкого намагничивания на 90°
• Демонстрация полного пути исследований от базовых материалов к функциональным устройствам
• Предоставление новой технологической схемы для устройств магнитоэлектроники с низким энергопотреблением